技术

FinFET

我们充分利用FinFET的三维架构优势、晶体管密度及强度，提供高性能、小面积、低漏电流和低工作电压，从而实现卓越的power 。

借助 FinFET 技术，释放更强劲的性能与卓越的power

凭借十余年的大规模量产经验，我们的FinFET工艺技术已在消费类和工业应用领域经过生产验证。依托我们庞大的单鳍片和多鳍片IP库，我们提供市场上最全面的FinFET解决方案，带来卓越的power 与高性能表现。

  • 适用于汽车行业

    汽车级解决方案以及丰富的汽车级IP和设计资源组合

  • 专为射频应用而设计

    经过射频优化的特性可带来高性能、power 和面积优势

  • 值得信赖的美国制造

    已在纽约州马耳他工厂成功实现大规模量产，提供完整的PDK及丰富的知识产权资源，包括单鳍片库

  • 领先的power

    与22纳米级工艺power 逻辑内核power 降低高达20%，SRAM漏电流极低（0.5 pA/单元，高密度数据保持），并集成了3.3Vpower

  • 强大的增强功能

    新增了集成方案，涵盖用于低漏电流通用输入输出（GPIO）的领先射频（RF）、超宽带（ULL）和低功耗金属氧化物半导体（LDMOS）器件

  • 先进封装

    包括用于支持2.5/3D集成、中介层和晶圆对晶圆（W2W）键合的硅通孔（TSV）

全面且可定制的增强功能，满足您的需求

我们提供更高级别的定制化能力，并针对具体应用进行了功能增强。无论您需要更高驱动能力还是更低power，我们都能助您基于我们的FinFET工艺技术，打造出符合您应用需求的解决方案。

我们的 AutoPro 150 FinFET 解决方案专为要求严苛的下一代汽车应用而优化，在功耗、性能和面积（PPA）方面表现更优（相较于业界 16nm 汽车解决方案），并通过了汽车 1 级认证（最高 150°C），可确保可靠、长期的运行。

我们的射频增强技术可显著power 并缩小芯片面积（相较于22纳米工艺方案），提供用于power （PA）的射频器件，并具备卓越的射频/模拟性能。

Our ULL enhancement enables longer battery life and lower standby power through advanced UHVT technology and optimized SRAM. Delivering up to 10x lower logic leakage and 30x lower SRAM retention leakage (<0.5 pA/cell), ULL is ideal for power-sensitive and always-on applications. Contact us to explore development opportunities.

FinFET 应用

航空航天与国防

凭借高性能、抗辐射的设计特性以及值得信赖的美国制造工艺，为卫星通信前端模块和安全处理提供支持，满足关键任务应用的需求

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汽车

助力智能传感器、汽车处理器和雷达系统级芯片（SoC）实现实时处理、低延迟决策以及工业级可靠性，以满足高级驾驶辅助系统（ADAS）和软件定义汽车（SDV）架构的需求

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数据中心与通信基础设施

通过高性能计算和连接能力支持 5G 蜂窝及无线基础设施，在吞吐量、power 和可靠性之间取得平衡，以满足全天候网络部署的需求

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家庭与工业物联网

支持无线系统级芯片（SoC）、微控制器（MCU）及人机界面（HMI）——包括显示驱动器集成电路（DDIC）和图像信号处理器（ISP）——这些产品均针对power、紧凑外形尺寸和智能边缘处理进行了优化

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智能移动设备

为5G毫米波前端模块、成像子系统、显示驱动器和安全元件（NFC/SE）提供动力，这些器件在空间受限的移动设备设计中对高性能、低漏电流和高度集成有着严格要求

FinFET

常见问题解答（FAQ）

我们的FinFET工艺技术支持汽车1级设计，并拥有一个针对汽车应用量身定制、经过验证的IP生态系统，其中包括逻辑、存储器、接口和模拟IP，以支持安全关键型应用。

我们针对射频（RF）优化的FinFET架构为射频设计提供了卓越的性能、power 面积缩放能力，可满足当今先进无线应用的需求。

我们的FinFET工艺技术由位于纽约州马耳他市、已通过认证的工厂生产，提供符合美国监管要求的、安全可靠的解决方案。

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