Technologien

FDX™ FD-SOI

Unsere branchenführende FDX-Plattform auf Basis von Fully Depleted Silicon-on-Insulator (FD-SOI) wurde speziell für intelligente Anwendungen am Netzwerkrand entwickelt und bietet beispiellose Energieeffizienz sowie anpassungsfähige Leistung, um stets aktive, intelligente Geräte zu unterstützen.

Mit FDX erzielen Sie einen geringeren Energieverbrauch und eine höhere Integration

Der Bedarf an reaktionsschnellen Echtzeiterlebnissen für die nächste Generation intelligenter Systeme wächst stetig. FDX-Lösungen bieten nachweislich kompromisslose Energieeffizienz, anpassungsfähige Leistung und eine robuste Palette anwendungsoptimierter Erweiterungen für mehr Designfreiheit. So können Sie Lösungen für Verbraucher- und Industrieanwendungen am Edge und darüber hinaus realisieren.

  • Spitzenleistung im RF-/mmWave-Bereich

    Dank führender Front-End- und Back-End-Funktionen wird eine sichere drahtlose Verbindung über große Entfernungen bei verbesserter power ermöglicht

  • Extrem niedrige Spannung und Leckstrom

    Nutzen Sie die FD-SOI-typischen Vorteile hinsichtlich des Leckstroms durch die Option für den Ultra-Low-Voltage-Betrieb (ULV) sowie Ultra-Low-Leakage-Logik (ULL) und SRAM

  • Adaptive body biasing (ABB)

    Nutzen Sie die architektonischen Vorteile von FD-SOI, um Leistung und Energieeffizienz dynamisch zu optimieren und dabei von einer größeren Designflexibilität zu profitieren

  • Flexibler Funktionsumfang

    Eine robuste, anwendungsoptimierte Suite von Erweiterungen, einschließlich Optionen in Automobilqualität, Lösungen mit eingebettetem nichtflüchtigem Speicher (eNVM), flexibler Spannungsunterstützung und KI-Toolkits

  • Zuverlässigkeit in der Fertigung

    Lieferung von ICs für die Flaggschiffprodukte globaler Tier-1-Unternehmen, mit Produktion an mehreren Standorten in zertifizierten Werken in Malta, New York und Dresden

  • Advanced packaging

    Unterstützung für die „ advanced packaging “-Integration mit bewährtem Wafer-Warpage-Management, prototypentauglichen Through-Silicon-Vias (TSVs) und Bonding-Fabric für die 2,5/3D-Integration

Die Zukunft von FD-SOI für „ Physical AI “: FDX Fusion

FDX Fusion wurde so konzipiert, dass es nach seiner Fertigstellung die weltweit fortschrittlichste FD-SOI-Technologie sein wird, und erweitert unsere FDX-Roadmap um fortschrittliche Funktionen in den Bereichen Digital, HF, Analog, Mixed-Signal, Speicher und Low-Power. Unsere FDX-Fusion-Plattform, die eine digitale Leistung im 7-Nanometer-Bereich, eine mehr als doppelt so hohe Dichte im Vergleich zur FDX-Technologie der ersten Generation sowie eine HF-Leistung von bis zu 0,5 THz ft/fmax bieten soll, wurde speziell für die nächste Generation von „ Physical AI “-Workloads entwickelt. Kontaktieren Sie uns, um mehr über die geplante Verfügbarkeit zu erfahren.

Weitere Informationen: Die Zukunft von FD-SOI für „ Physical AI “: FDX Fusion

Umfassende, individuell anpassbare Erweiterungen für Ihre Anforderungen

Nutzen Sie unsere FDX-Prozesstechnologie und die ständig wachsende Palette an Funktionserweiterungen, um die Speicher-, Spannungs- oder Analoglösung auszuwählen, die Ihren Anwendungsanforderungen am besten entspricht.

Eine hochwertige, in Fahrzeuge integrierte nichtflüchtige Speicherlösung (eNVM) der Klasse 1, die sich durch überragende Leistung mit hohen Lese- und Schreibgeschwindigkeiten sowie außergewöhnliche Zuverlässigkeit auszeichnet – mit einer Lebensdauer von über 500.000 Zyklen und einer Datenspeicherdauer von 20 Jahren bei 150 °C.

Kosteneffiziente, BEOL-kompatible Integration, die intern auf der bewährten OxRAM-Technologie basiert und sich durch optimierte power, extrem niedrigen power bei Lesevorgängen, nachgewiesene Skalierbarkeit (unter 10 ppm), 3D-Integrationsfähigkeit und vollständige Störfestigkeit gegenüber Umgebungsfeldern auszeichnet.

*im Vergleich zu eFlash

Flexible Spannungsunterstützung (bis zu 25 V), SRAM für anspruchsvolle Display- undpower , digitaler Betrieb bei 0,65 V für geringeren dynamischen power, Gate-First-Prozess mit 20–30 % geringerer Fehlanpassung für geringeren Platzbedarf und power.

Verbesserte Optionen für HF-Bauteile ermöglichen eine verbesserte Rauschzahl, Linearität und Effizienz power (PAs) sowie eine in ihrer Klasse führende Leistung im Millimeterwellenbereich.

Hohe Lebensdauer und Zuverlässigkeit in Automobilqualität dank eMRAM

eMRAM ist aufgrund seiner thermischen Belastbarkeit, seiner schnellen Zugriffszeiten, seiner robusten Fehlerkorrektur und seiner langfristigen Zuverlässigkeit die am weitesten verbreitete eNVM-Lösung für anspruchsvolle, sicherheitskritische Anwendungen im Automobilbereich.

Aufbauend auf mehr als 15 Jahren Erfahrung in der Automobilfertigung nutzt unsere AutoPro150-eMRAM-Lösung die FDX-Prozesstechnologie, um Zuverlässigkeit in Automobilqualität in großem Maßstab zu gewährleisten – damit können Sie Geschwindigkeit, power und Fläche für Automobilanwendungen der nächsten Generation optimieren.

Weitere Informationen: Hohe Lebensdauer und Zuverlässigkeit in Automobilqualität mit eMRAM

GF-Webinarreihe für Unternehmen: Die Entwicklung vom Edge bis zum Physical AI

Dieses Webinar zeigt, wie MIPS und unsere CMOS-Technologien die Entwicklung intelligenter, autonomer und vernetzter Geräte vorantreiben – von Edge- bis hin zu „ Physical AI “-Anwendungen.

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FDX-Anwendungen

Automotive

Unterstützung intelligenter Sensoren, Automobil-Prozessoren und Radar-SoCs, die für den Echtzeitbetrieb ausgelegt sind und anspruchsvolle Anforderungen an Sensorik und Datenverarbeitung mit branchenüblicher Zuverlässigkeit erfüllen

Weitere Informationen: Automobilbranche

IoT für Privathaushalte und Industrie

Bereitstellung von Lösungen für drahtlose Anwendungen, Mikrocontroller (MCUs) und HMI-Komponenten, einschließlich DDICs und ISPs, zur Unterstützung des Always-On-Betriebs (AON) und von „ Energieeffizienz “-Designs für vernetzte Geräte am Netzwerkrand

Weitere Informationen: IoT für Privathaushalte und Industrie

Smartphone Endgeräte

Unterstützt 5G-mmWave-Frontend-Module, Bildgebungsgeräte, DDICs, NFC und Secure Elements und ermöglicht so fortschrittliche, sichere Funktionen in kompakten Verbrauchergeräten

Weitere Informationen: Intelligente Mobilgeräte
FDX

Häufig gestellte Fragen (FAQ)

Unsere FDX-Technologie bietet integrierte Speicherlösungen für MRAM und RRAMund ermöglicht so eine nichtflüchtige Datenspeicherung bei geringem power und schnellem Zugriff und verbesserter Systemeffizienz.

Die Wahl hängt von den Prioritäten Ihrer Anwendung ab. Wenn Ihr Design höchste Leistung, hohe Lebensdauer und langfristige Zuverlässigkeit erfordert, ist MRAM die bevorzugte Option. Für Anwendungen, bei denen eine effiziente Integration in Serienfertigungen im Vordergrund steht, bietet RRAM eine flexible und kostengünstige Lösung.

FDX wurde entwickelt, um Kosteneffizienz auf Systemebene zu erzielen, indem es power geringerem power , eine höhere Integration und eine geringere Designkomplexität ermöglicht, was dazu beitragen kann, die Produktionskosten durch kleinere Chipgrößen und vereinfachte Systemarchitekturen auszugleichen.

FDX nutzt standardmäßige CMOS-Entwurfsabläufe und erfordert keine speziellen EDA-Tools. Dank unseres robusten IP-Ökosystems und der einzigartigen Unterstützung für Body-Biasing ermöglicht FDX eine vereinfachte Einführung, einen optimierten Entwurfsprozess und eine schnellere Markteinführung.

Ja. Wir investieren weiterhin aktiv in unsere branchenführende FDX-Plattform und bauen diese aus, wobei wir kontinuierlich neue Funktionen hinzufügen und das Ökosystem stetig erweitern.

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