Technologien
FinFET
Die branchenweit umfassendste FinFET-Lösung
Mit über 3 Millionen ausgelieferten Wafern seit 2015 hat sich unsere FinFET-Plattform in Verbraucher- und Industrieanwendungen als weltweit umfassendste und wettbewerbsfähigste FinFET-Lösung in der Produktion bewährt.
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Qualifikation der Stufe 1 im Bereich Kfz-Technik
Bis zu 150 °C für Zuverlässigkeit auf Industriestandard
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Bibliotheken mit einer einzigen Finne
Für einfachere, kleinere, leckagearme und zuverlässige Ein-/Ausgänge
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12-nm-PPA der nächsten Generation
Durch die Optimierung der Ecken auf unserer digitalen Plattform lassen sich power von bis zu 7–8 %, eine Leistungssteigerung von 3 % und eine Verringerung der Leckage um 20 % erzielen (im Vergleich zu den Benchmarks für 2025)
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Bis zu 30 % Bodenverdichtung
Im Vergleich zu 22-nm-Planar-Technologie und 7,5 T: branchenführende Werte bei Leistung, power und Fläche (PPA) für hohe Leistung und reduzierte Chipfläche
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Strahlungsresistenz durch konstruktive Maßnahmen
Die 3D-Architektur sorgt für eine höhere Widerstandsfähigkeit gegenüber der Gesamtionisationsdosis (TID) und geringere Soft-Error-Raten und gewährleistet so einen zuverlässigen Betrieb in rauen Umgebungen
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RF optimized for <15GHz applications
Mit geplanten Verbesserungen im Bereich HF
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Serienerprobte Einflosse
Optimiert für power geringeren power
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Kapazitätsdichte bis zu 43 fF/µm
Kompakte, leistungsstarke On-Chip-Kondensatoren
Umfassende, individuell anpassbare Erweiterungen für Ihre Anforderungen
Wir bieten Ihnen maßgeschneiderte Lösungen der nächsten Generation mit anwendungsorientierten Funktionserweiterungen. Ganz gleich, ob Sie eine höhere Ansteuerungsleistung oder power geringeren power benötigen – wir ermöglichen es Ihnen, auf unserer FinFET-Prozesstechnologie aufzubauen, um eine Lösung zu entwickeln, die genau auf Ihre Anwendungsanforderungen zugeschnitten ist.
Unsere AutoPro 150 FinFET-Lösungen sind für anspruchsvolle Automobilanwendungen der nächsten Generation optimiert und bieten eine verbesserte PPA-Leistung (im Vergleich zu branchenüblichen 16-nm-Lösungen für die Automobilindustrie) sowie eine Zertifizierung nach Auto Grade 1 (bis zu 150 °C) für einen zuverlässigen, langfristigen Betrieb.
Unsere HF-Optimierung ermöglicht power deutliche power und eine Verkleinerung der Chipfläche (im Vergleich zu 22-nm-Lösungen), bietet HF-Bauteile für integrierte power (PAs) und sorgt für eine überragende HF- und Analogleistung.
Our ULL enhancement offers improved energy efficiency with logic and SRAM power reduction, enabling longer battery life and lower standby power through a new ultra-high threshold voltage (UHVT) device for 10x reduction (<0.5pA/cell) and SRAM UHVT Iret for 30x reduction.
Häufig gestellte Fragen (FAQ)
Unsere FinFET-Prozesstechnologien unterstützen Designs der Kategorie „Auto Grade 1“ mit einem breiten Spektrum an bewährten, speziell auf Automobilanwendungen zugeschnittenen IP-Blöcken, darunter Logik-, Speicher-, Schnittstellen- und Analog-IP, um sicherheitskritische Anwendungen zu ermöglichen.
Die HF-optimierte Architektur unserer FinFETs bietet hohe Leistung, power und eine Reduzierung der Chipfläche für HF-Designs und unterstützt damit die modernen drahtlosen Anwendungen von heute.
Unsere FinFET-Prozesstechnologien werden in unserem zertifizierten Werk in Malta, New York, hergestellt und bieten eine sichere und bewährte Lösung, die den gesetzlichen Anforderungen der USA entspricht.
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