Technologien

Power

Unsere GaN-Lösungen ( power ) wurden entwickelt, um den steigenden Anforderungen an höhere Effizienz, power und Kompaktheit für die nächste Generation von power gerecht zu werden.

Power : kleiner, schneller, kühler

Da die Anforderungen an Größe, Geschwindigkeit und Temperatur steigen, nneue Materialien wie GaN entscheidend, um zukunftssichere power . Durch die Nutzung GaN breiten Bandlücken und der hohen Elektronenbeweglichkeit nutzen unsere pLeiter GaN sind bestens positioniert, um eine Vorreiterrolle einzunehmen, indem sie kleinere, effizientere power mit geringerem Energieverlust und schnellerem Betrieb im kommerziellen Maßstab.

  • Vorteil der großen Bandlücke

    Geringere Ausgangsladung, keine Rücklaufladung und geringere Gate-Ladung ermöglichen geringere Energieverluste und höhere Spitzenschaltgeschwindigkeiten

  • Differenzierte Integration

    Monolithische Integration auf GaN und die Möglichkeit, GaN mit unseren führenden BCD-Lösungen zu integrieren

  • Bewährte Fertigung in den USA

    Das Werk von GF in Burlington, Vermont, ist die einzige 200-mm-Produktionsstätte in den USA, die sich auf die Herstellung von GaN-on-Silicon spezialisiert hat

  • Schnellere Einführung von GaN

    Validierungs- und Entwicklungsdienstleistungen auf Anwendungsebene, damit Sie Ihre Lösung in dem von Ihnen gewünschten Tempo entwickeln können

  • Geringerer Aufwand für die Metallisierung

    Bond-over-Active (BOA) und Kupfer-Back-End-of-Line (BEOL) tragen dazu bei, parasitäre Effekte zu reduzieren, die thermische Leistung zu verbessern und die Zuverlässigkeit vonpower zu steigern

  • Geringerer Platzbedarf

    Der Betrieb mit hohen Schaltfrequenzen bei GaN ermöglicht den Einsatz kleinerer magnetischer und passiver Bauteile, wodurch Größe und Gewicht des Systems optimiert werden

Power im Überblick

Wir entwickeln ein umfassendes Portfolio an power für einen breiten Spannungsbereich, das flexible PDKs und eine Anpassung auf Bauteilebene umfasst, um Vielseitigkeit in Verbraucher- und Industrieanwendungen zu ermöglichen – von KI-gesteuerten Rechenzentren über Schnellladetechnologie und erneuerbare Energien bis hin zu intelligenten Mobilgeräten. Kontaktieren Sie uns, um mehr über Kooperationsmöglichkeiten zu erfahren.

Unsere Hochspannungs-GaN-Technologie bietet power wettbewerbsfähige power für industrielle Anwendungen.

Wir entwickeln 100-V-GaN-Halbleiter für den Mittelspannungsbereich, um power in ihrer Klasse führende power zu erreichen.

Power -Anwendungen Power

Automotive

Förderung hocheffiziente Bordladegeräte (OBCDs), Gleichstrom/Gleichstromwandler sowie 48-V- power für fortschrittliche Elektrofahrzeug-Architekturen (EV), einschließlich antriebsnaher Fahrzeugsubsysteme

Weitere Informationen: Automobilbranche

Rechenzentrum und Kommunikationsinfrastruktur

MVerringerung von Energieverschwendung und Verbesserung power bei AC/DC power , Zwischenbuswandlern (IBCs) und DC/DC-Wandlern – bei gleichzeitiger Unterstützung von 48-V-Point-of-Load- und Bus-Architekturen – für Hochleistungs- Computersysteme

Weitere Informationen: Rechenzentren und Kommunikationsinfrastruktur
Power

Häufig gestellte Fragen

Wir entwickeln ein umfassendes power , das auf Mittel- und Hochspannungslösungen abzielt und einen flexiblen Einsatz in einer Vielzahl von power ermöglicht.

Wir unterstützen power GaN Entwicklung mit robusten PDKs, System–Integrationsoptionen auf Systemebene, sowie Fertigungskompetenz Know-how , um Kunden dabei zu unterstützen, effizient vom Entwurf zur Produktion zu gelangen.

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