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Erzielen Sie hocheffiziente Konnektivität für Hochgeschwindigkeits- und drahtlose Geräte. Unser HF-Portfolio bietet optimierte Leistung, power und Signalintegrität für HF-Anwendungen in den Bereichen Verbraucherelektronik, Infrastruktur und Konnektivität. Durch kontinuierliche Innovation erweitern wir die Grenzen der HF-Leistung, um die Entwicklung von 5G und die Anforderungen an die KI-gesteuerte Konnektivität der nächsten Generation zu unterstützen.

Führend in Sachen HF-Leistung, power Zuverlässigkeit

  • Hoher Wirkungsgrad

    Optimierte Leistung und Signalintegrität über den gesamten Frequenzbereich von Sub-6-GHz bis hin zu Millimeterwellen

  • Flexibilität bei der Integration

    Von RF-SOI hochintegrierte Frontends über GaN-on-Silicon (GaN-on-Si) für power bis hin zu hochintegrierten HF-, Analog- und Digitaldesigns mit SiGe

  • Hohe Frequenz & Bandbreite

    HF-Technologien mit für mmWave optimiertem Back-End-of-Line (BEOL) für ausgewählte RF-SOI , branchenführende ft/fmax-Werte bei SiGe RF GaN mit großer Bandlücke

  • Vielseitigkeit bei der Anwendung

    Von der Stromversorgung hochwertiger Smartphones über Satellitenterminals und Hochgeschwindigkeitsnetzwerke in Rechenzentren bis hin zu modernen Radar- und Sensorsystemen

  • Innovative HF-Lösungen

    Die Grenzen der HF-Leistung erweitern – von RF-SOI (3DI) für eine optimale Flächeneffizienz über fortschrittliche SiGe Architekturen bis hin zu neuartigen GaN-Materialien

  • Vielfältige Fertigung

    Produktion an mehreren Standorten für RF-SOI SiGe in den USA und Singapur sowie bewährte Fertigung von RF GaN unserem Werk in Burlington, Vermont

Ausgewählte Technologien

  • RF GaN

    Durch die Nutzung der GaN-on-Silicon-Technologie (GaN-on-Si) machen wir uns die Vorteile der großen Bandlücke von GaN zunutze, um leistungsstarke, effiziente HF-Lösungen in kompakteren Bauformen im kommerziellen Maßstab für power , SATCOM-Systeme und HF-Anwendungen über einen breiten Frequenzbereich bereitzustellen.
    Weitere Informationen: RF GaN

  • RF-SOI

    Unsere bewährten RF-SOI mit teilweiser Verarmung sind auf geringe HF-Verluste, hohe Linearität für HF-Schalt- und Abstimmvorgänge sowie hochintegrierte Front-End-Fähigkeiten optimiert und ermöglichen so verlustarme, hochintegrierte HF-Front-End-Designs in großem Maßstab.
    Weitere Informationen: RF-SOI

  • SiGe

    Unsere leistungsstarken SiGe bieten die perfekte Balance zwischen Leistung und power . Mit branchenführenden ft/fmax-Werten und integrierten HF-, Analog- und Digitalfunktionen ermöglichen unsere SiGe außergewöhnliche Geschwindigkeit, Linearität und Signalintegrität für drahtlose, optische und Infrastruktur-Anwendungen.
    Weitere Informationen: SiGe

Skalieren Sie Ihre Designs mit unserem bewährten Partner-Ökosystem

Nutzen Sie unser globales Partner-Ökosystem mit bewährter Expertise in den Bereichen IP, EDA und Design-Dienstleistungen für unsere HF-Prozesstechnologien, um die Entwicklung vom Konzept bis zur Produktion zu beschleunigen.

  • ASIC Nord
  • Falcomm
  • Verisilicon
  • Siemens
  • Kadenz
  • Zusammenfassung
  • EnSilica
  • Innosilicon
  • CoreHW
  • Bewährter Semi
  • WeASIC
  • Keysight
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Häufig gestellte Fragen

Wir bieten ein umfassendes HF-Portfolio, das auf unterschiedliche Anforderungen hinsichtlich Leistung, power Integration zugeschnitten ist, je nachdem, welche Prioritäten Ihre Anwendung hat.

  • RF-SOI verlustarme, hochlineare und rauscharme HF-Leistung in großem Maßstab für die HF-Schaltung und -Abstimmung in Mobilfunk- und Konnektivitätsanwendungen.
  • SiGe das perfekte Gleichgewicht zwischen Leistung und power für hochfrequente, schnelle Analog- und Mixed-Signal-Schaltungen.
  • RF GaN eine power und hocheffiziente HF-Leistung für anspruchsvolle Anwendungen in den Bereichen drahtlose Infrastruktur und Sensorik.

Ja. Wir bieten MPW-Prototyping für alle unsere Technologieplattformen an, darunter RF-SOI, SiGe RF GaN.

Erfahren Sie mehr über unser GlobalShuttle™ MPW-Programm und sehen Sie sich die kommenden Fahrpläne an.

Unsere HF-Technologien werden durch eine breit gefächerte, an mehreren Standorten verteilte Produktionspräsenz unterstützt:

  • RF-SOI: Fertigung an mehreren Standorten in unseren Werken in Malta, Burlington und Singapur
  • SiGe: Fertigung an mehreren Standorten in unseren Werken in Malta, Burlington und Singapur
  • RF GaN: Bewährte Fertigung in den USA in unserem Werk in Burlington

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