技术

电源

涵盖基于硅的双极-CMOS-DMOS（BCD）平台以及氮化镓（GaN）等新型材料，我们的 p功率 产品组合专为实现高功率密度、高效的能量转换 和设计灵活性。这些特性共同构成了可扩展的电源架构，适用于要求严苛的消费类和工业应用——从电池供电设备到全电气化系统——从而支持下一代更智能、更节能的产品。

功率密度与效率，兼具可靠性

  • 可靠的性能与效率

    高功率密度与高效能量转换，支持可扩展的BCD电压范围（5V–150V），并具备高达200V的深沟槽隔离，以最大限度地降低损耗

  • 通过整合实现创新

    在单芯片上集成GaN和BCD技术，并辅以嵌入式存储器选项，以支持紧凑型、高效率的功率集成电路

  • 降低金属化工艺的开销

    用于BCD工艺及功率GaN铜后端工艺（BEOL）的活性铜柱键合技术，在提升功率密度和热性能的同时，还能降低布线开销

  • 汽车级可靠性

    支持多种认证选项，包括Auto Grade 0（最高175°C）和Auto Grade 1（最高150°C），可在恶劣的工作环境中提供可靠的性能

  • 电压与功率范围内的模块化

    解决方案涵盖低压至高压运行范围，可在统一平台内实现从简单的PMIC到复杂的电源管理和电机控制系统的设计自由

  • 多元化制造

    我们在美国、德国和新加坡设有多个BCD制造基地，其中位于佛蒙特州伯灵顿的工厂拥有值得信赖的美国GaN制造能力

重点技术

  • BCD

    通过集成模拟、数字和功率器件，我们的BCD 技术 提供了高效的混合–信号功率集成电路，具备可扩展的低 至 高–电压 ，集成 无源元件 和嵌入式存储器，从而实现更长的电池续航时间、更快的 充电 以及灵活的电源架构。  
    了解更多：BCD

  • 功率GaN

    充分利用广泛的–利用氮化镓的宽带隙优势，我们的 功率 GaN 技术 提供高功率密度和高–高效电力转换，具有更低的损耗和更快的开关速度，并辅以灵活的PDK和集成方案 优化 针对 下一代–新一代 电力系统。  
    了解更多：功率GaN

借助我们值得信赖的合作伙伴生态系统，扩展您的设计

通过与我们的全球合作伙伴网络建立合作，为您的下一次设计创新注入动力。该网络已在我们的BCD和功率GaN技术领域经过验证，能够满足您的设计和应用需求。

  • Analog Bits
  • 新思科技
  • eMemory
  • VeriSilicon
  • 西门子
  • 鏗鏘有力
  • EnSilica
  • Presto
  • Innosilicon
  • 是德科技
  • 核心价值
  • Photeon
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常见问题

  • 我们的BCD技术在马耳他、德累斯顿和新加坡的工厂采用300毫米工艺进行生产，此外在伯灵顿和新加坡还设有200毫米工艺的生产线。
  • 我们的功率GaN技术是在伯灵顿那家值得信赖的200毫米工厂生产的。

我们的BCD器件已通过认证，符合严格的汽车级标准（汽车级0级和1级），其中BCD和GaN器件均符合JEDEC标准以及数据中心/工业标准*。

*认证可能因工艺技术而异

  • 我们的BCD技术支持5V至150V的工作电压，其中高压BCD解决方案采用深沟槽隔离技术，最高可达200V。
  • 我们正在不断扩充的氮化镓（GaN）产品组合，致力于提供中高压电力转换解决方案，以满足消费类和工业电力应用的需求。

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