技术

SiGe

业界领先的硅锗（SiGe）技术，专为高频应用设计，在速度、性能、成本、可靠性和效率之间实现了完美的平衡

高速、低噪音、power

随着移动体验的不断演进和数据中心带宽需求的增长，市场对能够兼顾power 与性能的解决方案的需求已达到前所未有的高度。通过将SiGe 双极晶体管（HBT）与CMOS（BiCMOS）相结合，我们的SiGe 可提供高电压摆幅、power 输出power 毫不妥协的信号完整性。

  • 广泛的应用灵活性

    涵盖移动通信与Wi-Fi、无线基础设施、光通信、汽车雷达、卫星通信以及数据中心用高速模拟技术

  • 高性能，优化设计

    在经济实惠的硅基平台上，兼具卓越的高频性能、低噪声和放大器效率，并实现了广泛射频与数字集成

  • 领先的速度与带宽

    卓越的ft/fmax性能，为下一代毫米波和光收发器应用提供所需的性能支持

  • 全球制造业

    通过我们在美国和新加坡的工厂进行大规模、多地点生产，以确保规模效益和可靠性

  • 引领设计赋能

    提供丰富的有源和无源器件、全面的器件模型和PDK，以及低损耗后端工艺（BEOL），支持在单芯片上协同设计射频、模拟和数字电路

  • 真正的BiCMOS集成

    部分平台实现了SiGe 与CMOS的真正单片集成，支持power射频和高速模拟架构

高性能SiGe

我们提供种类繁多的SiGe 组合，其性能指标均处于行业领先水平。通过模块化设计，我们助您灵活组合性能、集成度与成本，以最契合您的应用需求。

作为业内首项互补型双极技术，我们的CBIC技术实现了n型（NPN）和p型（PNP）HBT的尖端集成，并具备市场领先的性能（ft值分别超过400GHz和200+ GHz），从而能够以较低的直流power 高速模拟放大器和低噪声放大器。

我们的 HPS 技术（包括成熟的 8HP/8XP 技术以及最新一代的 9HP/HP+ 技术）专为超高频和低噪声工作而优化，可为要求严苛的射频、毫米波和高速模拟应用提供卓越的速度、带宽和信号完整性，同时支持在经济高效的硅基平台上实现高密度射频与数字集成。

我们的高压SiGe 专为实现更大的电压摆幅、更高的可靠性和更大的输出power而设计，能够支持在无线基础设施和连接市场中实现性能、稳健性和集成度之间平衡的应用。

SiGe

汽车

凭借卓越的性能和power 助力汽车雷达及车载互联技术的发展，确保在恶劣环境下仍能保障安全与可靠性

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家庭与工业物联网

GFSiGe 为空间受限的边缘设备提供了紧凑、power混合信号集成方案，可实现低噪声、高速连接以及始终在线的运行

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智能移动设备

GF HPS 技术在保持低噪声放大器（LNA）超低噪声性能的同时，通过降低功耗来延长电池寿命；而 HVS 技术则为 Wi-Fi 应用提供了性能稳定且成本低廉的power 产品

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利用SiGe 硅光子学扩展数据中心传输能力

我们的硅光子学和SiGe 所实现的光互连方案，相比铜缆具有更高的数据传输速率、更低的延迟以及显著更高的能效。这些平台能够支持人工智能集群和大规模云部署所需的高带宽链路。通过在单一平台上集成光子学、射频和CMOS技术，我们实现了在现代数据中心架构中更快、更高效的数据传输。

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