Die neueste Technologie aus dem Embedded-Speicher-Portfolio von GF steht nun für die Prototypenentwicklung zur Verfügung

SANTA CLARA, Kalifornien, 28. August 2025 – GlobalFoundries (Nasdaq: GFS) ( ) gab heute auf seinem jährlichen Technology Summit in Kalifornien die Verfügbarkeit seines 22FDX+ mit Resistive-RAM-Technologie (RRAM) bekannt und markiert damit einen bedeutenden Fortschritt im Portfolio des Unternehmens an Lösungen für eingebettete nichtflüchtige Speicher (eNVM). Die neue RRAM-Technologie bietet in Kombination mit der leistungsstarken, extrem power 22FDX®-Plattform einen sicheren, latenzarmen und hochdichten eingebetteten Speicher für die Codespeicherung in drahtlosen Mikrocontrollern und KI-IoT-Anwendungen.

Der eingebettete RRAM von GF basiert auf der branchenbewährten OxRAM-Technologie und bietet einen kostengünstigen Speicher mit geringem power , hoher Lebensdauer und hervorragender Datenspeicherung. Die On-Chip-Integration mit der verbesserten 22FDX-Plattform von GF sorgt für eine verbesserte Datenspeicherung, Zuverlässigkeit, Sicherheit und power und ermöglicht so kompakte und vielseitige System-on-Chip-Lösungen (SoC) für intelligente, vernetzte Geräte.

Die hohe Dichte und Skalierbarkeit von RRAM ist ideal für KI-fähige IoT-Geräte, die auf leistungsstarke Intelligenz am Rande des Netzwerks angewiesen sind, wie Sensoren, Wearables und industrielle Systeme. 22FDX+ RRAM ermöglicht auch die Gewichtsspeicherung für neuronale Netze, wodurch effektivere und komplexere Netzwerke möglich werden.

„Wir freuen uns, das wachsende Portfolio an differenzierten Technologien von GF um 22FDX+ RRAM zu erweitern, das über die fortschrittlichen Funktionen verfügt, die für power, vernetzte Intelligenz am Edge erforderlich sind“, sagte Ed Kaste, Senior Vice President der power von GF. „Unsere neueste Lösung bietet eine überzeugende Kombination aus Dichte, Leistung und power und eignet sich daher hervorragend für die Herausforderungen der nächsten Generation von KI-fähigen und vernetzten Geräten.“

„GlobalFoundries ist ein wichtiger Partner für Nordic Semiconductor, während wir die Grenzen von power Lösungen power extrem geringem power für die nächste Generation vernetzter Produkte und KI-fähiger Geräte erweitern“, sagte Oyvind Strom, EVP Short-Range bei Nordic Semiconductor. „Wir begrüßen die Einführung von Embedded-RRAM durch GF als bedeutenden Fortschritt, der sichere, skalierbare und power Edge-Intelligenz ermöglicht. Diese Art von Innovation – bereitgestellt durch eine robuste globale Lieferkette – ist unerlässlich, um den wachsenden Anforderungen an Leistung, Zuverlässigkeit und Nachhaltigkeit in vernetzten Systemen gerecht zu werden.“

Ein vorläufiges Makro-Design-Kit für 22FDX+ RRAM ist über das Self-Service-Portal GF Connect erhältlich, um den Designprozess zu beschleunigen. Die Serienproduktion ist für 2026 geplant und wird durch mehrere wichtige Kundenaufträge vorangetrieben. Künftige Generationen der eingebetteten RRAM-Technologie und der Einsatz auf anderen Plattformen sind in der Entwicklung.

Über GF

GlobalFoundries (GF) ist ein führender Hersteller von Halbleitern, auf die sich die Welt im Alltag, bei der Arbeit und bei der Vernetzung verlässt. Wir entwickeln innovative Lösungen und arbeiten eng mit unseren Kunden zusammen, um power und leistungsstärkere Produkte für die Automobilindustrie, intelligente Mobilgeräte, das Internet der Dinge, die Kommunikationsinfrastruktur und andere wachstumsstarke Märkte bereitzustellen. Mit unseren Produktionsstätten in den USA, Europa und Asien ist GF ein vertrauenswürdiger und zuverlässiger Partner für Kunden auf der ganzen Welt. Jeden Tag liefert unser talentiertes globales Team Ergebnisse mit einem unerschütterlichen Fokus auf Sicherheit, Langlebigkeit und Nachhaltigkeit. Weitere Informationen finden Sie unter www.gf.com.

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