Technologien
FDX™ FD-SOI
Entwickelt für intelligente Lösungen am Netzwerkrand
Unsere in der Serienfertigung bewährte FDX-Prozesstechnologie ist seit 2019 die fortschrittlichste Planartechnologie in der Massenproduktion und bietet führende Vorteile in den Bereichen HF, Leistung, Performance und Fläche.
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Zugriff auf über 700 qualifizierte IP-Adressen
Umfassende IP-Lösungen für Basis-ICs, Analog-ICs, komplexe I/O-ICs, HF-ICs, eNVM-ICs, ABB-ICs und Power-Management-ICs
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Das branchenweit erste Ökosystem für Back-Biasing
Das erste und einzige Back-Biasing-Ökosystem ermöglicht ABB ohne den Einsatz spezieller EDA-Tools
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3,3-V- und 5-V-Ein- und Ausgänge (I/Os)
Entwicklung integrierter, kompakter SoCs
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<0.5pA/cell SRAM, <0.4vdd ULP
Höchste Rechenleistung bei minimalem Stromverbrauch
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Transistoren für Spannungen bis zu 25 V
Flexible Integration von Hochspannungs- und Logikfunktionen auf einem einzigen Chip
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>350 GHz fT und >400 GHz fmax
HF-Transistoren für erstklassige mmWave-SoCs und MMICs, die Konnektivität über große Entfernungen und hochauflösende Sensorik ermöglichen
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Bis zu 100 % Leistungs- und Energieeffizienzsteigerung
Möglich gemacht durch die adaptive/vorwärtsgerichtete Karosserieausrichtung von FDX
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Für den Einsatz im Automobilbereich bis 150 °C geeignet
Langlebiger Betrieb und hohe Lebensdauer in anspruchsvollen Umgebungen
Umfassende, individuell anpassbare Erweiterungen für Ihre Anforderungen
Nutzen Sie unsere FDX-Prozesstechnologie und die ständig wachsende Palette an Funktionserweiterungen, um die Speicher-, Spannungs- oder Analoglösung auszuwählen, die Ihren Anwendungsanforderungen am besten entspricht.
Eine hochwertige, in Fahrzeuge integrierte nichtflüchtige Speicherlösung (eNVM) der Klasse 1, die sich durch überragende Leistung mit hohen Lese- und Schreibgeschwindigkeiten sowie außergewöhnliche Zuverlässigkeit auszeichnet – mit einer Lebensdauer von über 500.000 Zyklen und einer Datenspeicherdauer von 20 Jahren bei 150 °C.
Kosteneffiziente, BEOL-kompatible Integration, die intern auf der bewährten OxRAM-Technologie basiert und sich durch optimierte Schreibleistung*, extrem niedrigen Stromverbrauch bei Lesevorgängen, nachgewiesene Skalierbarkeit (unter 10 ppm), 3D-Integrationsfähigkeit und vollständige Störfestigkeit gegenüber Umgebungsfeldern auszeichnet.
*im Vergleich zu eFlash
Flexible Spannungsunterstützung (bis zu 25 V), SRAM für anspruchsvolle Display- und Hochleistungsanwendungen, digitaler Betrieb bei 0,65 V für geringeren dynamischen Stromverbrauch, Gate-First-Prozess mit 20–30 % geringerer Fehlanpassung für geringeren Platzbedarf und Stromverbrauch.
Verbesserte Optionen für HF-Bauteile ermöglichen eine verbesserte Rauschzahl, Linearität und Effizienz von Leistungsverstärkern (PAs) sowie eine in ihrer Klasse führende Leistung im Millimeterwellenbereich.
Hohe Lebensdauer und Zuverlässigkeit in Automobilqualität dank eMRAM
eMRAM ist aufgrund seiner thermischen Belastbarkeit, seiner schnellen Zugriffszeiten, seiner robusten Fehlerkorrektur und seiner langfristigen Zuverlässigkeit die am weitesten verbreitete eNVM-Lösung für anspruchsvolle, sicherheitskritische Anwendungen im Automobilbereich.
Aufbauend auf mehr als 15 Jahren Erfahrung in der Automobilfertigung nutzt unsere AutoPro150-eMRAM-Lösung die FDX-Prozesstechnologie, um Zuverlässigkeit in Automobilqualität in großem Maßstab zu gewährleisten – damit können Sie Geschwindigkeit, Stromverbrauch und Platzbedarf für Automobilanwendungen der nächsten Generation optimieren.
GF-Webinarreihe für Unternehmen: Die Entwicklung von Edge- bis hin zu physikalischer KI vorantreiben
Dieses Webinar zeigt, wie MIPS und unsere CMOS-Technologien die Entwicklung intelligenter, autonomer und vernetzter Geräte vorantreiben – von Edge- bis hin zu Physical-AI-Anwendungen.
Häufig gestellte Fragen (FAQ)
Unsere FDX-Technologie bietet integrierte Speicherlösungen für MRAM und RRAMund ermöglicht so eine nichtflüchtige Datenspeicherung bei geringem Stromverbrauch und schnellem Zugriff und verbesserter Systemeffizienz.
Die Wahl hängt von den Prioritäten Ihrer Anwendung ab. Wenn Ihr Design höchste Leistung, hohe Lebensdauer und langfristige Zuverlässigkeit erfordert, ist MRAM die bevorzugte Option. Für Anwendungen, bei denen eine effiziente Integration in Serienfertigungen im Vordergrund steht, bietet RRAM eine flexible und kostengünstige Lösung.
FDX wurde entwickelt, um Kosteneffizienz auf Systemebene zu erzielen, indem es einen Betrieb mit geringerem Stromverbrauch, eine höhere Integration und eine geringere Designkomplexität ermöglicht, was dazu beitragen kann, die Produktionskosten durch kleinere Chipgrößen und vereinfachte Systemarchitekturen auszugleichen.
FDX nutzt standardmäßige CMOS-Entwurfsabläufe und erfordert keine speziellen EDA-Tools. Dank unseres robusten IP-Ökosystems und der einzigartigen Unterstützung für Body-Biasing ermöglicht FDX eine vereinfachte Einführung, einen optimierten Entwurfsprozess und eine schnellere Markteinführung.
Ja. Wir investieren weiterhin aktiv in unsere branchenführende FDX-Plattform und bauen diese aus, wobei wir kontinuierlich neue Funktionen hinzufügen und das Ökosystem stetig erweitern.
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