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Von Silizium-basierten Bipolar-CMOS-DMOS (BCD)-Plattformen bis hin zu neuartigen Materialien wie Galliumnitrid (GaN), deckt unser pLeistungs ist auf hohe Leistungsdichte, effiziente Energieumwandlung und Designflexibilität ausgelegt. Zusammen ermöglichen diese skalierbare Stromversorgungsarchitekturen für anspruchsvolle Verbraucher- und Industrieanwendungen – von batteriebetriebenen Geräten bis hin zu vollelektrifizierten Systemen – und unterstützen so die nächste Generation smarterer, energieeffizienterer Produkte.

Leistungsdichte und Wirkungsgrad bei gleichzeitiger Zuverlässigkeit

  • Zuverlässige Leistung und Effizienz

    Hohe Leistungsdichte und effiziente Energieumwandlung, mit skalierbarer BCD-Spannungsunterstützung (5 V–150 V) und Deep-Trench-Isolation bis zu 200 V zur Minimierung von Verlusten

  • Innovation durch Integration

    Die Integration von GaN und BCD auf einem einzigen Chip, ergänzt durch integrierte Speicheroptionen zur Unterstützung kompakter, hocheffizienter Leistungs-ICs

  • Geringerer Aufwand für die Metallisierung

    Durch Kontaktierung aktiver Kupfersäulen für BCD und Kupfer-Back-End-of-Line (BEOL) bei Leistungs-GaN-Anwendungen wird der Routing-Aufwand reduziert und gleichzeitig die Leistungsdichte sowie die thermische Leistung verbessert

  • Zuverlässigkeit auf Automobilniveau

    Unterstützung mehrerer Qualifizierungsoptionen, darunter „Auto Grade 0“ (bis zu 175 °C) und „Auto Grade 1“ (bis zu 150 °C), für zuverlässige Leistung in rauen Betriebsumgebungen

  • Modularität über Spannungs- und Leistungsbereiche hinweg

    Lösungen für den Nieder- bis Hochspannungsbetrieb, die Designfreiheit von einfachen PMICs bis hin zu komplexen Energiemanagement- und Motorsteuerungssystemen auf einer einheitlichen Plattform ermöglichen

  • Vielfältige Fertigung

    BCD-Fertigung an mehreren Standorten in den USA, Deutschland und Singapur, einschließlich bewährter GaN-Fertigung in unserem Werk in Burlington, Vermont

Ausgewählte Technologien

  • BCD

    Durch die Integration von analogen, digitalen und Leistungsbauelementen bietet unser BCD Technologien effiziente Mixed-Signal-Lösungen–Signal-Leistungs-ICs mit skalierbarer niedriger bis hohen–Niederspannungs- , integrierte passive und eingebauter Speicher für längere Akkulaufzeit und schnelleres Ladevorgänge sowie flexible Stromversorgungsarchitekturen.  
    Weitere Informationen: BCD

  • Leistungs-GaN

    Nutzung des breiten–Breitbandlücken-Vorteile von Galliumnitrid nutzen, unsere Leistungs GaN Technologien bieten eine hohe Leistungsdichte und hohe–Wirkungsgrad bei geringeren Verlusten und schnellerem Schalten, unterstützt durch flexible PDKs und Integrationsoptionen optimiert für nächste–Generation Stromversorgungssysteme.  
    Weitere Informationen: Power GaN

Skalieren Sie Ihre Designs mit unserem bewährten Partner-Ökosystem

Treiben Sie Ihre nächste Designinnovation voran, indem Sie mit unserem globalen Partnernetzwerk zusammenarbeiten, das sich bei unseren BCD- und Leistungs-GaN-Technologien bewährt hat und genau auf Ihre Design- und Anwendungsanforderungen zugeschnitten ist.

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Häufig gestellte Fragen

  • Unsere BCD-Technologien werden in unseren Werken in Malta, Dresden und Singapur im 300-mm-Format hergestellt, wobei in Burlington und Singapur zusätzlich im 200-mm-Format produziert wird.
  • Unsere GaN-Leistungstechnologien werden in unserem bewährten 200-mm-Werk in Burlington hergestellt.

Unsere BCD-Bauteile erfüllen strenge Automobilstandards (Auto Grade 0 und 1), wobei sowohl BCD als auch GaN nach JEDEC- sowie Rechenzentrums- und Industriestandards* zertifiziert sind.

*Die Zertifizierungen können je nach Verfahrenstechnik variieren

  • Unsere BCD-Technologien unterstützen einen Betriebsbereich von 5 V bis 150 V, wobei Hochspannungs-BCD-Lösungen eine Deep-Trench-Isolation von bis zu 200 V bieten.
  • Unser sich ständig weiterentwickelndes GaN-Portfolio ist darauf ausgerichtet, Lösungen für die Mittel- und Hochspannungs-Stromumwandlung anzubieten, um Lösungen für Stromversorgungsanwendungen im Verbraucher- und Industriebereich bereitzustellen.

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