技术
FDX™ FD-SOI
专为边缘智能而设计
我们经过量产验证的FDX工艺技术是自2019年以来量产领域最先进的平面工艺技术,在射频、power、性能和面积方面均具备显著优势。
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访问 700 多个合格的 IP 地址
涵盖基础、模拟、复杂I/O、射频、eNVM、ABB及power 全面IP
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业界首个反向偏置生态系统
首个也是唯一一个支持反向偏置的生态系统,无需专用EDA工具即可实现ABB
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3.3V 和 5V 输入/输出 (I/O)
开发集成化、紧凑型的系统级芯片(SoC)
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<0.5pA/cell SRAM, <0.4vdd ULP
超高效计算与power
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最高支持25V的晶体管
在单芯片上灵活集成高压和逻辑功能
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>350 GHz fT 及 >400 GHz fmax
适用于业界领先的毫米波SoC和MMIC的射频晶体管,可实现长距离连接和高分辨率传感
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最高可达到全节点的性能与power
得益于 FDX 的自适应/前倾车身偏置功能
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车规级认证,最高温度可达150°C
在严苛环境下具备高耐久性运行和长使用寿命
全面且可定制的增强功能,满足您的需求
基于我们的FDX工艺技术及其不断扩充的功能增强套件,您可以选择最符合应用需求的存储器、电压或模拟解决方案。
这款高端汽车级1级嵌入式非易失性存储器(eNVM)解决方案性能卓越,读写速度快,可靠性极高,耐用度超过50万次循环,并在150 °C环境下可保持数据20年。
基于久经考验的OxRAM技术自主研发,具有成本效益且易于后端工艺(BEOL)集成,具备优化的写入power、读取操作时的超低power 、已验证的可扩展性(小于10ppm)、3D集成能力以及全面的抗环境干扰能力。
*与eFlash相比
支持灵活的电压范围(最高 25V),采用 SRAM 技术以满足高级显示power ,0.65V 数字工作电压可降低动态power,采用栅极优先工艺,失配度降低 20%-30%,从而缩小芯片面积并power。
增强型射频器件选项可提升噪声系数、线性度、power (PA)效率,并提供业界领先的毫米波性能。
采用 eMRAM 技术,具备高耐用性和汽车级可靠性
eMRAM 凭借其优异的耐热性、快速的访问速度、强大的纠错能力以及长期可靠性,已成为满足严苛要求且涉及安全关键型汽车功能的最广泛采用的电子非易失性存储器(eNVM)解决方案。
凭借15年以上的汽车制造经验,我们的AutoPro150 eMRAM解决方案采用FDX工艺技术,可大规模提供汽车级可靠性,助您为下一代汽车应用优化速度、power和面积。
GF 商业网络研讨会系列:推动从边缘计算到物理人工智能的演进
本次网络研讨会将展示MIPS及我们的CMOS技术如何推动智能、自主和互联设备从边缘计算到物理人工智能应用的演进。
常见问题解答(FAQ)
我们的FDX技术为 MRAM 和 RRAM,实现了低功耗、快速 数据保留,兼具低power、快速 访问速度 并提升了系统效率。
选择取决于您的应用优先级。如果您的设计需要卓越的性能、高耐用性和长期可靠性,MRAM 是首选方案。对于优先考虑在大规模设计中实现高效集成的应用,RRAM 则提供了一种灵活且经济高效的解决方案。
FDX 旨在通过实现低power 、更高集成度以及降低设计复杂性,从而提供系统级成本效益,这有助于通过缩小芯片尺寸和简化系统架构来抵消生产成本。
FDX采用标准的CMOS设计流程,无需专用EDA工具。依托我们强大的IP生态系统和独特的体偏置支持,FDX能够简化采用流程、优化设计并缩短产品上市时间。
是的。我们持续积极投资并扩展我们行业领先的FDX平台,不断优化功能,并推动生态系统的持续发展。
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