Technologie-Akquisition erweitert die Power-Management-Lösungen und die differenzierte Roadmap von GF
MALTA, N.Y., 1. Juli 2024 - GlobalFoundries (Nasdaq: GFS) (GF) gab heute bekannt, dass das Unternehmen das proprietäre und produktionserprobte Power Gallium Nitride (GaN) IP-Portfolio von Tagore Technology erworben hat. Dabei handelt es sich um eine Lösung mit hoher Leistungsdichte, die entwickelt wurde, um die Grenzen von Effizienz und Leistung in einer Vielzahl von Stromversorgungsanwendungen in den Bereichen Automotive, Internet der Dinge (IoT) und künstliche Intelligenz (KI) in Rechenzentren zu erweitern. Da sich die digitale Welt mit Technologien wie der generativen KI ständig weiterentwickelt, ist GaN eine entscheidende Lösung für ein nachhaltiges und effizientes Energiemanagement, insbesondere in Rechenzentren.
Die heutige Ankündigung unterstreicht das Engagement von GF bei der Herstellung von GaN-Technologie in großem Maßstab, die eine Reihe von Vorteilen bietet, um Rechenzentren dabei zu helfen, den steigenden Energiebedarf zu decken und gleichzeitig die Energieeffizienz beizubehalten oder zu verbessern, Kosten zu senken und die Wärmeentwicklung zu steuern. Die Übernahme erweitert das Power-IP-Portfolio von GF und verbessert den Zugang zu marktführender GaN-IP, die es den Kunden von GF ermöglicht, schnell differenzierte Produkte auf den Markt zu bringen. Im Rahmen der Akquisition wird ein Team erfahrener Ingenieure von Tagore, das sich der Entwicklung der GaN-Technologie widmet, zu GF wechseln.
"Wir wollen heute und in den kommenden Jahrzehnten die Grundlage für die Stromversorgungsanwendungen unserer Kunden bilden", so Niels Anderskouv, Chief Business Officer bei GF. "Mit dieser Übernahme unternimmt GF einen weiteren Schritt, um die Verfügbarkeit von GaN zu beschleunigen und unsere Kunden in die Lage zu versetzen, die nächste Generation von Power-Management-Lösungen zu entwickeln, die die Zukunft von Mobilität, Konnektivität und Intelligenz neu gestalten werden.
"Die Nachfrage nach energieeffizienteren Halbleitern steigt dramatisch an, und Tagore ist führend in der Entwicklung von bahnbrechenden Lösungen, die GaN-Technologie für eine Vielzahl von Stromversorgungsgeräten nutzen", sagte Amitava Das, Mitbegründer und Chief Operating Officer von Tagore Technology. "Das Team und ich freuen uns, mit GlobalFoundries zusammenzuarbeiten, um unseren Fokus auf marktführende IP zu verstärken, die dazu beitragen wird, die Herausforderungen des Stromversorgungsdesigns zu bewältigen und die kontinuierliche Entwicklung von Stromversorgungssystemen für Automobile, Industrie und KI-Rechenzentren zu unterstützen."
Im Februar 2024 erhielt GF im Rahmen des U.S. CHIPS and Science Act direkte Fördermittel in Höhe von 1,5 Mrd. USD. Ein Teil dieser Investition zielt darauf ab, die Großserienfertigung kritischer Technologien wie GaN zu ermöglichen, um mehr wichtige Chips sicher zu produzieren.
Durch die Kombination dieser Fertigungskapazitäten mit dem technischen Know-how des Tagore-Teams wird GF die Effizienz von KI-Systemen verändern, insbesondere bei Edge- oder IoT-Geräten, bei denen ein geringerer Stromverbrauch entscheidend ist.
„GlobalFoundries steht an der Spitze des technologischen Fortschritts. Mit dem Beitritt von Tagore Technology zum GF-Team in Indien werden wir unsere technologischen Kompetenzen weiter ausbauen, insbesondere in aufstrebenden Bereichen wie GaN“, sagte Jitendra Chaddah, Vizepräsident und Landesleiter für Indien bei GF. „Ich heiße das Tagore-Team bei GF herzlich willkommen und freue mich auf die Zusammenarbeit, während wir gemeinsam weiter wachsen und unsere technischen Kompetenzen stärken.“
Über Tagore Technology Inc.
Tagore Technology wurde im Januar 2011 gegründet, um Pionierarbeit bei der Galliumnitrid-auf-Silizium (GaN-on-Si)-Halbleitertechnologie für Hochfrequenz- (RF) und Energiemanagement-Anwendungen zu leisten. Wir sind ein Fabless-Halbleiterunternehmen mit Designzentren in Arlington Heights, Illinois, USA, und Kalkutta, Indien. Unser F&E-Team widmet sich der Entwicklung disruptiver Lösungen unter Nutzung von Wide-Bandgap-Technologien, die dazu beitragen, die Herausforderungen unserer Kunden im Bereich HF- und Leistungsdesign zu bewältigen und die Markteinführungszeit für eine breite Palette von Anwendungen zu verkürzen. Weitere Informationen finden Sie unter www.tagoretech.com.
Über GF
GlobalFoundries (GF) ist einer der weltweit führenden Halbleiterhersteller. GF definiert Innovation und Halbleiterfertigung neu, indem das Unternehmen funktionsreiche Prozesstechnologielösungen entwickelt und bereitstellt, die in weit verbreiteten, wachstumsstarken Märkten Spitzenleistungen bieten. GF bietet eine einzigartige Kombination aus Design-, Entwicklungs- und Fertigungsdienstleistungen. Mit einer talentierten und vielfältigen Belegschaft sowie einer groß angelegten Produktionspräsenz in den USA, Europa und Asien ist GF für seine weltweiten Kunden ein zuverlässiger Technologiepartner. Weitere Informationen finden Sie unter www.gf.com.
©GlobalFoundries Inc., GF, GlobalFoundries, die GF-Logos und andere GF-Marken sind Marken von GlobalFoundries Inc. oder deren Tochtergesellschaften. Alle anderen Marken sind Eigentum ihrer jeweiligen Inhaber.
Zukunftsgerichtete Informationen
Diese Pressemitteilung kann zukunftsgerichtete Aussagen enthalten, die mit Risiken und Unsicherheiten behaftet sind. Die Leser werden darauf hingewiesen, sich nicht übermäßig auf diese zukunftsgerichteten Aussagen zu verlassen. Diese zukunftsgerichteten Aussagen gelten ausschließlich zum Zeitpunkt ihrer Veröffentlichung. GF übernimmt keine Verpflichtung, diese zukunftsgerichteten Aussagen zu aktualisieren, um Ereignisse oder Umstände nach dem Datum dieser Pressemitteilung oder tatsächliche Ergebnisse widerzuspiegeln, es sei denn, dies ist gesetzlich vorgeschrieben.
Medienkontakt:
Erica McGill
[email protected]
+1-518-795-5240
