技术

RF GaN

借助我们的 RF GaN 工艺技术，实现更高的射频输出功率和效率，并以更小的封装尺寸提供经过成本优化的高功率密度和卓越性能。

借助RF GaN（RF GaN）推动无线连接革命

联网设备的数量正在增长，数据流量也在不断增加。 宽禁带材料（如镓 （GaN) 等宽禁带材料，使设备能够以更高的射频功耗、效率和频率。 我们的RF GaN 具有 独特地 能够 实现 GaN的 固有优势转化为 可行的 解决方案，并克服现有基础设施的局限性。

  • GaN-on-Si的优势

    我们独创性地利用氮化镓（GaN）在硅基板上的集成技术，充分释放氮化镓的商业潜力，从而实现经济高效的大规模量产。

  • 卓越的射频性能

    在 FR1 和 FR3 频段上出色的增益和效率，为 D 模和 E 模器件提供了高性能且功耗解决方案。

  • 高power

    我们的 RF GaN 技术在 D 模式和 E 模式器件中均表现出色，帮助设计人员优化输出功率、效率和线性度。

  • 热可靠性

    专为应对高功率射频运行固有的热性能挑战而设计，可在严苛应用中保持持续稳定的性能。

  • 值得信赖的美国制造

    我们位于佛蒙特州伯灵顿的认证工厂拥有业界领先SiGe RF-SOI SiGe ，提供久经考验的稳健工艺控制以及先进的铜后端集成工艺。

  • 凭借久经考验的射频技术领导地位

    凭借数十年的射频技术积累，我们的RF GaN 可提供功能强大的PDK（设计套件），其中包含射频模型、GlobalShuttle™多产品共板（MPW）项目以及专属流片服务。

RF GaN 一览

我们正在开发一套全面的RF GaN，旨在满足低压和高压应用的需求。我们的RF GaN 专为恶劣环境设计，通过可扩展的解决方案，能够提供卓越的射频性能和功率密度 满足消费类和工业应用中多样化的射频需求。

我们的高压 RF GaN 技术专为 D 模式器件设计，并针对高功率无线基础设施应用进行了优化，可在 1–15 GHz 频段内实现最高 5 W/mm 的功率效率、最高 70% 的 PAE，并支持 12–28 V 工作电压。

我们的低压RF GaN 专为智能移动设备和消费类应用进行了优化，旨在延长电池续航时间，并支持在新频段内运行。该技术采用了创新的E模式GaN晶体管，并与Finwave Semiconductor合作开发。

RF GaN

数据中心与通信基础设施

持续的高输出功率、高效率和高线性度，为数据密集型无线网络提供支持——专为 5G 和 6G 基站以及卫星通信（SATCOM）优化

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智能移动设备

低压 E 模式 RF GaN 具备独特优势，可支持高频、高效率的功率放大器（PA），推动下一代移动通信技术发展。

了解更多：智能移动设备
RF GaN

常见问题

RF GaN 在严苛环境下具有出色的耐受能力，并可提供更高的功率密度、效率和散热性能，使更少的器件能够在更小的占用空间内实现相同的输出功率。

在射频应用中，氮化镓（GaN）可在更高频率下提供更高的功率密度和效率，从而实现更小、更轻且更节能的射频设计。

RF GaN 基于硅基氮化镓（GaN-on-Si）架构，采用无金、兼容CMOS的工艺，从而实现可扩展的生产，并与硅生态系统无缝集成。这种独特的集成方案支持大规模商业化生产，兼具成本效益，并能与我们久经考验的射频制造基础设施完美兼容。

我们提供高压D模式和低压E模式两种RF GaN 以满足基础设施级和消费级射频应用的需求。这种电压灵活性使设计人员能够根据功耗、效率和系统要求，选择最优的RF GaN。

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