Technologien

RF-SOI

Bewährte RF-SOI-Technologien mit teilweiser Verarmung, die für geringe HF-Verluste und hohe Linearität beim Schalten und Abstimmen optimiert sind und hochintegrierte, verlustarme HF-Frontend-Designs in großem Maßstab ermöglichen.

Steigern Sie die HF-Leistung, die Signalstärke und die Zuverlässigkeit mit RF-SOI

Da HF-Frontends immer stärker integriert werden, sind HF-Lösungen, die die Signalintegrität auch unter beengten Platzverhältnissen gewährleisten, von entscheidender Bedeutung. Unsere RF-SOI-Technologien bieten geringe HF-Verluste, eine starke Signalisolierung, hohe Linearität für HF-Schalt- und Abstimmvorgänge sowie hochintegrierte Frontend-Fähigkeiten. Dank der Serienfertigung in großen Stückzahlen und der breiten Akzeptanz ermöglichen unsere RF-SOI-Lösungen eine effiziente Konnektivität über große Signalreichweiten hinweg.

  • Geringer HF-Verlust, starke Signalisolierung

    RF-SOI-Substrate mit hohem spezifischem Widerstand und die Vorteile der vergrabenen Oxidschicht minimieren HF-Verluste und Kopplung und sorgen so für eine hervorragende Signalintegrität und Isolation in dichten Multiband-Umgebungen.

  • Hochintegrierte HF-Frontend-Fähigkeit

    GF RF-SOI ermöglicht eine kompakte, skalierbare Integration von HF-Schaltern und Front-End-Bausteinen und unterstützt damit effiziente HF-Front-End-Implementierungen im Sub-6-GHz-Bereich und darüber hinaus* (*abhängig von der RF-SOI-Prozesstechnologie).

  • Hohe Linearität für HF-Schaltung und -Abstimmung

    Speziell entwickelte Substrate und isolierte Bauelementarchitekturen ermöglichen eine hohe Linearität und eine höhere Belastbarkeit für Schalt- und Abstimmfunktionen.

Branchenführende RF-SOI-Technologien

Entdecken Sie unser umfangreiches Portfolio an bewährten RF-SOI-Technologien, die speziell darauf ausgelegt sind, vielfältige Anforderungen hinsichtlich der Integration, Leistung und Anwendungsbereiche im RF-Frontend-Bereich zu erfüllen.

Unsere XSW-Prozesstechnologien sind für leistungsstarke HF-Schaltanwendungen optimiert und bieten geringe Einfügungsdämpfung sowie hohe Isolation für HF-Frontend-Module in Großserienfertigung. Dank optimierter Ron·Coff-Werte durch fortschrittliche Schalterarchitekturen und Bauteilstapelung ermöglicht XSW den skalierbaren Einsatz in intelligenten Mobil- und Konnektivitätsanwendungen. Die XSW-Familie umfasst unsere bewährte 8SW-Technologie sowie die 9SW-Technologie der neuesten Generation mit fortschrittlichen Integrationsoptionen wie der SLATE™ -Wafer-to-Wafer-Bonding-Technologie bei 9SW.

Unsere bewährte 130NSX-Prozesstechnologie ermöglicht integrierte HF-Schalter- und LNA-Implementierungen, die für den HF-Betrieb mit großer Reichweite und eine hohe Empfängerempfindlichkeit optimiert sind. NSX wurde für Frontends im Ku- und Ka-Band entwickelt und unterstützt LNAs und Bodenstationen, bei denen rauscharme Leistung und die Wahrung des Link-Budgets entscheidend sind, wodurch es sich hervorragend für Infrastruktur- und SATCOM-Empfangspfadanwendungen eignet.

Unsere mmWave-Prozesstechnologien sind für die Integration von HF-Frontends im Millimeterwellenbereich (mmWave) optimiert und speziell für FR2-5G, SATCOM, Beamformer und Phased-Array-Architekturen entwickelt. Die mmWave-Technologien von GF erzielen mmWave-Benchmark-Leistung im Ka-Band und bieten mmWave-optimierte BEOL-Optionen zur Reduzierung von Störgrößen und zur Wahrung der Hochfrequenz-Signalintegrität, einschließlich der bewährten 45RF-SOI- und 45RFE-Technologien.

Reduzierung der effektiven Gesamtfläche durch die SLATE™ -Wafer-zu-Wafer-Bonding-Technologie

Unsere SLATE™ -Wafer-zu-Wafer-Bonding-Technologie ist bestens geeignet, eine entscheidende Rolle bei der Weiterentwicklung der 3D-Integration (3DI) zu spielen, indem sie hochintegrierte, gestapelte Wafer-Designs ermöglicht. Dank einer optimierten Designmethodik innerhalb unserer Prozessdesign-Kits (PDKs) ermöglicht unsere SLATE-Wafer-zu-Wafer-Bonding-Technologie Designern, den Platzbedarf auf der HF-Platine und die gesamte Schaltfläche zu reduzieren. Dies ermöglicht die Entwicklung kompakter, leistungsstarker Lösungen, die die HF- und Batterieleistungsanforderungen von Anwendungen der nächsten Generation mit begrenztem Platzangebot erfüllen – einschließlich smarter Mobilgeräte.

RF-SOI-Anwendungen

Luft- und Raumfahrt sowie Verteidigung

Unterstützt moderne Frontends für Satelliten- und terrestrische Kommunikation sowie Radar- und Millimeterwellen-Beamformer – ermöglicht leistungsstarke Millimeterwellen-Frontends mit hoher Signalintegrität, die sich besonders für Funk-, Sensor- und SATCOM-Systeme eignen, bei denen Zuverlässigkeit und Isolation von entscheidender Bedeutung sind

Weitere Informationen: Luft- und Raumfahrt sowie Verteidigung

Rechenzentrum und Kommunikationsinfrastruktur

Zuverlässige HF-Leistung und starke Signalisolierung ermöglichen den skalierbaren Einsatz von HF-Frontends in verschiedenen Anwendungen der Kommunikationsinfrastruktur, darunter WLAN- und Bluetooth-Chipsätze, Mobilfunknetze wie LTE, 4G und 5G sowie SATCOM-Bordterminals und Beamformer

Weitere Informationen: Rechenzentren und Kommunikationsinfrastruktur

Intelligente mobile Geräte

Ermöglicht stromsparende, leistungsstarke HF-Frontends für intelligente Mobilgeräte und unterstützt HF-Frontends für Mobilfunk (5G) und WLAN sowie HF-Schalter und Antennentuner. Dank seiner breiten Anwendung in Premium-Smartphones ermöglicht RF-SOI eine kompakte Integration, effizientes HF-Schalten und skalierbare Frontend-Architekturen

Weitere Informationen: Intelligente Mobilgeräte

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