Die branchenweit erste komplementäre BiCMOS-Hochleistungstechnologie bietet Leistungs- und power für wichtige Märkte und Anwendungen
SANTA CLARA, Kalifornien, 28. August 2025 – GlobalFoundries (GF) (Nasdaq: GFS) gab heute auf seinem jährlichen Technology Summit in Kalifornien die Serienreife seiner 130-nm-Complementary-Bi-CMOS-Plattform (CBIC) bekannt, der bislang leistungsstärksten Silizium-Germanium-Technologie (SiGe) des Unternehmens.
130CBIC ist ab sofort mit einem Prozessdesign-Kit (PDK) für die Entwicklung verfügbar und bietet eine unübertroffene Leistung mit NPN-Transistoren, die 400 GHz ft/fmax überschreiten, und PNP-Transistoren, die 200 GHz übersteigen – damit ist es die einzige leistungsstarke SiGe , die mehrere Schlüsselmärkte abdeckt, darunter Smartphones, drahtlose Infrastruktur, optische Netzwerke, Satellitenkommunikation und industrielles IoT.
Der 130CBIC wurde im GF-Werk in Burlington, Vermont, entwickelt und hergestellt und ist darauf optimiert, die Grenzen der HF-Leistung in vernetzten Anwendungen zu erweitern und gleichzeitig die Kosten zu senken. Für Mobilfunk-Smartphones ermöglicht die Plattform rauscharme Verstärker (LNAs), die den Stromverbrauch senken und gleichzeitig eine extrem niedrige Rauschzahl beibehalten, was dazu beiträgt, den Batterieverbrauch zu reduzieren. Im Rechenzentrum ermöglichen die leistungsstarken PNP-Transistoren der Plattform innovative Verstärkertopologien, die eine hohe Verstärkungsbandbreite bei geringerem power schnelle analoge und optische Netzwerke bieten. Die Plattform unterstützt zudem fortschrittliche industrielle Millimeterwellen-Radaranwendungen mit Frequenzen über 100 GHz und ermöglicht so hochauflösende Sensorik und Entfernungsmessung bei kompakter Bauweise.
„130CBIC stellt einen wichtigen Meilenstein in unserer SiGe dar und setzt neue Maßstäbe in Sachen Leistung für das breite Spektrum wachstumsstarker Märkte, die auf fortschrittliche HF-Technologien für schnelle und energieeffiziente Konnektivität angewiesen sind“, sagte Shankaran Janardhanan, Senior Vice President der HF-Produktlinie bei GF. „Durch die Kombination branchenführender Transistorleistung mit einem Prozess mit geringer Maskenanzahl eröffnen wir unseren Kunden auf breiter Front neue Wege der HF-Innovation und ermöglichen es ihnen, neue Technologien schneller auf den Markt zu bringen.“
Der 130CBIC ist für das Prototyping über das GlobalShuttle-Multiprojekt-Waferprogramm von GF verfügbar, wobei Shuttles bis 2025 und 2026 geplant sind. RF-Referenzdesigns sind über das Self-Service-Portal GF Connect verfügbar, um den Designprozess zu beschleunigen.
Über GF
GlobalFoundries (GF) ist ein führender Hersteller von Halbleitern, auf die sich die Welt im Alltag, bei der Arbeit und bei der Vernetzung verlässt. Wir entwickeln innovative Lösungen und arbeiten eng mit unseren Kunden zusammen, um power und leistungsstärkere Produkte für die Automobilindustrie, intelligente Mobilgeräte, das Internet der Dinge, die Kommunikationsinfrastruktur und andere wachstumsstarke Märkte bereitzustellen. Mit unseren Produktionsstätten in den USA, Europa und Asien ist GF ein vertrauenswürdiger und zuverlässiger Partner für Kunden auf der ganzen Welt. Jeden Tag liefert unser talentiertes globales Team Ergebnisse mit einem unerschütterlichen Fokus auf Sicherheit, Langlebigkeit und Nachhaltigkeit. Weitere Informationen finden Sie unter www.gf.com.
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Stephanie Gonzalez
