So wie die zunehmende Verbreitung von KI das Wachstum von Rechenzentren vorantreibt, treibt die steigende Nachfrage nach mobilem Datenverkehr die Entwicklung von drahtlosen Kommunikationssystemen der nächsten Generation voran. In den Bereichen Satellitenkommunikation, Luft- und Raumfahrt, Verteidigung und Kommunikationsinfrastruktur müssen HF-Systeme der nächsten Generation power höhere power, größere Bandbreite und höhere Effizienz bieten und gleichzeitig die Systemgröße, die Kosten und die Komplexität reduzieren. Die Innovationskraft der Halbleiterindustrie stellt sich dieser systemtechnischen Herausforderung.

Im Mittelpunkt dieser Chance steht HF-Galliumnitrid (GaN). Bei GF RF GaN von einer spezialisierten Hochleistungstechnologie zu einer groß angelegten, kommerziell tragfähigen Plattform. Unser GaN-on-Silicon-Ansatz (GaN-on-Si) verbindet die Leistungsvorteile von GaN mit den Kostenvorteilen und dem Volumen der 200-mm-Siliziumfertigung – ein entscheidender Schritt hin zur breiteren Einführung von GaN-Lösungen, die die Konnektivität der nächsten Generation revolutionieren werden.

Erfüllung der Anforderungen von RF-Systemen der nächsten Generation

Moderne Funk- und Sensorsysteme müssen über immer breitere Frequenzbereiche hinweg arbeiten, von Sub-6-GHz bis hin zu Millimeterwellen, und dabei power , Signalintegrität und Integration in Einklang bringen.

Dies zeigt sich besonders deutlich bei:

  • – Satellitenkommunikation, bei der Sender und kompakte Endgeräte power höhere power Effizienz bei geringeren Systemkosten erfordern
  • – Luft- und Raumfahrt sowie Verteidigung, wo die Signalqualität und Zuverlässigkeit bei Fernübertragungen unter extremen Bedingungen von entscheidender Bedeutung sind
  • – Kommunikationsinfrastruktur, wo höhere Bandbreiten und power bei aktiven Antennensystemen erforderlich sind, um den wachsenden Datenbedarf zu decken

Dank unserer einzigartigen GaN-on-Si-Technologie ermöglichen wir es unseren Kunden, die Vorteile von GaN – wie die große Bandlücke, power hohe power und den hohen Wirkungsgrad – zu nutzen, um das wahre Potenzial von GaN über Nischenanwendungen hinaus auszuschöpfen. So umgehen wir die Einschränkungen bestehender Infrastrukturen und ermöglichen es Netzwerken, mit größerer Bandbreite bei höheren Frequenzen zu arbeiten.

Leistung, wo es darauf ankommt: Power, Effizienz und Zuverlässigkeit in rauen und missionskritischen Umgebungen

Unsere RF GaN wurde fürpower entwickelt und liefert überzeugende Messergebnisse:

  • – power von bis zu 5 W/mm und ein Leistungswirkungsgrad (PAE) power 70 % für Hochspannungs-HF-Anwendungen
  • – Hohe Verstärkung und Effizienz über weite Frequenzbereiche, einschließlich der FR1- und FR3-Bänder (1 bis 15 GHz)
  • – Ein hoher Wirkungsgrad verringert die kumulative thermische Belastung auf Modulebene
  • – Ein fortschrittliches RF-Back-End-of-Line (BEOL) mit mehrschichtiger Metallverdrahtung, Kondensatoren und Dünnschichtwiderständen bietet Entwicklern zusätzliche Flexibilität
  • – Die mehrschichtige BEOL-Passivierung ist feuchtigkeitsbeständig, bietet hervorragenden Schutz vor rauen Umgebungsbedingungen und verlängert die Lebensdauer des Bauteils
  • – GaN-on-Si ist frei von Gold und Arsen und bietet somit eine langfristig umweltfreundlichere und kostengünstigere Lösung

Auf Bauteilebene RF GaN von einem niedrigen Durchlasswiderstand, einer hohen Drain-Stromdichte und einem stabilen Betrieb sowohl bei niedrigen als auch bei hohen Spannungen, was den Wirkungsgrad steigert und power senkt.

Wir stellen vor: RFGaN1 – für höhere Spannungen optimiert, speziell für D-Mode-Bauteile

Wir freuen uns, heute bekannt geben zu können, dass unsere RF GaN RFGaN1 serienreif ist – unsere erste RF GaN , die für die Serienfertigung qualifiziert wurde. Die Hochspannungs-RFGaN1-Plattform ist unsere optimierte Lösung fürpower in derpower Infrastruktur, darunter power , Treiberverstärker undpower für die Satellitenkommunikation, Mobilfunkinfrastruktur sowie den Luftfahrt- und Verteidigungsmarkt.


Die inhärenten MaterialeigenschaftenRF GaNermöglichen einen robusten Betrieb und eine überragende Ausfallsicherheit in anspruchsvollen Umgebungen. Unsere RFGaN1-Technologie erweitert diese Vorteile durch Bauelemente im Depletion-Modus (D-Modus), die bei 12–28 V betrieben werden und power dauerhaft hohe power thermischen Durchbruch sowiepower bieten, wodurch die kumulative thermische Belastung auf Modulebene reduziert wird. Diese Eigenschaften sind für Luft- und Raumfahrt-, Verteidigungs- und Satellitenkommunikationssysteme von entscheidender Bedeutung und ermöglichen Schlüsselanwendungen wie Phased-Array-Radare, SATCOM-Nutzlasten und Bodenterminals.

Kunden wie Falcomm und Otava RF nutzen unsere RFGaN1-Technologie bereits heute, um innovative Lösungen für RF-Systeme der nächsten Generation zu liefern:

„Falcomm freut sich über die Einführung der RFGaN1-Plattform durch GlobalFoundries, einen wichtigen Meilenstein für die Branche, der die Hindernisse für den Einsatz von RF GaN-Technologie Technologie in großem Maßstab. Die leistungsstarken, im Inland hergestellten RF GaN-on-Si-Technologie ist entscheidend für die Erschließung der nächsten Generation von Falcomms energieeffizienten RF power für Verteidigung, Raumfahrt und kritische Infrastruktur.“

Edgar Garay, Gründer und Geschäftsführer von Falcomm

„Die RFGaN1-Plattform von GlobalFoundries bietet eine leistungsstarke Grundlage für die Zukunft adaptiver HF-Systeme und liefert die erforderliche Leistung und Effizienz erforderlich für fortschrittliche Front-Ends in den kritischen Märkten Verteidigung, 5G/6G und Satellitenkommunikation, die wir bedienen. Unsere Partnerschaft vereint erstklassige Halbleiterfertigung und bahnbrechende HF-Innovation, um Lösungen zu liefern, die die Grenzen des Möglichen in umkämpften Frequenzspektren neu definieren. Gemeinsam ermöglichen Otava RF und GF eine neue Generation agiler, leistungsstarker Kommunikations- und Sensorik-Fähigkeiten Fähigkeiten in großem Maßstab.“

Victoria Pereira, Geschäftsführerin, Otava RF

Ein praxisorientierter Weg zur RF GaN mit bewährter Fertigungskompetenz

Für HF-Entwickler waren der Zugang zu GaN-Technologie und deren Herstellbarkeit in der Vergangenheit eines der größten Hindernisse bei der Einführung von GaN. Unsere RF GaN schließt diese Zugangslücke durch Early-Access-Programme und GlobalShuttle MPW™-Programme (Multi-Project Wafer) für eine kostengünstige Prototypenentwicklung und Validierung. Mit Hilfe unserer bestehenden HF-Design-Infrastruktur und unseres GlobalSolutions™ -Partner-Ökosystems bieten wir umfassende, durchgängige Unterstützung in jeder Phase des Design- und Fertigungsprozesses.

Ein weiterer wichtiger Bestandteil unseres differenzierten RF GaN ist unsere langjährige Erfahrung in der Großserienfertigung, insbesondere im Bereich der HF-Technologien, die wir in unserer 200-mm-Fabrik in Burlington, Vermont, vorweisen können. Als „Accredited Trusted Foundry erfüllt unser Werk in Burlington die strengen Anforderungen und Sicherheitsstandards für die Herstellung kompromissloser Chips, die von der US-Regierung in Luftfahrt- und Verteidigungssystemen eingesetzt werden.

Zusammen bieten diese Elemente einen praktischen Weg zur Integration von GaN in reale Systeme, von der ersten Evaluierung bis hin zur Serienfertigung.

GaN für HF-Systeme der nächsten Generation in großem Maßstab

Die Anforderungen an HF-Systeme in den Bereichen Luft- und Raumfahrt, Verteidigung und Kommunikationsinfrastruktur entwickeln sich rasant weiter, angetrieben durch den Bedarf an höherer power, größerer Bandbreite und stärker integrierten Architekturen. RF GaN von GlobalFoundries und das Know-how des Unternehmens in der Großserienfertigung bieten eine skalierbare Lösung zur Modernisierung bestehender Systeme – mit der power und Effizienz, die für die anspruchsvollsten HF-Anwendungen erforderlich sind.

RF GaN nicht mehr nur eine Leistungstechnologie – es entwickelt sich zu einer skalierbaren Grundlage für HF-Systeme der nächsten Generation.

Wenn Sie mehr über unsere RF GaN und andere fortschrittliche HF-Lösungen erfahren möchten, besuchen Sie unseren GF-Stand (Nr. 21018) auf dem International Microwave Symposium (IMS 2026), das vom 9. bis 11. Juni in Boston, Massachusetts, stattfindet.

Von Dan Denninghoff, Senior Director, RF GaN