新技术与代工合作伙伴关系的结合，将扩大美国在先进氮化镓（GaN）技术、设计及大规模制造方面的产能，以支持各类power 应用
纽约州马耳他市和加利福尼亚州托伦斯市，2025年11月20日——格罗方德（纳斯达克代码：GFS）（GF）与Navitas Semiconductor（纳斯达克代码：NVTS）今日宣布建立长期战略合作伙伴关系，旨在加强并加速美国本土的氮化镓（GaN）技术、设计及制造能力。 双方将携手合作，共同开发并提供面向高power 关键应用的先进解决方案，这些应用对能效和power 有着极高要求，包括人工智能数据中心、高性能计算、能源与电网基础设施以及工业电气化领域。
Navitas Semiconductor 作为氮化镓（GaN）和高压碳化硅（SiC）技术的先驱，已在移动快充、消费电子、高性能计算、电动汽车、储能及工业设备等大规模市场成功部署了 GaN 技术，并致力于加速 GaN 在power 应用。GF 作为值得信赖的全球代工合作伙伴，拥有数十年的丰富经验，可确保大规模、可靠且高质量的生产。 通过此次长期合作，GF与Navitas Semiconductor将在GF位于佛蒙特州伯灵顿的工厂共同制造新一代GaN技术产品，该工厂将凭借其在高压硅基GaN技术方面的专业优势，结合Navitas Semiconductor在GaN技术及器件领域深厚的积淀。项目计划于2026年初启动开发，并有望于同年晚些时候开始量产。
通过将GF世界一流的制造能力与Navitas在氮化镓创新领域的领先地位相结合，这一战略合作伙伴关系将为客户提供最先进、安全和可扩展的氮化镓解决方案。两家公司将共同帮助客户实现美国的氮化镓之路，支持国家安全和竞争力，同时推动下一代能源和计算平台的去碳化。
“氮化镓正在改变全球power传输的方式。此次合作标志着美国在半导体领域的领导地位以及氮化镓技术在关键应用领域的部署取得了重大进展，”格罗方德首席执行官蒂姆·布林表示。“通过与Navitas携手合作，我们将为power 人工智能、能源及工业创新power 氮化镓技术构建安全且可持续的供应链。”
“在人工智能数据中心、高性能计算、能源与电网基础设施以及工业电气化等大power 市场中，氮化镓（GaN）的应用正在加速推进。我们与GF的合作与伙伴关系，确保了Navitas能够提供客户所需的性能、效率和规模，并在美国的关键及国家安全应用领域制造这些解决方案，”Navitas总裁兼首席执行官克里斯·亚历山大（Chris Allexandre）表示。 “我们正携手为下一代应用奠定基础，这些应用对国家竞争力和能源可持续性至关重要。与GF的合作是Navitas 2.0的又一里程碑，也是向前迈出的重要一步。”
关于GF
格罗方德（GlobalFoundries，简称GF）是全球领先的基础半导体制造商，其产品支撑着人们的生活、工作和互联。我们通过创新并与客户合作，为汽车、智能移动设备、物联网、通信基础设施及其他高增长市场提供更power、高性能的产品。凭借覆盖美国、欧洲和亚洲的全球制造网络，GF已成为全球客户值得信赖的可靠合作伙伴。 每天，我们才华横溢的全球团队都以对安全性、耐久性和可持续性的坚定专注，持续创造卓越成果。如需了解更多信息，请访问 www.gf.com。
关于纳维塔斯
Navitas Semiconductor 是新一代power 领导者，专注于氮化镓（GaN）和集成电路（IC）器件以及高压碳化硅（SiC）技术，致力于推动人工智能数据中心、高性能计算、能源与电网基础设施以及工业电气化领域的创新。 凭借在宽禁带技术领域超过30年的综合专业经验，GaNFast™ power 集成了GaNpower、驱动、控制、传感和保护功能，可实现更快的power 、更高的系统集成密度和更出色的效率。GeneSiC™高压SiC器件利用专利的沟槽辅助平面技术，为中压电网基础设施应用提供业界领先的耐压能力、效率和可靠性。 Navitas 拥有 300 多项已获授权或正在申请的专利，并成为全球首家获得CarbonNeutral® 认证的半导体公司。
前瞻性信息
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纳维塔斯半导体公司
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