技术

FinFET

我们充分利用FinFET的三维架构优势、晶体管密度及强度，提供高性能、小面积、低漏电流和低工作电压，从而实现卓越的能效。

借助 FinFET 技术，释放更强劲的性能与持久的功耗管理能力

凭借十余年的大规模量产经验，我们的FinFET工艺技术已在消费类和工业应用领域经过生产验证。依托我们庞大的单鳍片和多鳍片IP库，我们提供市场上最全面的FinFET解决方案，带来卓越的功耗管理与高性能表现。

  • 适用于汽车行业

    汽车级解决方案以及丰富的汽车级IP和设计资源组合

  • 专为射频应用而设计

    经过射频优化的特性可带来高性能、高能效和面积优势

  • 值得信赖的美国制造

    已在纽约州马耳他工厂成功实现大规模量产，提供完整的PDK及丰富的知识产权资源，包括单鳍片库

  • 领先的能效

    与22纳米级工艺相比，逻辑内核功耗降低高达20%，SRAM漏电流极低（0.5 pA/单元，高密度数据保持），并集成了3.3V/5V电源管理功能

  • 强大的增强功能

    新增了集成方案，涵盖用于低漏电流通用输入输出（GPIO）的领先射频（RF）、超宽带（ULL）和低功耗金属氧化物半导体（LDMOS）器件

  • 先进封装

    包括用于支持2.5/3D集成、中介层和晶圆对晶圆（W2W）键合的硅通孔（TSV）

全面且可定制的增强功能，满足您的需求

我们提供更高级别的定制化能力，并针对具体应用进行了功能增强。无论您需要更高的驱动能力还是更低的功耗，我们都能助您基于我们的FinFET工艺技术，打造出满足您应用需求的解决方案。

我们的 AutoPro 150 FinFET 解决方案专为要求严苛的下一代汽车应用而优化，在功耗、性能和面积（PPA）方面表现更优（相较于业界 16nm 汽车解决方案），并通过了汽车 1 级认证（最高 150°C），可确保可靠、长期的运行。

我们的射频增强技术可显著降低功耗并缩小芯片面积（相较于22纳米工艺方案），提供用于集成功率放大器（PA）的射频器件，并具备卓越的射频/模拟性能。

Our ULL enhancement offers improved energy efficiency with logic and SRAM power reduction, enabling longer battery life and lower standby power through a new ultra-high threshold voltage (UHVT) device for 10x reduction (<0.5pA/cell) and SRAM UHVT Iret for 30x reduction.

FinFET 应用

航空航天与国防

凭借高性能、抗辐射的设计特性以及值得信赖的美国制造工艺，为卫星通信前端模块和安全处理提供支持，满足关键任务应用的需求

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汽车

助力智能传感器、汽车处理器和雷达系统级芯片（SoC）实现实时处理、低延迟决策以及工业级可靠性，以满足高级驾驶辅助系统（ADAS）和软件定义汽车（SDV）架构的需求

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数据中心与通信基础设施

通过高性能计算和连接能力支持 5G 蜂窝及无线基础设施，在吞吐量、能效和可靠性之间取得平衡，以满足全天候网络部署的需求

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家庭与工业物联网

支持无线系统级芯片（SoC）、微控制器（MCU）及人机界面（HMI）——包括显示驱动器集成电路（DDIC）和图像信号处理器（ISP）——这些产品均针对低功耗、紧凑外形尺寸和智能边缘处理进行了优化

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智能移动设备

为5G毫米波前端模块、成像子系统、显示驱动器和安全元件（NFC/SE）提供动力，这些器件在空间受限的移动设备设计中对高性能、低漏电流和高度集成有着严格要求

FinFET

常见问题解答（FAQ）

我们的FinFET工艺技术支持汽车1级设计，并拥有一个针对汽车应用量身定制、经过验证的IP生态系统，其中包括逻辑、存储器、接口和模拟IP，以支持安全关键型应用。

我们针对射频（RF）优化的FinFET架构为射频设计提供了卓越的性能、能效和面积缩放能力，可满足当今先进无线应用的需求。

我们的FinFET工艺技术由位于纽约州马耳他市、已通过认证的工厂生产，提供符合美国监管要求的、安全可靠的解决方案。

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