上周在波士顿举行的IMS和RFIC 2026展会上，我们展示了最新的射频产品组合进展，并演示了差异化工艺技术如何推动无线连接、航空航天与国防、卫星通信及工业系统等领域的下一代应用发展。
在GF展位上，与会者与我们的技术专家进行了交流，并参观了现场展示的晶圆，包括GF RFGaN1 (130RFGaN) 以及我们的下一代硅锗 (SiGe) 互补型 BiCMOS (CBIC) 技术——这两项技术均已通过量产认证——此外，与会者还提前体验了SLATE™晶圆对晶圆键合技术，该技术进一步提升了 GF 的 3D 异构集成 (3DHI) 能力，有望拓展射频和混合信号设计领域的可能性。
通过协作推动下一波浪潮
在整个活动期间，我们重点展示了与多家参会合作伙伴的合作——包括Cadence、Falcomm、Fermionic、Finwave、Otava RF和ZeroASIC。 其中包括在Falcomm展位举行的一场专题讨论会，GF公司RF GaN 高级总监Dan Denninghoff在会上探讨了我们的RFGaN1技术如何与Falcomm的GaNdalph.ai解决方案相结合，从而加速power （PA）的设计与部署。
这些合作体现了行业的一场更广泛的变革：先进射频工艺技术（涵盖硅基及非硅基领域）的融合，使客户能够简化开发流程并更快地实现规模化。
我们对射频技术进步的承诺延伸至“大学合作计划”（UPP），这一点在今年IEEE RFIC研讨会的论文评选中得到了体现。在经过严格双盲评审并被录用的129篇论文中，有41篇由GF的UPP成员撰写——这创下了该计划的历史新高。 此外，GF的两家UPP合作伙伴在IEEE RFIC和IEEE RFTT会议上分别荣获“最佳学生论文奖”，这不仅彰显了GF技术的实际应用潜力，也进一步印证了与顶尖学术团队合作以加速创新所产生的深远影响。
激励新一代射频设计师
作为2026年IEEE RFIC研讨会的钻石级赞助商，GF受邀参加了“学生-产业-学术界RFIChat”活动，其中包括题为“把握下一波浪潮——如何发现下一个重大趋势并实现跨越”的小组讨论。 在由业界和学术界杰出领袖组成的专家小组中，GFSiGe 线总监Arvind Narayanan代表公司分享了他的前沿观察 新兴应用的早期信号如何推动平台创新，并强调了深厚的技术专长与适应新技术及市场趋势能力相结合的重要性。
业界首创：GF与RFIC合作举办设计大赛
作为首家与RFIC合作举办设计竞赛的公司，我们首届学生设计竞赛体现了我们致力于与学术界携手推进射频技术发展的承诺——让学生接触前沿技术以加速学习进程，将学术研究与实际应用及行业从业者相连接，并鼓励针对新兴射频应用场景探索GF平台。
本届竞赛聚焦于利用SiGe 进行高频射频和混合信号集成电路设计，要求大学团队将先进的工艺能力转化为下一代通信应用。参赛设计通过我们的GlobalShuttle™MPW项目进行制造，共有七篇论文提交给射频集成电路技术项目委员会（TPC）进行独立评审。 在学生活动期间，RF-SOI 线高级总监Alex Margomenos与IEEE RFIC 2026学生委员会主席Jane Gu教授向三支入围决赛的队伍颁发了奖项。
祝贺今年的获奖者：
- 李承勋、姜永宇、朱仁灿——亚州大学
- 马伟、王伟清、王方凯、徐汉中、王旭东——南开大学
- Maaz Khurram、Truman Jian、Peter Schvan、Sorin P. Voinigescu——多伦多大学
“我们很高兴能与格罗方德合作举办其首届学生设计大赛。此次合作彰显了RFIC研讨会致力于推动射频创新的承诺，将学术研究与实际设计挑战以及可投入生产的射频平台相结合。”
基于我们对产学研合作的承诺，我们很高兴能在2027年继续开展该项目。诚邀所有学术合作伙伴参与，请于2027年1月向RFIC研讨会提交利用任何GF技术的论文。
请扫描下方的二维码，或联系您的 GF UPP 代表，以了解有关资格要求和提交标准的更多信息。
展望未来
今年的IMS大会汇聚了客户、合作伙伴、高校以及更广泛的射频领域人士，共同庆祝射频领域的现状与未来。
我们感谢所有莅临GF展位、与我们的团队互动，并在整个活动期间参与有意义讨论的来宾。我们很自豪能与合作伙伴携手，共同推动新一代射频解决方案的普及，并期待明年在德克萨斯州圣安东尼奥市举办的IMS 2027大会上延续这一势头。
