技术

射频

实现高速与无线设备间的超高效连接。我们的射频产品组合在消费类、基础设施及连接类射频应用中，均能提供优化的性能、power 和信号完整性。凭借持续的创新，我们不断突破射频性能的界限，以支持5G的演进以及下一代人工智能驱动的连接需求。

提供领先的射频性能、信号power 可靠性

  • 高效率

    在 6GHz 以下至毫米波频段范围内优化性能与信号完整性

  • 集成灵活性

    RF-SOI 高度集成前端的RF-SOI 到RF-SOI 大power 硅基氮化镓（GaN-on-Si），再到采用SiGe 实现的射频、模拟和数字高度集成设计

  • 高频与带宽

    针对特定RF-SOI ，采用针对毫米波优化的后端工艺 (BEOL) 的射频技术；在SiGe 领域具备业界领先的 ft/fmax 指标；SiGe 宽禁带RF GaN

  • 应用的多样性

    从为高端智能手机、卫星终端、数据中心的高速网络以及先进的雷达和传感系统提供动力

  • 创新的射频解决方案

    RF-SOI 集成（3DI）技术提升面积利用率，到SiGe 架构，再到新型GaN材料，不断突破射频性能的极限

  • 多元化制造

    在美国和新加坡设有针对RF-SOI SiGe 多地制造基地，RF GaN 佛蒙特州伯灵顿RF GaN 工厂RF GaN 值得信赖的RF GaN 制造服务

重点技术

  • RF GaN

    借助氮化镓硅基（GaN-on-Si）集成技术，我们充分发挥氮化镓宽禁带的优势，为power 、卫星通信系统及宽频段射频应用提供性能强劲、效率卓越且体积更小的射频解决方案，并已实现商业化规模生产。
    了解更多：RF GaN

  • RF-SOI

    我们久经考验的部分耗尽型RF-SOI 经过优化，可实现低射频损耗、适用于射频开关和调谐的高线性度，以及高度集成的前端能力，从而支持大规模的低损耗、高度集成的射频前端设计。
    了解更多：RF-SOI

  • SiGe

    我们高性能SiGe 技术实现了性能与power 的完美平衡。凭借业界领先的ft/fmax指标以及集成的射频、模拟和数字功能，我们的SiGe 为无线、光通信和基础设施应用提供了卓越的速度、线性度和信号完整性。
    了解更多：SiGe

借助我们值得信赖的合作伙伴生态系统，扩展您的设计

借助我们覆盖射频工艺技术的全球合作伙伴生态系统，利用其经过验证的知识产权、电子设计自动化（EDA）及设计服务专业知识，加速从概念到量产的开发进程。

  • ASIC北部分会
  • 法尔康
  • Verisilicon
  • 西门子
  • 鏗鏘有力
  • 新思科技
  • EnSilica
  • Innosilicon
  • 核心价值
  • 值得信赖的Semi
  • WeASIC
  • 是德科技
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射频

常见问题

我们提供全面的高频产品组合，旨在满足您在性能、power 集成度方面的不同需求，具体取决于您的应用优先级。

  • RF-SOI 在大规模应用中为移动和连接应用中的射频开关与调谐RF-SOI 低损耗、高线性和低噪声的射频性能。
  • SiGe 在高性能与power 之间SiGe 完美的平衡，非常适合高频、高速模拟和混合信号设计。
  • RF GaN ）为要求严苛的无线基础设施和传感应用RF GaN 高power、高效率的射频性能。

是的。我们在所有技术平台上均提供MPW原型制作服务，RF-SOI、RF GaN。

了解有关我们GlobalShuttle™MPW 项目的更多信息，并查看即将推出的时间表。

我们的射频技术依托于多元化、多地点的制造网络：

  • RF-SOI：在马耳他、伯灵顿和新加坡的工厂开展多地生产
  • SiGe：在马耳他、伯灵顿和新加坡的工厂开展多地生产
  • RF GaN：我们在伯灵顿工厂提供值得信赖的美国制造

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