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Nachrichten
- Weitere Informationen: Revolutionierung der HF-Frontends von Mobilfunkgeräten mit 5-V-GaN-on-Si im E-Modus auf GF RFGaN-LV1 (wird in einem neuen Tab geöffnet)
Revolutionierung der HF-Frontends von Mobilfunkgeräten mit 5-V-E-Mode-GaN-on-Si auf GF RFGaN-LV1
- Weitere Informationen: GlobalFoundries qualifiziert die fortschrittliche SLATE™-Verpackungstechnologie auf der 9SW-Plattform für Hochfrequenzanwendungen der nächsten Generation
GlobalFoundries qualifiziert die fortschrittliche SLATE™ -Verpackungstechnologie auf der 9SW-Plattform für Hochfrequenzanwendungen der nächsten Generation
- Weitere Informationen: Entwicklung von Leistungsverstärkern in KI-Geschwindigkeit: Falcomm stellt auf der IMS 2026 „GaNdalph.ai“ mit dem GF RFGaN1 vor (wird in einem neuen Tab geöffnet)
Entwicklung von Leistungsverstärkern mit KI-Geschwindigkeit: Falcomm stellt auf der IMS 2026 „GaNdalph.ai“ mit GF RFGaN1 vor
- Weitere Informationen: GlobalFoundries gibt die Serienreife der SiGe für leistungsstarke Smart-Mobile-, Kommunikations- und Industrieanwendungen bekannt
GlobalFoundries gibt die Serienreife der SiGe für leistungsstarke Smart-Mobile-, Kommunikations- und Industrieanwendungen bekannt
- Weitere Informationen: GlobalFoundries treibt die Herstellung von GaN-Chips mit 9,5 Millionen US-Dollar an Bundesmitteln voran
Die GaN-Chip-Fertigung bei GlobalFoundries wird durch eine Förderung der US-Bundesregierung in Höhe von 9,5 Millionen US-Dollar vorangetrieben
- Weitere Informationen: GlobalFoundries erhält von der US-Regierung Fördermittel in Höhe von 35 Millionen US-Dollar zur Beschleunigung der Produktion von GaN-Chips der nächsten Generation
GlobalFoundries erhält 35 Millionen Dollar von der US-Regierung, um die Herstellung von GaN-Chips der nächsten Generation zu beschleunigen
- Weitere Informationen: GlobalFoundries kündigt RF-SOI 9SW RF-SOI für Mobilgeräte der nächsten Generation und 5G-Anwendungen an
GlobalFoundries kündigt RF-SOI 9SW RF-SOI für Mobilgeräte der nächsten Generation und 5G-Anwendungen an
