foundry im Bereich neuer Technologien und foundry erweitert die Kapazitäten in den USA für fortschrittliche GaN-Technologie, Entwicklung und Serienfertigung, um eine breite Palette von Anwendungen power zu unterstützen
MALTA, N.Y. und TORRANCE, Kalifornien, 20. November 2025 – GlobalFoundries (Nasdaq: GFS) (GF) und Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) gaben heute eine langfristige strategische Partnerschaft bekannt, um die in den USA ansässige Galliumnitrid (GaN)-Technologie sowie deren Entwicklung und Fertigung zu stärken und voranzutreiben. Gemeinsam werden die Unternehmen zusammenarbeiten, fortschrittliche Lösungen für kritische Anwendungen in power entwickeln und bereitstellen, die höchste Effizienz und power erfordern, darunter KI-Rechenzentren, Hochleistungsrechner, Energie- und Netzinfrastruktur sowie die Elektrifizierung der Industrie.
Navitas Semiconductor, ein Pionier im Bereich der GaN- und Hochspannungs-SiC-Technologien, hat GaN erfolgreich in Massenmärkten wie mobilen Schnellladegeräten, Unterhaltungselektronik, Hochleistungscomputern, Elektrofahrzeugen, Energiespeichern und Industriegeräten etabliert und arbeitet daran, die Einführung von GaN in power voranzutreiben. GF bringt jahrzehntelange Erfahrung als vertrauenswürdiger globaler foundry mit und gewährleistet eine zuverlässige, qualitativ hochwertige Produktion in großem Maßstab. Im Rahmen dieser langfristigen Partnerschaft werden GF und Navitas Semiconductor GaN-Technologie der nächsten Generation am GF-Standort in Burlington, Vermont, herstellen und dabei das Know-how des Standorts in der Hochspannungs-GaN-on-Silicon-Technologie sowie die langjährige Erfahrung von Navitas Semiconductor im Bereich GaN-Technologie und -Bauelemente nutzen. Die Entwicklung soll Anfang 2026 beginnen, die Produktion wird voraussichtlich im Laufe des Jahres anlaufen.
Durch die Kombination der erstklassigen Fertigungskapazitäten von GF und der führenden Rolle von Navitas im Bereich der GaN-Innovation wird diese strategische Partnerschaft den Kunden die fortschrittlichsten, sichersten und skalierbarsten GaN-Lösungen bieten. Gemeinsam werden die Unternehmen es ihren Kunden ermöglichen, einen amerikanischen Weg für GaN zu finden, der die nationale Sicherheit und Wettbewerbsfähigkeit unterstützt und gleichzeitig die Dekarbonisierung der nächsten Generation von Energie- und Rechenplattformen vorantreibt.
„GaN verändert die Art und Weise, wie die Welt power nutzt. Und diese Partnerschaft stellt einen bedeutenden Schritt nach vorn für die Führungsrolle der USA im Halbleiterbereich und den Einsatz von GaN-Technologie in wichtigen Anwendungsbereichen dar“, sagte Tim Breen, CEO von GlobalFoundries. „Durch die Zusammenarbeit mit Navitas schaffen wir eine sichere und nachhaltige Lieferkette für GaN-Technologien, die power Zukunft von KI, Energie und industrieller Innovation power .“
„Die Einführung von GaN schreitet in Märkten power wie KI-Rechenzentren, Hochleistungsrechner, Energie- und Netzinfrastrukturen sowie der industriellen Elektrifizierung zügig voran. Unsere Zusammenarbeit und Partnerschaft mit GF stellt sicher, dass Navitas die von unseren Kunden geforderte Leistung, Effizienz und Skalierbarkeit liefern und diese Lösungen für kritische Anwendungen sowie Anwendungen im Bereich der nationalen Sicherheit in den Vereinigten Staaten herstellen kann“, sagte Chris Allexandre, Präsident und CEO von Navitas. „Gemeinsam schaffen wir die Grundlage für Anwendungen der nächsten Generation, die für die nationale Wettbewerbsfähigkeit und die Nachhaltigkeit im Energiebereich von entscheidender Bedeutung sind. Unsere Partnerschaft mit GF ist ein weiterer Meilenstein und ein Schritt nach vorne für Navitas 2.0.“
Über GF
GlobalFoundries (GF) ist ein führender Hersteller von Halbleitern, auf die sich die Welt im Alltag, bei der Arbeit und bei der Vernetzung verlässt. Wir entwickeln innovative Lösungen und arbeiten eng mit unseren Kunden zusammen, um power und leistungsstärkere Produkte für die Automobilindustrie, intelligente Mobilgeräte, das Internet der Dinge, die Kommunikationsinfrastruktur und andere wachstumsstarke Märkte bereitzustellen. Mit unseren Produktionsstätten in den USA, Europa und Asien ist GF ein vertrauenswürdiger und zuverlässiger Partner für Kunden auf der ganzen Welt. Jeden Tag liefert unser talentiertes globales Team Ergebnisse mit einem unerschütterlichen Fokus auf Sicherheit, Langlebigkeit und Nachhaltigkeit. Weitere Informationen finden Sie unter www.gf.com.
Über Navitas
Navitas Semiconductor ist ein führender Anbieter power der nächsten Generation in den Bereichen Galliumnitrid (GaN) und integrierte Schaltkreise sowie Hochspannungs-Siliziumkarbid (SiC)-Technologie und treibt Innovationen in den Bereichen KI-Rechenzentren, Hochleistungsrechner, Energie- und Netzinfrastruktur sowie industrielle Elektrifizierung voran. Mit mehr als 30 Jahren kombinierter Expertise in Wide-Bandgap-Technologien integrieren power power, Ansteuerung, Steuerung, Sensorik und Schutz und bieten so power schnellere power , höhere Systemdichte und größere Effizienz. GeneSiC™ -Hochspannungs-SiC-Bauteile nutzen die patentierte Trench-Assisted-Planar-Technologie, um branchenführende Spannungsfähigkeit, Effizienz und Zuverlässigkeit für Anwendungen in der Mittelspannungs-Netzinfrastruktur zu bieten. Navitas verfügt über mehr als 300 erteilte oder angemeldete Patente und ist das weltweit erste Halbleiterunternehmen, das CarbonNeutral®-zertifiziert ist.
Zukunftsorientierte Informationen
Diese Pressemitteilung kann zukunftsgerichtete Aussagen enthalten, die mit Risiken und Ungewissheiten verbunden sind. Die Leser werden davor gewarnt, sich auf diese zukunftsgerichteten Aussagen zu verlassen. Diese zukunftsgerichteten Aussagen gelten nur zum Zeitpunkt der Veröffentlichung dieser Pressemitteilung. Weder GF noch Navitas Semiconductor sind verpflichtet, diese zukunftsgerichteten Aussagen zu aktualisieren, um sie an Ereignisse oder Umstände nach dem Datum dieser Pressemitteilung oder an die tatsächlichen Ergebnisse anzupassen, sofern dies nicht gesetzlich vorgeschrieben ist.
Ansprechpartner für die Medien:
GF
Stephanie Gonzalez
Navitas Halbleiter
Vipin Bothra
