在与美国政府合作下，GF位于佛蒙特州的半导体制造工厂正持续推进下一代氮化镓芯片的大规模量产，这些芯片将应用于航空航天与国防、蜂窝通信、工业物联网及汽车领域。
佛蒙特州埃塞克斯詹克申，2023年10月18日 —全球晶圆代工巨头GlobalFoundries（纳斯达克代码：GFS）（以下简称GF）已获得美国政府3500万美元的联邦拨款，用于加速其在佛蒙特州埃塞克斯詹克申工厂生产具有差异化优势的硅基氮化镓（GaN）半导体。 这笔资金将助力GF更接近GaN芯片的大规模量产。此类芯片具备独特的耐高压和耐高温能力，有望在5G和6G蜂窝通信（包括基础设施和终端设备）、汽车及工业物联网（IoT），以及power 和其他关键基础设施领域，实现性能与能效的革命性突破。
美国国防部可信接入项目办公室 (TAPO) 提供了 3500 万美元的新资金，GF 计划利用这笔资金购买更多工具，以扩大开发和原型设计能力，从而更接近于大规模 200mm 硅基氮化镓半导体制造。作为投资的一部分，GF 计划实施新的能力，以减少 GF 及其客户受镓供应链限制的风险，同时提高美国制造氮化镓芯片的开发速度、供应保证和竞争力。
这笔资金建立在与美国政府多年合作的基础上--包括2020-2022年的4000万美元支持--充分利用了GF佛蒙特团队的人才及其200毫米半导体制造经验，并将其应用于硅基氮化镓制造。200mm 是最先进的氮化镓芯片技术。
"佛蒙特州在半导体创新领域处于领先地位。参议员彼得-韦尔奇（Peter Welch）说："这笔联邦资金是一个值得欢迎的消息，它将巩固我们佛蒙特州在下一代芯片制造领域的领先地位。参议员彼得-韦尔奇（Peter Welch）说："我们必须支持佛蒙特州和美国对这一产业的投资，这对我们当地的经济增长和国家安全都至关重要。我期待着在参议院继续为我们国内的半导体和芯片制造商而奋斗。
"这项战略投资将继续加强我们国内关键军民两用商业技术的生态系统，确保国防部能随时安全地使用这些技术。通过与主要合作伙伴的合作，我们正在积极塑造国防系统的未来，"美国国防部负责可持续发展的助理部长克里斯托弗-J-洛曼（Christopher J. Lowman）说。
“硅基氮化镓（GaN on silicon）是面向新兴市场的高性能射频、高压power 及控制应用的理想技术，对6G无线通信、工业物联网和电动汽车领域至关重要，”GF总裁兼首席执行官托马斯·考尔菲尔德博士表示。 “GF与美国政府有着长期的合作关系，这笔资金对于推动硅基氮化镓芯片走向量产至关重要。这些芯片将使我们的客户能够实现大胆创新的设计，从而突破我们日常依赖的关键技术在能效和性能方面的极限。”
GF 的工厂位于佛蒙特州埃塞克斯交界处，靠近伯灵顿，是美国最早的大型半导体生产基地之一。如今，约有 1,800 名 GF 员工在此工作。基于 GF 的差异化技术，这些 GF 制造的芯片被广泛应用于世界各地的智能手机、汽车和通信基础设施。该工厂是 DMEA 认证的可信代工厂，与美国国防部合作生产安全芯片，用于美国最敏感的航空航天和国防系统。
关于GF
GlobalFoundries (GF) 是全球领先的半导体制造商之一。通过开发和提供功能丰富的工艺技术解决方案，GF 正在重新定义创新和半导体制造，为普遍的高增长市场提供领先的性能。GF 提供独特的设计、开发和制造服务组合。GF 拥有一支才华横溢的多元化员工队伍，生产足迹遍布美国、欧洲和亚洲，是全球客户值得信赖的技术来源。欲了解更多信息，请访问www.gf.com。
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