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RF GaN

Schöpfen Sie mit unseren RF GaN das volle Potenzial an power Effizienz aus – und profitieren Sie von kostenoptimierten Lösungen mitpower und Leistung bei kompakterer Bauweise.

Mit RF GaN die Revolution der drahtlosen Konnektivität vorantreiben

Die Zahl der vernetzten Geräte nimmt zu, und der Datenverkehr wächst rasant. Materialien mit großer Bandlücke wie Gallium Nitrid (GaN) ermöglichen power höhere power, Effizienz und einen Betrieb bei höheren Frequenzen in anspruchsvollen Anwendungen. Unsere RF GaN sind in einzigartiger Weise dafür geeignet, die die in kommerziell umsetzbare Lösungen umzusetzen und die Grenzen der bestehenden Infrastruktur zu überwinden.

  • Vorteile von GaN-on-Si

    Wir nutzen auf einzigartige Weise die GaN-auf-Silizium-Integration (GaN-on-Si), um das kommerzielle Potenzial von GaN auszuschöpfen – und ermöglichen so eine kostengünstige Massenfertigung.

  • Hohe HF-Leistung

    Die hervorragende Verstärkung und Effizienz in den Frequenzbändern FR1 und FR3 ermöglicht leistungsstarke, power Lösungen sowohl für Geräte im D-Modus als auch im E-Modus.

  • Hohe power

    Unser RF GaN überragende HF-Leistung sowohl für D-Mode- als auch für E-Mode-Bauelemente und ermöglicht es Entwicklern, power, Wirkungsgrad und Linearität zu optimieren.

  • Thermische Zuverlässigkeit

    Entwickelt, um die thermischen Herausforderungen zu bewältigen, die mit dempower einhergehen, und um eine konstante Leistung in anspruchsvollen Anwendungen zu gewährleisten.

  • Bewährte Fertigung in den USA

    Unser zertifiziertes Werk in Burlington, Vermont, ist die Heimat branchenführender RF-SOI SiGe und bietet bewährte, robuste Prozesssteuerungen sowie fortschrittliche Backend-Integration mit Kupfer.

  • Gestützt auf unsere bewährte Führungsrolle im Bereich HF

    Aufbauend auf unserer jahrzehntelangen RF-Expertise bietet unsere RF GaN robuste PDKs mit RF-Modellen, GlobalShuttle™-MPW -Programmdurchläufe und dedizierte Tapeouts.

RF GaN im Überblick

Wir entwickeln ein umfassendes RF GaN für Nieder- und Hochspannungsanwendungen. Unsere RF GaN sind für raue Umgebungen ausgelegt und bieten eine herausragende HF-Leistung sowie power durch skalierbare Optionen, die den vielfältigen HF-Anforderungen in Verbraucher- und Industrieanwendungen gerecht werden.

Unsere für D-Mode-Bauelemente entwickelte RF GaN ist fürpower in derpower Infrastruktur optimiert – sie bietet power von bis zu 5 W/mm, einen PAE von bis zu 70 % und einen Betriebsbereich von 12–28 V im Frequenzbereich von 1–15 GHz.

Unsere in Zusammenarbeit mit Finwave Semiconductor entwickelte RF GaN für den Niederspannungsbereich, die für E-Mode-Bauteile konzipiert ist, ist für intelligente mobile und Verbraucher-HF-Anwendungen optimiert.

RF GaN

Intelligente mobile Geräte

Niederspannungs- und RF GaN bestens geeignet, um hochfrequente, hocheffiziente power (PAs) zu unterstützen und damit die Mobilfunkkonnektivität der nächsten Generation zu ermöglichen

Weitere Informationen: Intelligente Mobilgeräte
RF GaN

Häufig gestellte Fragen

RF GaN eine überragende Ausfallsicherheit in anspruchsvollen Umgebungen und zeichnet sich durch power höhere power , Effizienz und thermische Leistung aus, sodass mit weniger Bauteilen die gleiche power geringerem Platzbedarf erzielt werden kann.

Bei HF-Anwendungen bietet GaN power höhere power und Effizienz bei höheren Frequenzen – was kleinere, leichtere und power HF-Konstruktionen ermöglicht.

Unsere RF GaN basiert auf GaN-on-Si und nutzt goldfreie, CMOS-kompatible Prozesse, um eine skalierbare Fertigung und eine nahtlose Integration in Silizium-Ökosysteme zu ermöglichen. Diese einzigartige Integration ermöglicht eine kommerzielle Massenproduktion, Kosteneffizienz und Kompatibilität mit unserer bewährten RF-Fertigungsinfrastruktur.

Wir bieten sowohl Hochspannungs-D-Mode- als auch Niederspannungs RF GaN für HF-Anwendungen im Infrastruktur- und Consumer-Bereich an. Dank dieser Spannungsflexibilität können Entwickler die optimale RF GaN entsprechend ihren Anforderungen an power, Wirkungsgrad und Systemkonfiguration auswählen.

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