技术

BCD

随着市场对高效、灵活的电源管理需求日益增长，我们的BCD和高压BCD技术为广泛应用领域的自适应电源解决方案提供了可扩展的基础。

借助BCD技术实现高效的电源管理

我们的BCD解决方案融合了模拟、数字和电源集成技术，为高效的电源管理提供了模块化基础。通过整合低压和高压双极型器件、EDMOS/LDMOS功率晶体管、精密无源元件以及嵌入式非易失性存储器（eNVM），我们的产品组合可支持高度集成、节能高效的电源管理IC，广泛应用于各类领域。

  • 灵活的电压覆盖范围

    支持广泛应用需求的可扩展电源管理

  • 坚韧耐用，性能卓越

    利用模块化平台，针对严苛的系统要求优化性能、可靠性和集成能力

  • 领先的能效

    高功率转换效率，可减少能量损耗并降低系统运行成本

  • 高数字密度与集成度

    集成嵌入式无源元件和非易失性存储器（包括eFlash、OTP和MTP）的混合信号集成

  • 久经考验的全球制造能力

    我们位于美国、德国德累斯顿和新加坡的工厂采用双源制造模式，可支持大规模部署

  • 长期生命周期支持

    专为持久耐用而设计，采用稳定的工艺平台，支持延长产品生命周期并确保持续供应

BCD 技术一览

我们全面的BCD产品组合为高度集成的混合信号电源IC提供了可扩展且可定制的平台。这种产品组合策略使客户能够根据具体应用选择最合适的平台——从成本优化、低电压的电源管理，到需要更强健性、更宽电压范围和更深混合信号集成的高压智能电源系统。

高压BCD

我们的高压BCD解决方案专为要求严苛的高压应用而设计，这些应用需要更宽的电压覆盖范围、更强的鲁棒性以及更深入的智能电源集成。 凭借高达 200V 的深沟槽隔离 (DTI)、5V 至 150V 的工作电压范围以及各电压等级下优化的 RDS(on)，我们的高压 BCD 产品组合可满足汽车、工业、通信和数据中心系统的需求，这些领域对功率密度、效率、可靠性和集成度有着极高的要求。

我们先进的体高电压BCD工艺技术专为下一代智能功率集成而设计，支持产品组合中覆盖最广的电压范围（5V–150V级，具备165V能力）。 我们的55BCD高压版本可实现>200 MHz逻辑频率、25–40%的芯片面积缩减以及>1M门/mm²的密度，这得益于金属层减薄（10 µm铜层，活性区上键合）设计，从而实现最高集成度和性能。

  • 额定工作温度为175°C的器件
  • 自动分级 0 级鲁棒性
  • 48V系统中业界领先的80V开关性能
  • 存储、控制、接口和本地智能的高数字密度
  • 适用于 48V 稳压轨、核心开关、前端保护及电池邻近控制的多类高压器件
  • 坚实的知识产权基础，助力产品更快上市

我们成熟的300mm汽车级高压BCD平台，支持最高120V的智能电源应用。该技术具备经过验证的可制造性、成熟的可靠性以及稳定且经济高效的工艺流程，非常适合寻求更快部署、更低风险以及经过认证的大规模量产平台的汽车和工业客户。

BCD

我们的低压BCD平台支持5V至65V的宽工作电压范围，集成了低噪声器件，并通过了汽车1级认证，可为消费电子、汽车和移动应用领域提供可靠且高度集成的电源及混合信号集成电路。

Our 55BCD technology delivers best-in-class RDS(on)·Area (5V < 0.7 mΩ·mm²), reduced metallization overhead (10 µm copper, bond-over-active, copper pillars), ultra-low leakage and noise to enable high-efficiency, compact power ICs.

我们的 130BCD 工艺是业界首个采用 300mm 晶圆并集成铜后端工艺（BEOL）的 BCD 工艺，支持 5V 至 40V 的宽电压范围，并优化了 RDS(on) 值，可实现高效的电源传输。该工艺配备灵活的单栅和双栅 IP 以及模块化流程，能够支持可扩展且可定制的智能电源设计。

我们的 180BCD 技术是经过量产验证的 BCD 平台，拥有超过 14 年的大规模量产经验，具备久经考验的可靠性、广泛的 IP 复用能力，并支持多可编程（MTP）解决方案，从而能够实现稳定、长生命周期的电源和混合信号集成电路。

BCD 应用

汽车

推动新一代电气化发展，涵盖从紧凑型电源管理集成电路到48V智能电源系统、电池周边控制以及高可靠性汽车应用

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数据中心与通信基础设施

为48V及高密度供电系统中的高效智能功率级和控制功能提供支持，并为工业自动化和机器人领域的智能功率节点（包括电机驱动、传感和保护功能）提供支持

了解更多：数据中心与通信基础设施

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