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Power

Von Silizium-basierten Bipolar-CMOS-DMOS-Plattformen (BCD) bis hin zu neuartigen Materialien wie Galliumnitrid (GaN), deckt unser pLeistungsportfolio Portfolio ist auf hohe power , effiziente Energieumwandlung und Designflexibilität ausgelegt. Zusammen ermöglichen diese skalierbare power für anspruchsvolle Verbraucher- und Industrieanwendungen – von batteriebetriebenen Geräten bis hin zu vollelektrifizierten Systemen – und unterstützen so die nächste Generation smarterer, energieeffizienterer Produkte.

Power und Wirkungsgrad bei gleichzeitiger Zuverlässigkeit

  • Zuverlässige Leistung und Effizienz

    Hohe power und effiziente Energieumwandlung, mit skalierbarer BCD-Spannungsunterstützung (5 V–150 V) und Deep-Trench-Isolation bis zu 200 V zur Minimierung von Verlusten

  • Innovation durch Integration

    Die Integration von GaN und BCD auf einem einzigen Chip, ergänzt durch integrierte Speicheroptionen zur Unterstützung kompakter, hocheffizienter power

  • Geringerer Aufwand für die Metallisierung

    Durch Kontaktierung aktiver Kupfersäulen für BCD und Kupfer-Back-End-of-Line (BEOL) bei power wird der Routing-Aufwand reduziert und gleichzeitig power sowie die thermische Leistung verbessert

  • Zuverlässigkeit auf Automobilniveau

    Unterstützung mehrerer Qualifizierungsoptionen, darunter „Auto Grade 0“ (bis zu 175 °C) und „Auto Grade 1“ (bis zu 150 °C), für zuverlässige Leistung in rauen Betriebsumgebungen

  • Modularität über Spannungs- und power hinweg

    Lösungen für den Nieder- bis Hochspannungsbereich, die Designfreiheit von einfachen PMICs bis hin zu komplexen power und Motorsteuerungssystemen auf einer einheitlichen Plattform ermöglichen

  • Vielfältige Fertigung

    BCD-Fertigung an mehreren Standorten in den USA, Deutschland und Singapur, einschließlich bewährter GaN-Fertigung in unserem Werk in Burlington, Vermont

Ausgewählte Technologien

  • BCD

    Durch die Integration von analogen, digitalen und power bietet unser BCD Technologien effiziente Mixed-Signal-Lösungen–Signal power mit skalierbarer niedriger bis hohen–Niederspannungs- , integrierte passive und eingebauter Speicher für längere Akkulaufzeit und schnellere Ladevorgänge sowie flexible power .  
    Weitere Informationen: BCD

  • Power

    Nutzung des breiten–Breitbandlücken-Vorteile von Galliumnitrid nutzen, unsere power GaN Technologien bieten power hohe power und hohe–power irkungsgrad bei geringeren Verlusten und schnellerem Schalten, unterstützt durch flexible PDKs und Integrationsoptionen optimiert für nächste–Generation power .  
    Weitere Informationen: Power

Skalieren Sie Ihre Designs mit unserem bewährten Partner-Ökosystem

Power nächste Designinnovation Power , indem Sie mit unserem globalen Partnernetzwerk zusammenarbeiten, das sich bei unseren BCD- und power bewährt hat und genau auf Ihre Design- und Anwendungsanforderungen zugeschnitten ist.

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Häufig gestellte Fragen

  • Unsere BCD-Technologien werden in unseren Werken in Malta, Dresden und Singapur im 300-mm-Format hergestellt, wobei in Burlington und Singapur zusätzlich im 200-mm-Format produziert wird.
  • Unsere power werden in unserem bewährten 200-mm-Werk in Burlington hergestellt.

Unsere BCD-Bauteile erfüllen strenge Automobilstandards (Auto Grade 0 und 1), wobei sowohl BCD als auch GaN nach JEDEC- sowie Rechenzentrums- und Industriestandards* zertifiziert sind.

*Die Zertifizierungen können je nach Verfahrenstechnik variieren

  • Unsere BCD-Technologien unterstützen einen Betriebsbereich von 5 V bis 150 V, wobei Hochspannungs-BCD-Lösungen eine Deep-Trench-Isolation von bis zu 200 V bieten.
  • Unser sich ständig weiterentwickelndes power Portfolio ist darauf ausgerichtet, Lösungen für power Mittel- und Hochspann power in Verbraucher- und power anzubieten.

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