技术

硅锗

业界领先的硅锗（SiGe）技术，专为高频应用而设计，在速度、性能、成本、可靠性和效率之间实现了完美的平衡

高速、低噪音、高能效

随着移动体验的不断演进和数据中心带宽需求的增长，市场对能够兼顾能效与性能的解决方案的需求已达到前所未有的高度。通过将硅锗异质结双极晶体管（HBT）与CMOS（BiCMOS）相结合，我们的硅锗技术可提供高电压摆幅、高输出功率以及毫不妥协的信号完整性。

  • 广泛的应用灵活性

    涵盖移动通信与Wi-Fi、无线基础设施、光通信、汽车雷达、卫星通信以及数据中心用高速模拟技术

  • 高性能，优化设计

    在经济实惠的硅基平台上，兼具卓越的高频性能、低噪声和放大器效率，并实现了广泛射频与数字集成

  • 领先的速度与带宽

    卓越的ft/fmax性能，为下一代毫米波和光收发器应用提供所需的性能支持

  • 全球制造业

    通过我们在美国和新加坡的工厂进行大规模、多地点生产，以确保规模效益和可靠性

  • 引领设计赋能

    提供丰富的有源和无源器件、全面的器件模型和PDK，以及低损耗后端工艺（BEOL），支持在单芯片上协同设计射频、模拟和数字电路

  • 真正的BiCMOS集成

    部分平台实现了高速SiGe HBT与CMOS的真正单片集成，支持高能效的射频和高速模拟架构

高性能硅锗技术

我们提供种类繁多的硅锗（SiGe）技术产品组合，其性能指标均处于行业领先水平。通过模块化设计，我们助您选择最符合应用需求的性能、集成度与成本组合。

作为业内首项互补型双极技术，我们的CBIC技术实现了负-正-负（NPN）和正-负-正（PNP）结构的尖端集成，展现出市场领先的性能（ft > 200+ GHz），可在低直流功耗下实现高速模拟放大器和低噪声放大器。

我们的 HPS 技术（包括成熟的 8HP/8HP+ 技术以及最新一代的 9HP/HP+ 技术）专为超高清频和低噪声运行而优化，可为要求严苛的射频、毫米波和高速模拟应用提供卓越的速度、带宽和信号完整性，同时支持在经济高效的硅基平台上实现高密度射频与数字集成。

我们的高压SiGe技术专为实现更大的电压摆幅、更高的可靠性和更大的输出功率而设计，能够支持在无线基础设施和连接市场中实现性能、稳健性和集成度之间平衡的应用。

SiGe的应用

汽车

凭借卓越的性能和能效，助力汽车雷达及车载互联技术的发展，确保在恶劣环境下仍能保障安全与可靠性

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家庭与工业物联网

GF SiGe 解决方案为空间受限的边缘设备提供了紧凑、节能的混合信号集成方案，可实现低噪声、高速连接以及始终在线的运行

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智能移动设备

GF HPS 技术在保持低噪声放大器（LNA）超低噪声性能的同时，可降低功耗以延长电池寿命；而 HVS 技术则为 Wi-Fi 应用提供了性能稳定且成本低廉的功率放大器产品

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利用硅锗与硅光子学扩展数据中心传输能力

我们的硅光子学和SiGe技术所实现的光互连方案，相比铜缆具有更高的数据传输速率、更低的延迟以及显著更高的能效。这些平台能够支持人工智能集群和大规模云部署所需的高带宽链路。通过在单一平台上集成光子学、射频和CMOS技术，我们实现了在现代数据中心架构中更快、更高效的数据传输。

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