业界首款高性能互补型BiCMOS技术为关键市场和应用提供了性能与power
加利福尼亚州圣克拉拉，2025年8月28日——今日，全球晶圆代工巨头GlobalFoundries（GF）（纳斯达克代码：GFS）在其于加利福尼亚州举办的年度技术峰会上宣布，其130纳米互补双极-CMOS（CBIC）平台已正式投入量产。这是该公司迄今为止性能最强的硅锗（SiGe）技术。
130CBIC 现已推出工艺设计套件（PDK），可供设计使用。该平台凭借 NPN 晶体管超过 400 GHz 的 ft/fmax 以及 PNP 晶体管超过 200 GHz 的卓越性能，成为唯一能够满足智能手机、无线基础设施、光网络、卫星通信和工业物联网等多项关键市场需求的高性能SiGe 。
130CBIC 由 GF 位于佛蒙特州伯灵顿的工厂研发制造，经过优化，可在降低成本的同时，突破互联应用中射频性能的极限。对于蜂窝智能手机，该平台支持低噪声放大器（LNA），在保持超低噪声系数的同时降低电流消耗，从而有助于减少电池耗电量。 在数据中心领域，该平台的高性能 PNP 晶体管支持创新的放大器拓扑结构，可在更低的power 高速模拟和光网络提供高增益带宽。该平台还支持超过 100GHz 的先进毫米波工业雷达应用，可在更小的外形尺寸下实现高分辨率传感和测距。
“130CBIC是我们SiGe 上的一个重要里程碑，为那些依赖先进射频技术实现高速、节能连接的广泛高增长市场树立了新的性能标杆，”GF射频产品线高级副总裁Shankaran Janardhanan表示。 “通过将业界领先的晶体管性能与低光罩数工艺相结合，我们为各领域的客户开辟了射频创新的新途径，并助力他们更快地将新技术推向市场。”
130CBIC 可通过 GF 的GlobalShuttle 多项目晶圆计划进行原型设计，该计划将持续到 2025 年和 2026 年。射频参考设计可通过 GF 的自助式 GF Connect 门户网站获得，以帮助启动设计流程。
关于GF
格罗方德（GlobalFoundries，简称GF）是全球领先的基础半导体制造商，其产品支撑着人们的生活、工作和互联。我们通过创新并与客户合作，为汽车、智能移动设备、物联网、通信基础设施及其他高增长市场提供更power、高性能的产品。凭借覆盖美国、欧洲和亚洲的全球制造网络，GF已成为全球客户值得信赖的可靠合作伙伴。 每天，我们才华横溢的全球团队都以对安全性、耐久性和可持续性的坚定专注，持续创造卓越成果。如需了解更多信息，请访问 www.gf.com。
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