Technologien

SiGe

Branchenführende Silizium-Germanium-Technologien (SiGe) für Hochfrequenzanwendungen, die die perfekte Balance zwischen Geschwindigkeit, Leistung, Kosten, Zuverlässigkeit und Effizienz bieten

Hohe Geschwindigkeit, geräuscharm, power

Angesichts der Weiterentwicklung mobiler Anwendungen und des steigenden Bandbreitenbedarfs in Rechenzentren ist der Bedarf an Lösungen, die power und Leistung in Einklang bringen, so groß wie nie zuvor. Durch die Kombination SiGe (HBT) mit CMOS (BiCMOS) bietet unsere SiGe hohe Spannungsschwankungsbreiten, hohe power kompromisslose Signalintegrität.

  • Breites Anwendungsspektrum

    Von Mobilfunk und WLAN über drahtlose Infrastruktur, optische Kommunikation, Kfz-Radar und Satellitenkommunikation bis hin zu analogen Hochgeschwindigkeitslösungen für Rechenzentren

  • Hohe Leistung, optimiertes Design

    Starke Hochfrequenzleistung, geringes Rauschen und hoher Wirkungsgrad bei umfassender HF- und Digitalintegration auf einer kostengünstigen Siliziumbasis

  • Spitzenwerte bei Geschwindigkeit und Bandbreite

    Außergewöhnliche ft/fmax-Werte, die die erforderliche Leistung für mmWave- und optische Transceiver-Anwendungen der nächsten Generation bieten

  • Globale Fertigung

    Großserienfertigung an mehreren Standorten in unseren Werken in den USA und Singapur für Skalierbarkeit und Zuverlässigkeit

  • Führend im Bereich Design-Enablement

    Umfangreiche Auswahl an aktiven und passiven Bauelementen, umfassende Bauelementmodelle und PDKs sowie verlustarme Back-End-of-Line-Technologien (BEOL) mit der Möglichkeit, HF-, Analog- und Digitalschaltungen auf einem einzigen Chip gemeinsam zu entwerfen

  • Echte BiCMOS-Integration

    Bestimmte Plattformen ermöglichen eine echte monolithische Integration von Hochgeschwindigkeits SiGe und CMOS und unterstützen power HF- und Hochgeschwindigkeits-Analogarchitekturen

Hochleistungs SiGe

Wir bieten ein breites Portfolio an SiGe mit wettbewerbsfähigen Leistungswerten. Dank unseres modularen Ansatzes können Sie genau die Kombination aus Leistung, Integration und Kosten wählen, die Ihren Anwendungsanforderungen am besten entspricht.

Als branchenweit erste komplementäre Bipolar-Technologie bietet unsere CBIC-Technologie eine hochmoderne Integration von NPN- (Negativ-Positiv-Negativ) und PNP-Transistoren (Positiv-Negativ-Positiv) und zeichnet sich durch marktführende Leistungswerte (ft > 200+ GHz) aus, wodurch Hochgeschwindigkeits-Analogverstärker und rauscharme Verstärker bei geringem power ermöglicht werden.

Unsere HPS-Technologien – darunter die bewährten 8HP/8HP+-Technologien sowie die 9HP/HP+-Technologien der neuesten Generation – sind für den Betrieb im Ultrahochfrequenzbereich und rauscharmes Arbeiten optimiert. Sie bieten außergewöhnliche Geschwindigkeit, Bandbreite und Signalintegrität für anspruchsvolle HF-, Millimeterwellen- und analoge Hochgeschwindigkeitsanwendungen und ermöglichen gleichzeitig eine dichte HF- und digitale Integration auf einer kostengünstigen Siliziumbasis.

Unsere SiGe wurden für größere Spannungsschwankungen, höhere Zuverlässigkeit und größere power entwickelt und ermöglichen Anwendungen, die Leistung, Robustheit und Integration in den Märkten für drahtlose Infrastruktur und Konnektivität in Einklang bringen.

SiGe

Automotive

Hohe Leistung und power für den Einsatz in Kfz-Radarsystemen und der Konnektivität im Fahrzeug, die Sicherheit und Zuverlässigkeit unter rauen Umgebungsbedingungen gewährleisten

Weitere Informationen: Automobilbranche

Intelligente mobile Geräte

Die HPS-Technologien von GF senken den Stromverbrauch, um die Batterielebensdauer zu verlängern, und gewährleisten dabei weiterhin ein extrem geringes Rauschen bei LNAs, während die HVS-Technologien robuste und kostengünstige power für WLAN-Anwendungen ermöglichen

Weitere Informationen: Intelligente Mobilgeräte

Skalierung der Datenübertragung in Rechenzentren mit SiGe Siliziumphotonik

Unsere Siliziumphotonik- und SiGe ermöglichen optische Verbindungen, die deutlich höhere Datenraten, geringere Latenzzeiten und eine wesentlich bessere Energieeffizienz bieten als Kupfer. Diese Plattformen unterstützen die für KI-Cluster und groß angelegte Cloud-Implementierungen erforderlichen Verbindungen mit hoher Bandbreite. Durch die Integration von Photonik, HF-Technik und CMOS auf einer einzigen Plattform ermöglichen wir einen schnelleren und effizienteren Datentransfer in modernen Rechenzentrumsarchitekturen.

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