已投入量产的 3DI 技术支持为先进的 5G 设备构建更紧凑的有限元模型
纽约州马耳他市，2026年6月23日 – 全球晶圆代工公司 （GlobalFoundries，纳斯达克代码：GFS）（以下简称“GF”）今日宣布，其基于业界领先的9SW射频绝缘体上硅（RF-SOI）平台的SLATE™晶圆对晶圆键合技术已具备量产条件，可为紧凑型、高性能蜂窝前端提供先进的3D集成（3DI）解决方案。 9SW SLATE技术由GF位于新加坡的300毫米工厂制造，预计将于2027年下半年进入量产阶段。
GF的第一代SLATE技术支持晶圆对晶圆（W2W）键合，使设计人员能够将两片9SW晶圆键合在一起，从而在垂直架构中堆叠和集成大尺寸场效应晶体管（FET）。 通过将大型FET折叠跨越在键合的晶圆之间，SLATE技术可将整体芯片尺寸缩小多达45%，从而减少射频电路板的占用空间以及智能移动设备中受空间限制的应用（包括开关、低噪声放大器（LNA）和天线调谐器）的总设计面积。
9SWRF-SOI 于2023年首次推出，是GF针对前端模块（FEM）提供的最先进射频解决方案，覆盖5G移动设备和卫星通信所需的sub-8GHz及FR3频段。 作为GF第四代XSW技术，9SW通过降低导通电阻和关断电容（Ron*Coff），显著降低了待机电流，从而延长了电池续航时间，并将效率提升了20%以上。
“在9SW平台上部署SLATE标志着射频集成领域迈出了重要一步，使我们的客户能够在不牺牲射频性能的前提下，为下一代5G设备设计出更紧凑、power解决方案，”GF射频业务高级副总裁尚卡兰·贾纳尔达南表示。 “通过将我们业界领先的9SW平台与SLATE先进封装技术相结合，我们正在为下一代移动和无线应用领域开辟新的创新机遇。”
“GF将其SLATE技术应用于9SW平台，标志着射频前端集成领域取得了一项重要进展，使设计人员能够克服传统的缩放和集成挑战，”Cadence定制IC和PCB事业部企业副总裁Vinod Kariat表示。 “借助Cadence Virtuoso Studio提供的同构集成、分析和验证功能，用户能够充分释放SLATE的3D集成潜力——让设计人员能够以更快的速度和更大的信心，将下一代5G前端模块从概念阶段推进到硅片实现。”
GF的SLATE晶圆对晶圆键合技术为其众多差异化技术（包括FDX™FD-SOI、RF-SOI 硅锗（SiGe））提供了异质3DI的发展路线图，从而在数据中心、卫星通信、物联网和移动设备等多元化市场中实现更强大的系统级性能。
通过 GF Connect 门户网站可获取一套集成工艺设计套件（PDK），以帮助快速启动设计流程。9SW 和 9SW SLATE 工艺可通过 GF 的GlobalShuttle™多项目晶圆计划进行原型制作，相关运输班次计划于今年下半年启程。
关于GF
格罗方德（GF）是关键半导体产品的领先制造商，致力于推动人工智能从云端向物理世界的大规模应用。通过与客户建立深度合作关系，GF为汽车、航空航天与国防、数据中心、智能移动设备、物联网及其他高增长市场提供差异化、power且高性能的解决方案。 GF在全球拥有覆盖美国、欧洲和亚洲的制造网络，是全球客户值得信赖的全方位技术合作伙伴。GF才华横溢的全球团队始终致力于保障产品安全、延长产品寿命并践行可持续发展。如需了解更多信息，请访问www.gf.com。
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