Angesichts der steigenden Nachfrage der Verbraucher nach intelligenten Mobilgeräten der nächsten Generation und der immer höheren Anforderungen an die HF- und Akkuleistung kommt es auf jeden Quadratmillimeter Platz auf der Leiterplatte an. Front-End-Module müssen mehr Frequenzbänder, mehr Funktionen und komplexere Schaltarchitekturen unterstützen, ohne dabei die Baugröße zu vergrößern. Um diesen Integrationsgrad zu erreichen, sind sowohl fortschrittliche HF-Schaltertechnologie als auch innovative Designplattformen erforderlich, die dazu beitragen, die Baufläche zu reduzieren und gleichzeitig die Leistung und Zuverlässigkeit zu gewährleisten, die moderne Geräte erfordern.

Hier bietet unsere SLATE™ -Wafer-zu-Wafer-Bonding-Technologie einen praktikablen Weg in die Zukunft – sie ermöglicht eine fortschrittliche 3D-Integration (3DI) für kompakte, leistungsstarke Mobilfunk-Frontends, indem sie die Layoutfläche der HF-Schalter deutlich reduziert. Diese erhebliche Flächenreduzierung eröffnet neue Möglichkeiten für die Integration, und obwohl der Prozess selbst neuartig ist, machen wir es Ihnen einfach, Ihre bestehenden HF-Designs auf die Plattform zu migrieren.

3DI leicht gemacht: Nahtlose Migration Ihres Entwurfs von 9SW zu 9SW SLATE

Unsere SLATE-Technologie der ersten Generation mit 9SW ermöglicht das Wafer-zu-Wafer-Bonden (W2W) und die homogene 3D-Integration, wodurch zwei 9SW-Wafer miteinander verbunden werden können, sodass große Feldeffekttransistoren (FETs) vertikal gestapelt werden können. Diese Fähigkeit, große FETs über verbundene Wafer hinweg zu „falten“, ist von grundlegender Bedeutung für die Reduzierung der lateralen Fläche bei gleichzeitiger Aufrechterhaltung der für fortschrittliche HF-Frontends erforderlichen elektrischen Leistung. Mit diesem Ansatz können Entwickler einen herkömmlichen 2D-9SW-Einpol-Einwurf-Schalter (SPST) nahtlos in eine kompakte 3D-Architektur umwandeln.

All dies lässt sich innerhalb des PDK mithilfe der branchenweit neuesten EDA-Tools realisieren, wobei HF-Entwickler ihr ursprüngliches 2D-9SW-Design intuitiv in eine 3D-Architektur migrieren können – mithilfe eines automatisierten Workflows, der die neue Bauelementstruktur generiert. Dies basiert auf festgelegten Designregeln, die der Entwickler entsprechend seinen individuellen Anforderungen eingibt. Wichtige Parameter – wie die Gesamtbreite und die Stapelkonfiguration – bleiben erhalten, während die Plattform das Bauelement intelligent in obere und untere Elemente unterteilt und die Anzahl der Finger um bis zu die Hälfte reduziert. Die automatisierte Zuweisung von Einschränkungen, die Aufteilung des Schaltplans und die Erstellung einer Layout-Hierarchie stellen sicher, dass das resultierende 3D-Design elektrisch mit dem Original übereinstimmt.

Entwickler können 3D-Pins ausrichten, die Verbindungen verwalten und die Pin-Platzierung mit automatisierten Werkzeugen abschließen, die die Genauigkeit gewährleisten und den manuellen Aufwand reduzieren. Das Ergebnis ist ein vollständig migriertes und vollständig verifiziertes 3D-HF-Schalterdesign, das erhebliche Flächenersparnisse ermöglicht, ohne dass eine komplette Neukonstruktion erforderlich ist.

Wenn Sie mehr darüber erfahren möchten, wie Sie Ihr bestehendes HF-Design mit 9SW von der 9SW- auf die SLATE-Technologie migrieren können, sehen Sie sich unser Tutorial-Video an, das gemeinsam mit unseren hauseigenen technischen Experten entwickelt wurde.

Schaffung eines sinnvollen und messbaren Mehrwerts für Entwickler von HF-Systemen

Die Umstellung auf die SLATE-Technologie mit 9SW bietet Konstrukteuren, die zukunftssichere HF-Frontend-Module entwickeln, klare Vorteile:

  • Reduzierung der Gesamtgröße des Chips um bis zu 45 %, wodurch der Platzbedarf auf der HF-Leiterplatte und die gesamte Designfläche für mobile Anwendungen mit begrenztem Platzangebot verringert werden
  • Fortschrittliche 3D-Integration (3DI) durch W2W-Bonding, die die vertikale Stapelung großer Feldeffekttransistoren (FETs) ermöglicht
  • Homogenes 3DI, das die elektrische Leistung beibehält und gleichzeitig die seitliche Grundfläche reduziert
  • Automatisierte,PDK-basierte Migrationswerkzeuge, die die Entwicklung beschleunigen und die Komplexität des Designs verringern
  • Serienreife Technologie auf unserer branchenführenden RF-SOI , hergestellt in unserem 300-mm-Werk in Singapur; der Hochlauf der Serienproduktion wird für das zweite Halbjahr 2027 erwartet

Diese Vorteile erstrecken sich über HF-Schalter hinaus auch auf andere wichtige Front-End-Komponenten – darunter rauscharme Verstärker (LNAs) und Antennentuner –, was 9SW SLATE zu einer überzeugenden Plattform für die nächste Generation mobiler und Konnektivitätslösungen macht.

Entdecken Sie, welche Möglichkeiten die SLATE-Technologie in Verbindung mit 9SW für Ihr nächstes HF-Design bietet

Wenn Sie die Fläche Ihrer HF-Schalter reduzieren und die Integrationsdichte erhöhen möchten, steht Ihnen unser Team gerne zur Seite, um gemeinsam mit Ihnen an Ihrer nächsten Entwicklung zu arbeiten – mit detaillierten Anleitungen und Referenzabläufen.

Wenden Sie sich an Ihren GF-Ansprechpartner, um mehr über Kooperationsmöglichkeiten zu erfahren und zu erfahren, wie die SLATE-Technologie in Verbindung mit 9SW Ihre nächste RF-Innovation beschleunigen kann.

Von: Jignesh Patel, Leitender technischer Mitarbeiter, RF-Design-Enablement