GF 非易失性存储器产品组合中性能最高、最可靠的嵌入式存储器技术现已可用于原型开发

纽约州马耳他市，2026年3月9日——全球晶圆代工（GlobalFoundries，纳斯达克代码：GFS）（以下简称GF）今日宣布，其power FDX™平台现已支持符合汽车级1级标准的嵌入式磁性随机存取存储器（eMRAM）技术。这是GF非易失性存储器（eNVM）技术组合以及面向汽车行业的AutoPro™解决方案平台的一项重要升级。

全新的 FDX+AutoPro150 eMRAM 技术相比竞争对手的工业级存储器具有显著优势，包括经实证的高达 50 万次循环寿命、低于 10 纳秒的读取速度，以及支持更高存储密度的卓越可扩展性。 该技术旨在解决已知的磁场效应问题，并通过了在高达 150°C 严苛环境下的可靠运行认证，从而能够提供满足关键汽车应用需求的高性能系统级芯片 (SoC) 解决方案。通过与 GF 增强型 FDX 平台进行片上集成（该平台在德国和美国均有生产），可实现紧凑且多功能的设计，并具备卓越的能效和安全性。

如今，eMRAM技术已被一级OEM厂商广泛应用于软件定义车辆（SDV）和高级驾驶辅助系统（ADAS）中的微控制器单元，不仅能够实现安全关键功能的实时处理，还能支持空中升级（OTA），从而在减少停机时间的同时提升用户体验。 随着物理人工智能系统的持续发展和规模化应用，eMRAM凭借其快速访问速度和power ，为包括自动驾驶汽车和类人机器人在内的自学习实体提供了面向未来的可靠设计方案。

“随着我们推出符合汽车1级标准的FDX+AutoPro150 eMRAM平台，GF正在为最严苛的汽车和工业环境中的嵌入式内存性能树立新标杆，”GF超低power 业务高级副总裁Ed Kaste表示。 “通过将快速、可靠的MRAM与我们节能的FDX平台相结合，我们为客户开辟了一条强大的路径，助力其打造下一代软件定义车辆（SDV）和新兴的物理人工智能系统。这一里程碑彰显了GF致力于大规模交付创新的汽车级解决方案，并作为值得信赖的制造合作伙伴，赋能客户以更快的速度和更大的信心设计面向未来的解决方案。”

“MRAM 是一项处于汽车创新前沿的技术，其速度、耐用性和可靠性将助力下一代微控制器（MCU）为软件定义的车辆提供实时、分布式智能，”博世数字半导体路线图与运营副总裁多米尼克·埃尔布（Dominik Erb）博士表示。“我们欢迎格罗方德在其 FDX 平台上推出嵌入式 MRAM 技术，并打造出一种能够满足汽车行业日益增长需求的全新解决方案。”

GF 已通过其自助服务门户 GF Connect 提供 FDX+AutoPro150 eMRAM 的工艺设计套件，以助力设计流程的快速启动。受若干关键客户合作项目的推动，量产计划于 2026 年下半年在 GF 德累斯顿制造基地启动。

关于GF

格罗方德（GlobalFoundries，简称GF）是全球领先的基础半导体制造商，其产品支撑着人们的生活、工作和互联。我们通过创新并与客户合作，为汽车、智能移动设备、物联网、通信基础设施及其他高增长市场提供更power、高性能的产品。凭借覆盖美国、欧洲和亚洲的全球制造网络，GF已成为全球客户值得信赖的可靠合作伙伴。 每天，我们才华横溢的全球团队都以对安全性、耐久性和可持续性的坚定专注，持续创造卓越成果。如需了解更多信息，请访问https://gf.com。

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