GF嵌入式存储器产品组合中的最新技术现已可用于原型开发
加利福尼亚州圣克拉拉，2025年8月28日——今日， GlobalFoundries（纳斯达克代码：GFS）（GF）在其于加利福尼亚州举办的年度技术峰会上宣布，其采用电阻式随机存取存储器（RRAM）技术的22FDX+工艺正式投入量产，这标志着该公司嵌入式非易失性存储器（eNVM）解决方案产品组合取得了重大进展。 这项全新的RRAM技术与高性能、power 22FDX®平台相结合，为无线微控制器和AI物联网应用提供了安全、低延迟、高密度的嵌入式代码存储内存。
GF的嵌入式RRAM采用经业界验证的OxRAM技术设计，是一款兼具power 、高耐用性和卓越数据保持能力的经济型存储器。通过与GF增强型22FDX平台进行片上集成，该产品在数据保持能力、可靠性、安全性及power 均得到提升，从而为智能互联设备打造出紧凑且功能多样的系统级芯片（SoC）解决方案。
RRAM 的高密度和可扩展性非常适合依赖边缘高性能智能的人工智能物联网设备，如传感器、可穿戴设备和工业系统。22FDX+ RRAM 还能为神经网络提供权重存储，从而实现更有效、更复杂的网络。
“我们很高兴将22FDX+ RRAM纳入GF日益扩大的差异化技术组合中，该技术具备实现边缘端power互联智能所需的先进特性，”GF超低power 产品线高级副总裁Ed Kaste表示。 “我们的最新解决方案在集成密度、power 实现了令人信服的结合，使其非常适合应对下一代AI赋能和联网设备所面临的挑战。”
“随着我们不断突破超低power 解决方案的界限，以满足新一代联网产品和人工智能设备的需要，GlobalFoundries 已成为 Nordic Semiconductor 的重要合作伙伴，”Nordic Semiconductor 短距离通信业务执行副总裁 Oyvind Strom 表示。 “我们欢迎GF推出嵌入式RRAM，这标志着一项重大技术进步，能够实现安全、可扩展power边缘智能。通过弹性全球供应链实现的此类创新，对于满足互联系统在性能、可靠性和可持续性方面日益增长的需求至关重要。”
22FDX+ RRAM 的宏观初步设计工具包可通过 GF 的自助式 GF Connect 门户网站获取，以帮助启动设计流程。在几家关键客户的推动下，预计将于 2026 年实现量产。未来几代嵌入式 RRAM 技术和其他平台的部署正在开发中。
关于GF
格罗方德（GlobalFoundries，简称GF）是全球领先的基础半导体制造商，其产品支撑着人们的生活、工作及互联互通。我们通过创新并与客户合作，为汽车、智能移动设备、物联网、通信基础设施及其他高增长市场提供更power、高性能的产品。凭借覆盖美国、欧洲和亚洲的全球制造网络，GF已成为全球客户值得信赖的可靠合作伙伴。 每天，我们才华横溢的全球团队都以对安全性、耐久性和可持续性的坚定专注，持续创造卓越成果。如需了解更多信息，请访问www.gf.com。
前瞻性信息
本新闻稿可能包含前瞻性声明，这些声明涉及风险和不确定性。请读者注意不要过分依赖任何这些前瞻性声明。这些前瞻性声明仅在本新闻稿发表之日有效。除非法律要求，否则GF没有义务更新这些前瞻性声明以反映本新闻稿发布日期之后的事件或情况，或反映实际结果。
媒体联系人：
Stephanie Gonzalez
