Ziel der Zusammenarbeit ist es, die CMOS-On-Chip-Speicherlösung mit der höchsten Speicherdichte für die FDX-Plattform zu entwickeln, die in fortschrittlichen KI-Chips weit verbreitet ist. Dazu sollen im Vergleich zu handelsüblichem SRAM eine Flächenreduzierung von 40 % und eine Senkung des Stromverbrauchs ( power ) um bis zu 60 % erreicht werden.
MALTA, N.Y., und Petah Tikva, Israel, 2. September 2026 – GlobalFoundries (Nasdaq: GFS) (GF) und RAAAM Memory Technologies, ein Pionier im Bereich fortschrittlicher On-Chip-Speicherlösungen, gaben heute eine strategische Zusammenarbeit zur Entwicklung und Qualifizierung der Gain-Cell-RAM-Technologie (GCRAM) bekannt. Die Partnerschaft hat mit dem erfolgreichen Tape-out eines GCRAM-Testchips auf der branchenführenden FDX™-FD-SOI-Plattform von GF einen wichtigen Meilenstein erreicht.
Da Edge-AI-, Automobil- und IoT-Geräte weiterhin beispiellose Datenmengen erfordern, ist der On-Chip-Speicher zu einem entscheidenden Engpass geworden und nimmt oft den größten Teil der Chipfläche ein. Entwickler suchen nach innovativen On-Chip-Speicherlösungen, die im Vergleich zu handelsüblichem SRAM eine höhere Speicherdichte und einen geringerenpower -Verbrauch bieten.
Unter Nutzung der patentierten GCRAM-Technologie von RAAAM haben die Unternehmen die GCRAM-Bitzelle gemeinsam unter Anwendung „verschärfter“ Designregeln auf Basis der FDX-Technologie entwickelt und dabei im Vergleich zu SRAM eine Verkleinerung der Speicherfläche um 40 % sowie eine Reduzierung der Speicher power e um bis zu 60 % erreicht. Die Unternehmen haben gemeinsam einen GCRAM-Testchip entwickelt und in Produktion gegeben. Im nächsten Schritt werden die Unternehmen Anfang 2027 damit beginnen, führenden Kunden Zugang zum GCRAM-Design zu gewähren.
„Der erfolgreiche Tape-out unseres GCRAM-Testmodells auf der FDX-Plattform von GF ist ein Beleg für die starke Synergie zwischen den Speicherinnovationen von RAAAM und der herausragenden Fertigungskompetenz von GlobalFoundries“, sagte Robert Giterman, CEO und Mitbegründer von RAAAM Memory Technologies. „Unsere GCRAM-Technologie ermöglicht es Halbleiterunternehmen, ihre On-Chip-Speicherkapazität deutlich zu erhöhen oder die Siliziumfläche zu reduzieren, während die gleiche Menge an On-Chip-Speicher beibehalten wird. Gleichzeitig verlängert die extrem geringe Leckstromrate der FD-SOI-Technologie die Datenspeicherdauer, sodass Entwickler erhebliche Energieeinsparungen für Edge-AI-Geräte erzielen können.“
„Bei GlobalFoundries erweitern wir kontinuierlich die Grenzen des Möglichen auf unserer FDX-Plattform und bauen unser IP-Angebot stetig aus, um den Anforderungen unserer Kunden gerecht zu werden“, sagte Sudipto Bose, Vice President für FD-SOI-Produktmanagement bei GlobalFoundries. „Die Partnerschaft mit RAAAM Memory Technologies ermöglicht es uns, unseren Kunden eine äußerst überzeugende On-Chip-Speicherlösung anzubieten, die das Verhältnis von power, Leistung und Fläche (PPA) für fortschrittliche KI- und andere Anwendungen neu definiert.“
Die Halbleiterbranche erkennt bereits das Potenzial dieser gemeinsamen Entwicklung. NXP Semiconductors, ein führender Anbieter im Bereich intelligenter Edge-Systeme, prüft derzeit eingehend die Vorteile der GCRAM-Lösung.
„Die Branche benötigt einen Paradigmenwechsel im Bereich der On-Chip-Speicher. Die von RAAAM und GF entwickelte GCRAM-Lösung bietet ein immenses Potenzial“, sagte Victor Wang, Vice President für Front-End-Innovation bei NXP Semiconductors. „Die prognostizierte Verkleinerung der Fläche und die Reduzierung der power bieten einen klaren Weg zur Steigerung der On-Chip-Speicherkapazitäten, was entscheidend ist, um den Datentransfer außerhalb des Chips zu reduzieren und eine höhere Effizienz auf Systemebene zu erzielen.“
Über GF
GlobalFoundries (GF) ist ein führender Hersteller von unverzichtbaren Halbleitern, die den großflächigen Einsatz von KI von der Cloud bis in die physische Welt ermöglichen. Durch enge Partnerschaften mit Kunden liefert GF differenzierte, energie power-effiziente und leistungsstarke Lösungen für die Automobil-, Luftfahrt- und Verteidigungsindustrie, Rechenzentren, intelligente Mobilgeräte, das Internet der Dinge und andere wachstumsstarke Märkte. Mit weltweiten Produktionsstätten in den USA, Europa und Asien ist GF ein vertrauenswürdiger und ganzheitlicher Technologiepartner für Kunden auf der ganzen Welt. Das talentierte, globale Team von GF konzentriert sich jeden Tag auf Sicherheit, Langlebigkeit und Nachhaltigkeit.
Weitere Informationen finden Sie unter www.gf.com.
Über RAAAM Technologies
RAAAM Memory Technologies ist ein Fabless-Unternehmen für Halbleiter-IP, das die branchenweit kostengünstigste On-Chip-Speichertechnologie anbietet. Die patentierte Gain-Cell-RAM-Technologie (GCRAM) von RAAAM ermöglicht im Vergleich zu herkömmlichem SRAM eine Reduzierung der Siliziumfläche um bis zu 50 % und eine Senkung des Stromverbrauchs im power -Modus um bis zu 3:1. GCRAM kann in SoCs als direkter SRAM-Ersatz eingesetzt werden und ist vollständig kompatibel mit Standard-CMOS-Fertigungsabläufen. Dadurch können Entwickler mehr Speicher auf einer kleineren Chipfläche bei geringerem Stromverbrauch im power -Modus integrieren.
Weitere Informationen finden Sie unter www.raaam-tech.com.
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