Technologien
RF GaN
Das Nonplusultra in Sachen power und Effizienz
Durch die Nutzung der hohen Elektronenbeweglichkeit, der geringen Kapazität und der Eigenschaften der breiten Bandlücke von GaN bieten wir leistungsstarke, effiziente HF-Lösungen in kompakteren Bauformen an, die für power , SATCOM-Systeme und HF-Anwendungen mit breitem Frequenzbereich optimiert sind.
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Hervorragende Verstärkung in den Frequenzbändern FR1 und FR3
Hohe power bei außergewöhnlichem Wirkungsgrad für Plattformen power
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power zu 70 % Leistungsausbeute (PAE)
Eine höhere HF-Effizienz trägt dazu bei, power und die Wärmeabgabe zu senken und so eine konstante Leistung zu gewährleisten
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Geräte im D-Modus
Ermöglicht den Betrieb mit 12–28 V und 1–15 GHz fürpowerHochfrequenz-HF-Anwendungen in der Infrastruktur
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Geräte im E-Modus
Ermöglicht die nahtlose Integration in HF-Module, die eine positive Gate-Versorgungsspannung erfordern
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power von bis zu 5 W/mm
Erzielen Sie mehr power weniger Bauteilen, wodurch die Systemkomplexität und Platzbedarf und die thermische Belastung beipower
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CMOS-kompatibel
Kompatibel mit CMOS-Silizium-HF- und Mixed-Signal-Integration für skalierbare Systemdesigns und langfristige Herstellbarkeit
RF GaN im Überblick
Wir entwickeln ein umfassendes RF GaN für Nieder- und Hochspannungsanwendungen. Unsere RF GaN sind für raue Umgebungen ausgelegt und bieten eine herausragende HF-Leistung sowie power durch skalierbare Optionen, die den vielfältigen HF-Anforderungen in Verbraucher- und Industrieanwendungen gerecht werden.
Unsere für D-Mode-Bauelemente entwickelte RF GaN ist fürpower in derpower Infrastruktur optimiert – sie bietet power von bis zu 5 W/mm, einen PAE von bis zu 70 % und einen Betriebsbereich von 12–28 V im Frequenzbereich von 1–15 GHz.
Unsere in Zusammenarbeit mit Finwave Semiconductor entwickelte RF GaN für den Niederspannungsbereich, die für E-Mode-Bauteile konzipiert ist, ist für intelligente mobile und Verbraucher-HF-Anwendungen optimiert.
Häufig gestellte Fragen
RF GaN eine überragende Ausfallsicherheit in anspruchsvollen Umgebungen und zeichnet sich durch power höhere power , Effizienz und thermische Leistung aus, sodass mit weniger Bauteilen die gleiche power geringerem Platzbedarf erzielt werden kann.
Bei HF-Anwendungen bietet GaN power höhere power und Effizienz bei höheren Frequenzen – was kleinere, leichtere und power HF-Konstruktionen ermöglicht.
Unsere RF GaN basiert auf GaN-on-Si und nutzt goldfreie, CMOS-kompatible Prozesse, um eine skalierbare Fertigung und eine nahtlose Integration in Silizium-Ökosysteme zu ermöglichen. Diese einzigartige Integration ermöglicht eine kommerzielle Massenproduktion, Kosteneffizienz und Kompatibilität mit unserer bewährten RF-Fertigungsinfrastruktur.
Wir bieten sowohl Hochspannungs-D-Mode- als auch Niederspannungs RF GaN für HF-Anwendungen im Infrastruktur- und Consumer-Bereich an. Dank dieser Spannungsflexibilität können Entwickler die optimale RF GaN entsprechend ihren Anforderungen an power, Wirkungsgrad und Systemkonfiguration auswählen.
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