GlobalFoundries收购瑞萨的非易失性电阻式RAM技术，推动物联网和5G应用的发展

2023年2月9日

技术收购扩大了GF的产品组合和差异化的路线图，同时加快了存储器解决方案的商业化进程

纽约州马耳他市，2023年2月9日——格罗方德（纳斯达克代码：GFS）（GF）今日宣布，已收购瑞萨电子株式会社（Renesas）的专有且经过量产验证的导电桥接随机存取存储器（CBRAM）技术。该power 解决方案旨在支持家庭及工业物联网以及智能移动设备领域的多种应用。

这项交易进一步加强了GF的存储器产品组合，并通过增加另一种可靠的、可定制的、相对容易集成到其他技术节点的嵌入式存储器解决方案，扩展了其嵌入式非易失性存储器（NVM）解决方案的路线图。具体而言，这项技术将使客户能够进一步区分其SoC设计，并推动新一代安全和智能设备的发展。

"我们致力于使我们的技术组合与众不同，成为我们客户今天和未来几十年的节能物联网应用的基础，"GF首席业务官Mike Hogan说。"通过收购这项创新的存储技术，GF现在在加速开发NVM解决方案方面发挥着至关重要的作用，这将使我们的客户能够设计出下一代的智能和互联设备。CBRAM技术释放了性能和超低能耗的新模式，使从可穿戴设备到智能手机的各种应用，在特定的使用情况下，将电池充电的间隔时间从几小时延长到几周甚至几年。"

CBRAMpower 、高读写速度、制造成本低以及耐受恶劣环境等特点，因此特别适用于消费类、医疗类及部分工业应用。2020 年，GF 与 Dialog Semiconductor（该公司于 2021 年被瑞萨电子收购）签署了许可协议，旨在将其 CBRAM 技术作为嵌入式非易失性存储器（NVM）方案提供。目前，CBRAM正在该公司的^22FDX®平台上进行认证，并计划将其扩展至其他平台。