我承认：企业人工智能（Enterprise AI）是一部让人坐立不安的惊悚片，理所当然地吸引了所有人的目光，包括我在内。然而，在 GlobalFoundries（GF），我们一直在关注嵌入式领域一场无声的人工智能革命，这场革命正在影响从边缘到终端的所有终端市场。
与企业级人工智能一样，嵌入式人工智能正在所有开发者试图有效融入人工智能的应用程序中全面普及。开发者将更低的延迟和数据/资产保护——这些是嵌入式人工智能的强有力卖点——作为核心优势，同时调整人工智能模型的复杂度，使其适应应用场景在power、性能和内存方面的限制。
GF 的超低Power 产品系列是设计下一代嵌入式人工智能应用的理想基础。
在边缘计算领域，嵌入式系统正寻求高性能处理能力，以运行更复杂的AI模型。我们的12LP+FinFET平台是此类应用的理想选择，它提供业界领先的power、性能和面积（PPA）表现，能够在更小的芯片power 集成更power ，并提升整体效率。
随着应用程序逐渐脱离边缘计算，向终端设备靠近或直接部署在终端上，市场对能够在不牺牲power 实现性能最大化的系统级芯片（SoC）的需求日益增长。正因如此，我们的客户一直成功地采用 22FDX®——这是一种全耗尽型绝缘体上硅（SOI）工艺技术，能在平面工艺中提供媲美FinFET的性能与能效。
从智能家居安防到可穿戴健身及医疗设备，我们的22FDX平台已成功应用于各类始终在线、采用电池供电的设备中，这些设备依赖于响应迅速且可靠的无线连接以及极高的power 。如今，GF正凭借22FDX+平台继续突破性能与能效的极限——这是我们最新一代已投入量产的FD-SOI工艺技术，专为满足当今高要求应用而设计。
以下是 22FDX+ 平台在嵌入式人工智能应用中的独特之处：
- 自适应体偏置（ABB）是一项由我们与新思科技（Synopsys）、Racyics和Dolphin Semiconductor 等生态系统合作伙伴成功合作开发的功能，它能够动态调整晶体管阈值电压，以确保应用在power 范围内运行，或power 需要逐步增加计算power 。 ABB支持0.4V的较低标称电压（Vnom），与当前0.5V的Vnom相比，可将总power mW/MHz）降低30%。
- 新型基于逻辑的位单元存储器支持0.4V至0.9V的电压范围，采用单电源轨设计，与通常仅限于0.65V单电源轨、且需采用双电源轨方案才能实现更低电压的代工厂位单元存储器相比，power 高达30%power ，并提升1.8至2倍的性能。 在提升性能的同时power （例如在相同power实现更高的每秒推理次数），这将使22FDX+器件在视觉应用领域迈上新台阶*。
- 22FDX+ 的超低漏电 (ULL) SRAM 保持漏电低至0.35pA/单元（带源偏置），比 12 纳米工艺低约 5 倍。
- 采用 22 FDX+ 设计的“始终在线”模块，其漏电流比其他技术低达 50%。降低有功power 对于最大限度延长电池供电应用（尤其是资产追踪）的电池寿命power 。
- 22 FDX+ 提供多种库选项（ULP、HP、ULL），支持 0.4 至 0.9V 的工作电压（VDD）和各种内存 IPS。
如需进一步了解 22FDX+ 及我们的超Power 工艺技术如何助力您的下一代嵌入式人工智能设备，欢迎随时通过gf.com 与我们联系。
*在逻辑存储单元方面，GF 正致力于在不影响面积的情况下实现卓越的power 。
阿南德·兰加拉詹是GF公司终端市场总监
