该技术许可协议将推动GF下一代氮化镓技术的研发，相关产品预计将于2026年底上市
纽约州马耳他市，2025年11月10日——格罗方德 （纳斯达克代码：GFS）（GF）今日宣布，已与台积电就650V和80V氮化镓（GaN）技术签署技术许可协议。 此项战略举措将加速GF面向数据中心、工业及power 下一代GaN产品开发，并为全球客户提供位于美国的GaN产能。
随着传统硅CMOS技术逐渐达到性能极限，氮化镓（GaN）正逐渐成为满足power 对更高效率、power 和更紧凑结构日益增长需求的下一代解决方案。格罗方德（GF）正在开发一套全面的GaN产品组合，其中包括高性能的650V和80V技术，旨在推动电动汽车、数据中心、可再生能源系统以及快充电子设备的应用。 GF的GaN解决方案专为严苛环境设计，采用涵盖工艺开发、器件性能及应用集成的整体化方法，全面保障GaN的可靠性。
GF将在其位于佛蒙特州伯灵顿的生产基地对获得授权的GaN技术进行认证，并利用该基地在硅基GaN高压技术方面的专业优势，为寻求新一代power 客户加速量产进程。该技术预计于2026年初完成开发，并于同年晚些时候投入生产。
“该协议彰显了GF对创新的承诺，以及我们对差异化技术的战略聚焦——这些技术致力于解决我们生活、工作和互联过程中所依赖的关键power ，”GlobalFoundriespower 高级副总裁Téa Williams表示。 “随着这项久经考验的氮化镓（GaN）技术的加入，我们将加速下一代GaN芯片的开发，并提供差异化解决方案，以填补从数据中心、汽车到工厂车间等关键任务应用中存在的关键power 。”
关于GF
格罗方德（GlobalFoundries，简称GF）是全球领先的基础半导体制造商，其产品支撑着人们的生活、工作及互联互通。我们通过创新并与客户合作，为汽车、智能移动设备、物联网、通信基础设施及其他高增长市场提供更power、高性能的产品。凭借覆盖美国、欧洲和亚洲的全球制造网络，GF已成为全球客户值得信赖的可靠合作伙伴。 每天，我们才华横溢的全球团队都以对安全性、耐久性和可持续性的坚定专注，持续创造卓越成果。如需了解更多信息，请访问www.gf.com。
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