此次合作旨在为广泛应用于先进AI芯片的FDX平台提供密度最高的标准CMOS片上存储器解决方案，与商用SRAM相比，可实现40%的面积缩减，并将power 降低多达60%。

纽约州马耳他市和以色列佩塔提克瓦，2026年9月2日——全球晶圆代工公司（纳斯达克代码：GFS）（GF）与先进片上存储器解决方案的先驱RAAAM Memory Technologies今日宣布达成战略合作，共同开发并验证增益单元随机存取存储器（GCRAM）技术。 双方的合作已取得重大里程碑，在GF业界领先的FDX™FD-SOI平台上成功完成了GCRAM测试芯片的流片。

随着边缘人工智能、汽车和物联网设备对数据的需求持续达到前所未有的水平，片上存储器已成为关键瓶颈，且通常占据了芯片面积的大部分。设计人员正在寻求创新的片上存储器解决方案，以期在密度更高、功耗更低power 方面优于通用SRAM。

借助RAAAM的专利GCRAM技术，双方公司基于FDX工艺，采用“推式”设计规则共同设计了GCRAM位单元，与SRAM相比，实现了40%的存储器面积缩减，并将存储器power 降低了高达60%。 双方已共同设计并流片了一款GCRAM测试芯片。下一步，双方将于2027年初开始向主要客户提供GCRAM设计访问权限。

“我们在GF的FDX平台上成功完成了GCRAM测试样片的流片，这充分证明了RAAAM的存储器创新与GlobalFoundries卓越制造能力之间的强大协同效应，”RAAAM Memory Technologies首席执行官兼联合创始人罗伯特·吉特曼（Robert Giterman）表示。 “我们的GCRAM技术使半导体公司能够在保持相同片上内存容量的同时显著增加片上内存容量，或在保持相同片上内存容量的同时缩小硅片面积；而FD-SOI技术的超低漏电流则延长了数据保持时间，使设计人员能够为边缘AI设备实现显著的能耗节约。”

“在格罗方德，我们不断拓展FDX平台的可能性边界，并持续优化我们的IP产品组合，以满足客户的需求，”格罗方德FD-SOI产品管理副总裁苏迪普托·博斯（Sudipto Bose）表示。 “与RAAAM Memory Technologies合作，使我们能够为客户提供一款极具吸引力的片上存储器解决方案，该方案重新定义了先进人工智能及其他应用领域的power-性能-面积（PPA）平衡。”

半导体生态系统已经意识到了这项联合开发的潜力。作为边缘智能系统领域的领导者，恩智浦半导体（NXP Semiconductors）正在深入评估GCRAM解决方案的优势。

“该行业需要在片上存储器领域实现范式转变。RAAAM与GF联合开发的GCRAM解决方案具有巨大的潜力，”恩智浦半导体（NXP Semiconductors）前端创新副总裁Victor Wang表示。“预计的面积缩小和power 降低，为提升片上存储器容量提供了明确的途径，这对减少片外数据传输、提高系统级效率至关重要。”

关于GF

GlobalFoundries（GF）是一家领先的关键半导体制造商，致力于推动人工智能从云端到现实世界的规模化应用。 通过与客户建立深度合作伙伴关系，GF为汽车、航空航天与国防、数据中心、智能移动设备、物联网及其他高增长市场提供差异化、power 高效且高性能的解决方案。凭借遍布美国、欧洲和亚洲的全球制造网络，GF已成为全球客户值得信赖的全方位技术合作伙伴。GF才华横溢的全球团队每天都致力于保障安全性、延长产品寿命并践行可持续发展。

如需了解更多信息，请访问www.gf.com。

关于 RAAAM Technologies

RAAAM Memory Technologies 是一家无晶圆厂半导体 IP 公司，提供业内最具成本效益的片上存储器技术。 RAAAM 获得专利的增益单元随机存取存储器（GCRAM）技术，与传统 SRAM 相比，可将硅片面积减少高达 50%，并将power 功耗降低多达 3 倍。GCRAM 可作为 SoC 中 SRAM 的直接替代方案，并与标准 CMOS 制造工艺完全兼容，使设计人员能够在更小的芯片面积内集成更多存储器，同时降低power 功耗。

如需了解更多信息，请访问www.raaam-tech.com。

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Stephanie Gonzalez
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