Technologien

FinFET

Wir nutzen die Vorteile der dreidimensionalen FinFET-Architektur, ihre hohe Transistordichte und Robustheit, um hohe Leistung, Flächeneffizienz, geringe Leckströme und niedrige Betriebsspannungen bei kompromissloser Energieeffizienz zu erzielen.

Mit FinFET erzielen Sie mehr Leistung und kompromisslose Energieeffizienz

Dank über einem Jahrzehnt Erfahrung in der Massenproduktion haben sich unsere FinFET-Prozesstechnologien in Verbraucher- und Industrieanwendungen bewährt. Gestützt auf unsere umfangreichen IP-Bibliotheken für Single-Fin- und Multi-Fin-Strukturen bieten wir die umfassendste FinFET-Lösung auf dem Markt und gewährleisten damit power kompromissloses power sowie hohe Leistungsfähigkeit.

  • Für den Einsatz im Automobilbereich geeignet

    Lösungen in Automobilqualität und ein umfangreiches Portfolio an für den Automobilbereich geeigneten IPs und Designressourcen

  • Maßstabsgetreu für HF-Anwendungen konstruiert

    HF-optimierte Merkmale bieten hohe Leistung, power und Platzersparnis

  • Bewährte Fertigung in den USA

    Nachgewiesene Großserienfertigung in unserem Werk in Malta, New York, vollständige PDKs und ein umfangreiches Angebot an IP-Komponenten, einschließlich Single-Fin-Bibliotheken

  • Führend power Sachen power

    Bis zu 20 % geringerer power der Logikkerne power zu Technologien der 22-nm-Klasse, extrem geringe SRAM-Leckströme (0,5 pA/Zelle bei HD-Speicherung) und integriertes 3, power

  • Umfassende Verbesserungen

    Es wurden weitere Integrationen hinzugefügt, darunter führende RF-, ULL- und LDMOS-Bauteile für universelle I/Os (GPIOs) mit geringem Leckstrom

  • Advanced packaging

    Einschließlich Through-Silicon-Vias (TSVs) zur Unterstützung der 2,5/3D-Integration, Interposer und der „ wafer-to-wafer “-Verbindung (W2W)

Umfassende, individuell anpassbare Erweiterungen für Ihre Anforderungen

Wir bieten Ihnen maßgeschneiderte Lösungen der nächsten Generation mit anwendungsorientierten Funktionserweiterungen. Ganz gleich, ob Sie eine höhere Ansteuerungsleistung oder power geringeren power benötigen – wir ermöglichen es Ihnen, auf unserer FinFET-Prozesstechnologie aufzubauen, um eine Lösung zu entwickeln, die genau auf Ihre Anwendungsanforderungen zugeschnitten ist.

Unsere AutoPro 150 FinFET-Lösungen sind für anspruchsvolle Automobilanwendungen der nächsten Generation optimiert und bieten eine verbesserte PPA-Leistung (im Vergleich zu branchenüblichen 16-nm-Lösungen für die Automobilindustrie) sowie eine Zertifizierung nach Auto Grade 1 (bis zu 150 °C) für einen zuverlässigen, langfristigen Betrieb.

Unsere HF-Optimierung ermöglicht power deutliche power und eine Verkleinerung der Chipfläche (im Vergleich zu 22-nm-Lösungen), bietet HF-Bauteile für integrierte power (PAs) und sorgt für eine überragende HF- und Analogleistung.

Our ULL enhancement enables longer battery life and lower standby power through advanced UHVT technology and optimized SRAM. Delivering up to 10x lower logic leakage and 30x lower SRAM retention leakage (<0.5 pA/cell), ULL is ideal for power-sensitive and always-on applications. Contact us to explore development opportunities.

Weiterentwicklung der Edge-KI mit Google Coral NPU und GF FFX3

Die Umsetzung eines offenen Standards in kommerzielles Silizium erfordert die Zusammenarbeit entlang der gesamten Halbleiter-Wertschöpfungskette. Google treibt die Entwicklung seiner Open-Source-Coral-NPU mit unserer FFX3 (12LP+)-Technologie voran und erzielt dabei über alle RTL-Iterationen hinweg eine um 70 % schnellere Kern-Timing-Leistung sowie eine Reduzierung der Standardzellenfläche um bis zu 15 %, wobei zusätzliche Energiesparfunktionen für die Matrix Execution Unit derzeit evaluiert werden. Lesen Sie den Blogbeitrag von Google, um mehr darüber zu erfahren, wie das Unternehmen seine Open-Source-Coral-NPU in kommerzielles Silizium umsetzt.

Mehr erfahren: Weiterentwicklung der Edge-KI mit Google Coral NPU und GF FFX3 (wird in einem neuen Tab geöffnet)

FinFET-Anwendungen

Automotive

Entwicklung intelligenter Sensoren, Automobilprozessoren und Radar-SoCs, die Echtzeitverarbeitung, Entscheidungsfindung mit geringer Latenz und Zuverlässigkeit auf Industriestandard für Fahrerassistenzsysteme (ADAS) und Architekturen für softwaredefinierte Fahrzeuge (SDV) bieten

Weitere Informationen: Automobilbranche

Rechenzentrum und Kommunikationsinfrastruktur

Unterstützung der 5G-Mobilfunk- und drahtlosen Infrastruktur durch leistungsstarke Rechenleistung und Konnektivität, die Durchsatz, power und Zuverlässigkeit in Einklang bringen – für stets verfügbare Netzwerkeinsätze

Weitere Informationen: Rechenzentren und Kommunikationsinfrastruktur

Consumer- und Industrie-IoT

Unterstützung von drahtlosen SoCs, MCUs und Mensch-Maschine-Schnittstellen (HMI) – einschließlich Display-Treiber-ICs (DDIC) und Bildsignalprozessoren (ISP) –, die für geringen power, kompakte Bauformen und intelligente Edge-Verarbeitung optimiert sind

Weitere Informationen: IoT für Privathaushalte und Industrie

Mobile Endgeräte

Für den Einsatz in 5G-mmWave-Frontend-Modulen, Bildverarbeitungssubsystemen, Displaytreibern und Sicherheitselementen (NFC/SE), die hohe Leistung, geringe Leckströme und eine enge Integration in platzsparende Mobilgeräte-Designs erfordern

FinFET

Häufig gestellte Fragen (FAQ)

Unsere FinFET-Prozesstechnologien unterstützen Designs der Kategorie „Auto Grade 1“ mit einem breiten Spektrum an bewährten, speziell auf Automobilanwendungen zugeschnittenen IP-Blöcken, darunter Logik-, Speicher-, Schnittstellen- und Analog-IP, um sicherheitskritische Anwendungen zu ermöglichen.

Die HF-optimierte Architektur unserer FinFETs bietet hohe Leistung, power und eine Reduzierung der Chipfläche für HF-Designs und unterstützt damit die modernen drahtlosen Anwendungen von heute.

Unsere FinFET-Prozesstechnologien werden in unserem zertifizierten Werk in Malta, New York, hergestellt und bieten eine sichere und bewährte Lösung, die den gesetzlichen Anforderungen der USA entspricht.

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