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新闻
- 了解更多：利用 GF RFGaN-LV1 上的 5V E 模式硅基氮化镓（GaN-on-Si）技术，彻底改变手机射频前端 （在新标签页中打开）
借助基于GF RFGaN-LV1平台的5V E模式硅基氮化镓（GaN-on-Si），彻底革新手机射频前端
- 了解更多：GlobalFoundries 已通过 9SW 平台对 SLATE™ 先进封装技术进行认证，该技术将应用于下一代射频领域
GlobalFoundries 已通过 9SW 平台对SLATE™先进封装技术进行了认证，该技术将应用于下一代射频领域
- 了解更多：以AI的速度设计功率放大器：Falcomm在IMS 2026上推出基于GF RFGaN1的GaNdalph.ai （在新标签页中打开）
以AI的速度设计功率放大器：Falcomm在IMS 2026上推出采用GF RFGaN1的GaNdalph.ai
- 了解更多：GlobalFoundries宣布面向高性能智能移动、通信及工业应用的130CBICSiGe 正式投产
格罗方德宣布面向高性能智能移动、通信及工业应用的130CBICSiGe 正式投产
- 了解更多：GlobalFoundries 获得 950 万美元美国联邦资金，推动氮化镓芯片制造技术取得进展
格罗方德（GlobalFoundries）凭借950万美元的美国联邦资金推动氮化镓芯片制造技术取得进展
- 了解更多：GlobalFoundries 获得美国政府 3500 万美元资助，用于加速下一代氮化镓芯片的生产
GlobalFoundries 获美国政府 3500 万美元资助，以加速下一代氮化镓芯片的制造
- 了解更多：GlobalFoundries 推出面向新一代移动设备和 5G 应用的 9SWRF-SOI
格罗方德宣布推出面向新一代移动设备和5G应用的9SWRF-SOI
