技术

RF-SOI

经过验证的部分耗尽型 RF-SOI 技术，针对开关和调谐过程中的低射频损耗及高线性度进行了优化，可实现大规模、高度集成的低损耗射频前端设计。

借助RF-SOI提升射频性能、信号power 可靠性

随着射频前端集成度的不断提高，能够在狭小空间内保持信号完整性的射频解决方案变得至关重要。我们的 RF-SOI 技术具备低射频损耗、强信号隔离、适用于射频开关和调谐的高线性度，以及高度集成的前端能力。依托大规模生产和广泛的应用，我们的 RF-SOI 解决方案可在更广的信号范围内实现高效的连接。

  • 射频损耗低，信号隔离强

    RF-SOI 衬底和埋入式氧化层的优势可最大限度地减少射频损耗和耦合，从而在密集的多频段环境中实现出色的信号完整性和隔离性能。

  • 高度集成的射频前端能力

    GFRF-SOI 射频开关和前端模块的紧凑、可扩展集成，支持从 6GHz 以下及更高频段*的高效射频前端实现（*具体取决于RF-SOI ）。

  • 高线性度，适用于射频开关与调谐

    经过优化的基板和隔离器件架构，为开关和调谐功能提供了高线性度和更高的power 。

业界领先的RF-SOI

欢迎了解我们丰富成熟的RF-SOI 组合，这些RF-SOI 专为满足各种射频前端集成、性能及应用需求而设计。

我们的 XSW 工艺技术专为高性能射频开关而优化，可为大批量生产的射频前端模块提供低插入损耗和强隔离度。凭借先进的开关架构和器件堆叠技术所实现的优化 Ron·Coff 值，XSW 支持在智能移动和连接应用中进行可扩展部署。 XSW系列涵盖了我们成熟的8SW技术以及最新一代的9SW技术，其中9SW还提供了先进的集成方案，例如SLATE™晶圆对晶圆键合技术。

我们成熟的 130NSX 工艺技术支持集成射频开关和低噪声放大器（LNA）的实现，这些方案经过优化，可满足长距离射频传输和提高接收灵敏度的需求。NSX 专为 Ku 波段和 Ka 波段前端设计，适用于对低噪声性能和链路预算保持要求极高的低噪声放大器和地面终端，因此非常适合基础设施和卫星通信（SATCOM）接收链路应用。

我们的毫米波工艺技术专为毫米波（mmWave）射频前端集成进行了优化，专为FR2 5G、卫星通信、波束成形器和相控阵架构而设计。 GF的毫米波技术在Ka频段展现出行业标杆级性能，并提供针对毫米波优化的后端工艺（BEOL）方案，以减少寄生效应并保持高频信号完整性，其中包括成熟的45RF-SOI和45RFE技术。

利用SLATE™晶圆对晶圆键合技术缩小射频开关的设计面积

我们基于9SW的SLATE技术通过在键合晶圆上垂直堆叠场效应管（FET），实现了先进的3DI技术，在保持现代前端模块所需电气性能的同时，缩小了射频开关的占位面积。借助基于PDK的自动化设计流程，设计人员无需从头重新设计，即可将传统的2D 9SW射频开关设计转换为紧凑的3D架构。

观看本教程，了解如何通过将现有的射频设计从9SW迁移至9SW的SLATE技术，将射频开关的设计面积缩减多达一半。请联系您的GF代表，进一步了解合作机会以及详细讲解仿真和验证步骤的教程。

RF-SOI

航空航天与国防

支持先进的卫星和地面通信前端、雷达及毫米波波束成形器——可实现具有强大信号完整性的高性能毫米波前端，非常适合对可靠性和隔离度要求极高的无线、传感和卫星通信系统

了解更多：航空航天与国防

数据中心与通信基础设施

可靠的射频性能和强大的信号隔离能力，使得射频前端能够灵活部署于各类通信基础设施应用中，包括Wi-Fi和蓝牙芯片组、涵盖LTE、4G和5G的蜂窝网络，以及卫星通信地面终端和波束成形器

了解更多：数据中心与通信基础设施

智能移动设备

为智能移动设备提供power、高性能的射频前端解决方案，支持蜂窝（5G）和Wi-Fi射频前端、射频开关以及天线调谐器。RF-SOI技术已在高端智能手机中得到广泛应用，可实现紧凑集成、高效的射频切换以及可扩展的前端架构

了解更多：智能移动设备

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