技术

射频氮化镓

借助我们的射频氮化镓工艺技术，释放更高的射频输出功率和效率，在更小的封装尺寸下实现成本优化、高功率密度和卓越性能。

借助射频氮化镓（RF GaN）推动无线连接革命

联网设备的数量正在增长，数据流量也在不断增加。 宽禁带材料（如镓 （GaN) 等宽禁带材料，使设备能够以更高的射频功率、效率和频率 。 我们的射频GaN技术 具有 独特地 能够 实现 GaN的 固有优势转化为 可行的 解决方案，并克服现有基础设施的局限性。

  • GaN-on-Si的优势

    我们独创性地利用氮化镓（GaN）在硅基板上的集成技术，充分释放氮化镓的商业潜力，从而实现经济高效的大规模量产。

  • 卓越的射频性能

    在 FR1 和 FR3 频段上出色的增益和效率，为 D 模和 E 模器件提供了高性能且功耗优化的解决方案。

  • 高功率密度

    我们的射频氮化镓（RF GaN）在D模式和E模式器件中均表现出色，助力设计人员优化输出功率、效率和线性度。

  • 热可靠性

    该产品专为解决高功率射频工作固有的热性能挑战而设计，可在严苛的应用环境中保持持续稳定的性能。

  • 值得信赖的美国制造

    我们位于佛蒙特州伯灵顿的认证工厂拥有业界领先的RF-SOI和SiGe技术，提供久经考验的稳健工艺控制以及先进的铜后端集成工艺。

  • 凭借久经考验的射频技术领导地位

    凭借数十年的射频技术积累，我们的射频氮化镓（RF GaN）技术可提供功能强大的PDK（设计套件），其中包含射频模型、GlobalShuttle™多产品共板（MPW）项目以及专属的流片服务。

RF GaN 技术一览

我们正在开发一套全面的射频氮化镓产品组合，旨在满足低压和高压应用的需求。我们的射频氮化镓技术专为恶劣环境设计，通过可扩展的解决方案，能够提供卓越的射频性能和功率密度，满足消费类和工业应用中多样化的射频需求。

我们专为D模式器件设计的高压射频GaN技术，经过优化可满足高功率无线基础设施应用的需求——在1–15GHz频段内，可实现高达5W/mm的功率效率、高达70%的PAE，并支持12–28V的工作电压。

我们与 Finwave Semiconductor 合作开发的低压 RF GaN 技术专为 E 模式器件设计，针对智能移动设备和消费类 RF 应用进行了优化。

射频氮化镓应用

航空航天与国防

高功率密度、高热效率、坚固耐用以及抗辐射型产品，为雷达和卫星通信（SATCOM）提供了支持

了解更多：航空航天与国防

数据中心与通信基础设施

持续的高输出功率、高效率和高线性度，为数据密集型无线网络提供支持——专为 5G 和 6G 基站以及卫星通信（SATCOM）优化

了解更多：数据中心与通信基础设施

智能移动设备

低压和E模式射频GaN技术具备得天独厚的优势，能够支持高频、高效率的功率放大器（PA），从而推动下一代移动连接技术的发展

了解更多：智能移动设备
射频氮化镓

常见问题

射频氮化镓（RF GaN）在严苛环境下具有卓越的抗干扰能力，并具备更高的功率密度、效率和散热性能，从而能够以更少的器件数量、更小的占用空间实现相同的输出功率。

在射频应用中，氮化镓（GaN）能在更高频率下提供更高的功率密度和效率，从而实现更小、更轻且更节能的射频设计。

我们的射频氮化镓（RF GaN）技术基于硅上氮化镓（GaN-on-Si）架构，采用无金、兼容CMOS的工艺，从而实现可扩展的生产，并与硅生态系统无缝集成。这种独特的集成方案支持大规模商业化生产，兼具成本效益，并能与我们久经考验的射频制造基础设施完美兼容。

我们提供高压D模式和低压E模式射频GaN方案，以满足基础设施级和消费级射频应用的需求。这种电压灵活性使设计人员能够根据功率、效率和系统要求，选择最优的射频GaN解决方案。

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