随着消费者对新一代智能移动设备的需求日益增长，以及射频和电池性能要求的不断提高，电路板上的每一平方毫米空间都至关重要。前端模块必须在不增加占板面积的前提下，支持更多频段、更多功能以及更复杂的开关架构。要实现这一集成水平，既需要先进的射频开关技术，也需要创新的设计平台，这些平台有助于在保持现代设备所需性能和可靠性的同时，缩小占板面积。

正是在这一点上，我们的SLATE™晶圆对晶圆键合技术提供了一条切实可行的解决方案——通过大幅缩减射频开关的布局面积，为紧凑型、高性能蜂窝前端实现了先进的 3D 集成（3DI）。这种程度的面积缩减为集成开辟了新的机遇；尽管该工艺本身颇具创新性，但我们能让您轻松地将现有的射频设计迁移到该平台上。

3DI 轻松上手：将您的设计从 9SW 无缝迁移至 9SW SLATE

我们搭载 9SW 技术的第一代 SLATE 技术支持晶圆对晶圆（W2W）键合和 3D 同质集成，可将两片 9SW 晶圆键合在一起，从而实现大型场效应晶体管（FET）的垂直堆叠。这种将大型 FET“折叠”在键合晶圆上的能力，是减少横向面积的同时保持先进射频前端所需电气性能的基础。 借助这一方法，设计人员可以无缝地将传统的 2D 9SW 单极单掷 (SPST) 开关转换为紧凑的 3D 架构。

所有这些工作均可在 PDK 环境中，借助业界最新的 EDA 工具来完成。射频设计师可以利用自动化的流程，将原始的 2D 9SW 设计直观地迁移到 3D 架构中，该流程会生成新的器件结构。这一过程基于已确立的设计规则，由设计师根据其独特需求进行设置。 关键参数（如总宽度和堆叠配置）得以保留，同时该平台会智能地将器件划分为顶部和底部元件，并将指状结构的数量减少多达一半。自动约束分配、原理图划分以及布局层次结构的创建，确保生成的3D设计在电气性能上与原始设计保持一致。

设计人员可以利用自动化工具对齐 3D 引脚、管理连接关系并最终确定引脚布局，这些工具既能保证精度，又能减少人工操作。最终将获得一个完全迁移且经过全面验证的 3D 射频开关设计，该设计可在无需从头重新设计的情况下，显著节省芯片面积。

如需进一步了解如何利用 9SW 将现有的射频设计从 9SW 迁移至 SLATE 技术，您可以观看由我们内部技术专家制作的教程视频。

为射频系统架构师创造有意义且可衡量的价值

对于开发面向未来射频前端模块的设计师而言，采用 9SW 的 SLATE 技术具有明显的优势：

  • 整体芯片尺寸最多可缩减45%，从而减少射频电路板的占用空间以及面向空间受限的移动应用的总设计面积
  • 通过W2W键合实现先进的3D集成（3DI），从而实现大尺寸场效应晶体管（FET）的垂直堆叠
  • 均质3DI，在缩小横向占用面积的同时保持电气性能
  • 基于 PDK 的 自动化迁移工具，可加快开发进度并降低设计复杂度
  • 基于我们行业领先的9SWRF-SOI 、已在新加坡300毫米工厂投产的量产级技术，预计将于2027年下半年开始量产

这些优势不仅体现在射频开关上，还延伸至其他关键前端组件——包括低噪声放大器（LNA）和天线调谐器——这使得 9SW SLATE 成为下一代移动和连接解决方案的极具吸引力的平台。

了解搭载 9SW 的 SLATE 技术能为您的下一个射频设计带来哪些可能性

如果您希望缩小射频开关的占板面积并提高集成密度，我们的团队随时准备通过提供详细的教程和参考流程，与您在下一项开发项目中展开合作。

请联系您的 GF 代表，进一步了解合作机会，以及 SLATE 技术与 9SW 如何助力您实现下一次射频创新。

作者：Jignesh Patel，射频设计支持部门杰出技术人员