Die Zukunft vorantreiben: Warum die neue Vereinbarung von GF mit TSMC die GaN-Innovation beflügelt

Am 11. November gab GlobalFoundries eine neue Partnerschaft mit der Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) im Bereich der Galliumnitrid-Technologie bekannt, die die nächste Generation von Produkten für Stromversorgungsanwendungen in Rechenzentren, der Industrie und der Automobilbranche antreiben soll. Wir haben uns mit Téa Williams, Senior Vice President des Power Business bei GF, zusammengesetzt, um über diese Technologievereinbarung zu sprechen, darüber, warum GF verstärkt auf GaN setzt, und darüber, was Kunden als Nächstes erwarten können.

Wie sieht die Technologievereinbarung zwischen GF und TSMC aus, und warum ist sie von Bedeutung?

GF hat mit TSMC einen Technologie-Lizenzvertrag über 650-V- und 80-V-GaN-Leistungstechnologien geschlossen. Konkret ermöglicht uns dies, die Entwicklung und Markteinführung von GaN-Produkten der nächsten Generation sowohl für industrielle Anwendungen wie Rechenzentren als auch für Verbraucheranwendungen wie Automobiltechnik und Smart Mobile zu beschleunigen.

Für uns ist diese Partnerschaft ein strategischer Schritt, der die bewährte Prozess-IP von TSMC mit den GaN-Angeboten und der Fertigungskapazität von GF verbindet. Diese Vereinbarung wird nicht nur die Entwicklung unserer GaN-Chips der nächsten Generation vorantreiben, um den Leistungsbedarf für geschäftskritische Anwendungen zu decken, sondern auch GaN-Kapazitäten in den USA für unseren globalen Kundenstamm bereitstellen.

Warum ist GaN gerade jetzt so wichtig?

Herkömmliche Silizium-CMOS-Technologie stößt bei der hocheffizienten Energieumwandlung an ihre Leistungsgrenzen. GaN bietet einen höheren Wirkungsgrad, eine größere Leistungsdichte und kompaktere Systeme. Genau das ist gefragt für Hyperscale-Rechenzentren, Elektrofahrzeuge, Anlagen für erneuerbare Energien und Schnellladeelektronik. GaN ermöglicht es unseren Kunden, mit weniger Energie und weniger Platz mehr zu erreichen.

Was ist der Grund für die steigenden Investitionen von GF in GaN?

Wir setzen aus drei wesentlichen Gründen verstärkt auf GaN. Erstens ist die Marktnachfrage unbestreitbar. Wir beobachten einen explosionsartigen Anstieg der Nachfrage nach effizienter Energieumwandlung – von Elektrofahrzeugen über KI-Rechenzentren bis hin zur Modernisierung der Stromnetze.

Zweitens ist GaN einfach die richtige Technologie für diese Aufgabe. Seine Leistungsmerkmale treffen genau den Sweet Spot für einige der anspruchsvollsten Systemanforderungen, darunter hohe Spannungen, hohe Frequenzen und thermische Robustheit.

Endlich können wir etwas Einzigartiges auf den Markt bringen. Wir verbinden differenzierte GaN-Technologie mit einem ganzheitlichen Ansatz für Zuverlässigkeit – von der Prozessentwicklung über die Geräteleistung bis hin zur Anwendungsintegration. Das bedeutet, dass wir Lösungen liefern, die für den Einsatz in rauen Umgebungen ausgelegt sind und langfristig Bestand haben.

Inwiefern profitieren die Kunden von dieser Vereinbarung?

Indem wir unseren Kunden Zugang zu bewährten GaN-Komponenten bieten, beschleunigen wir sowohl unsere eigene Roadmap als auch die Entwicklungszyklen unserer Kunden, sodass diese ihre Produkte schneller auf den Markt bringen können.

Da wir fortschrittliche GaN-Fertigung mit Produktionskapazitäten in den USA anbieten, um globale Projekte zu bedienen, bauen wir unsere inländischen Fertigungskapazitäten weiter aus. Dies bedeutet für unsere Kunden eine größere geografische Diversifizierung und eine höhere Widerstandsfähigkeit der Lieferkette.

Werden nur Kunden in den USA davon profitieren?

Dies wird unseren Kunden weltweit zugutekommen. Wir stehen im Gespräch mit zahlreichen US-amerikanischen und multinationalen Kunden, die sehr daran interessiert sind, mit uns zusammenzuarbeiten, während wir GaN für die Serienproduktion vorbereiten.

Wenn wir über den Ausbau von GaN sprechen, möchte ich auch unser Power Center in Kalkutta, Indien (ehemals Tagore-Team), erwähnen, das ein wesentlicher Bestandteil unserer GaN-Strategie ist. Dieses Zentrum arbeitet eng mit dem GF-Standort in Burlington zusammen. Ich freue mich darauf, auf den sich ergänzenden Kompetenzen dieser Standorte aufzubauen, um die Forschung, Entwicklung und Führungsrolle von GF bei der Herstellung von GaN-Chips auf globaler Ebene weiter voranzutreiben.

Warum wird die GaN-Technologie in Burlington, Vermont, qualifiziert und produziert?

Burlington, Vermont, ist ein Innovationszentrum für GaN. Unser Standort verfügt über fundiertes Fachwissen im Bereich Hochspannungs-GaN-on-Silicon und ist darauf ausgerichtet, die Serienproduktion für Kunden zu skalieren, die Leistungsbauelemente der nächsten Generation mit höchsten Qualitäts- und Zuverlässigkeitsstandards benötigen.

Wir freuen uns darauf, weiterhin in diese Bemühungen zu investieren und Burlington zu einem leuchtenden Beispiel für ein Kompetenzzentrum für 200-mm-GaN zu machen.

Inwiefern trägt dies zur Führungsrolle der USA im Halbleiterbereich bei, und ist dies auf die Handelspolitik und Zölle zurückzuführen?

Bei dieser Vereinbarung geht es darum, die Markteinführungszeit zu verkürzen und hier in den USA eine widerstandsfähige, ausgewogene Produktionspräsenz aufzubauen. Indem wir fortschrittliche GaN-Technologien auf US-amerikanischem Boden qualifizieren, stärken wir die heimische Versorgung mit wichtigen Leistungshalbleitern und bedienen gleichzeitig globale Märkte. Ungeachtet der sich ständig ändernden Zölle und Handelspolitik zielt dieser Schritt darauf ab, Kunden zu unterstützen, die nationale Wettbewerbsfähigkeit zu stärken und das gesamte Halbleiter-Ökosystem auszubauen.

Was erwartet die Kunden als Nächstes?

Für alle Kunden, die für die Jahre 2026–2027 Produkteinführungen in den Bereichen Rechenzentren, Industrie oder Automobil planen, ist jetzt der richtige Zeitpunkt, sich zu beteiligen. Das Power-Team arbeitet eng mit den Bereichen Vertrieb und Fertigung zusammen, um eine geordnete Markteinführung bei Top-Kunden zu planen und gleichzeitig die Kapazitäten auszubauen, um den Markt so umfassend wie möglich zu bedienen.

Hast du noch ein paar abschließende Gedanken, Téa?

Es gab noch nie einen besseren Zeitpunkt, um im Bereich der Leistungshalbleiter tätig zu sein! Ich bin wirklich begeistert von dem, was wir hier bei GF mit GaN, BCD und integrierter Magnettechnik aufbauen. Jede dieser Prozesssäulen bietet für sich genommen schon hervorragende Chancen, doch wenn diese Stärken gebündelt werden, ermöglichen sie eine echte Differenzierung im Design von Leistungsprodukten.

Wir leben in einer Welt, in der der Energieverbrauch von Tag zu Tag an Bedeutung gewinnt: von Smartphones bis hin zu riesigen Rechenzentren. Mit unserer Innovationskraft und unserem Einfallsreichtum bei der Entwicklung nachhaltigerer und umweltfreundlicherer Energielösungen gestaltet GF schon heute eine bessere Zukunft.

Über den Autor

Téa Williams ist Senior Vice President des Geschäftsbereichs Power bei GlobalFoundries (GF), eine Position, in die sie 2023 berufen wurde. Sie verfügt über mehr als 20 Jahre umfassende Erfahrung in den Bereichen strategische Geschäftsentwicklung, Produktentwicklung und Betriebsmanagement in der Halbleiterindustrie.

Bevor sie zu GF kam, war sie als Senior Vice President des Geschäftsbereichs 3D-Sensorik bei Lumentum tätig und arbeitete 17 Jahre lang bei Texas Instruments in verschiedenen Funktionen in den Bereichen Unternehmensführung, Standortleitung und Technik.

Sie hat sowohl einen Bachelor of Science als auch einen Master of Science in Elektrotechnik von der University of Arkansas sowie eine Weiterbildung für Führungskräfte am INSEAD und an der Harvard Business School absolviert.