Die Kombination der von Navitas entwickelten Gen-5-GaNFast™-Technologie und des Know-hows des Unternehmens mit den fortschrittlichen 200-mm-Fertigungs- und Prozessstandards von GlobalFoundries in den USA stärkt die Führungsposition der USA im Bereich GaN und sichert die inländische Lieferkette für KI der nächsten Generation und kritische Infrastruktur.

TORRANCE, Kalifornien, 1. September 2026 — Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS), der Branchenführer bei Halbleitern der nächsten Generation mit GaNFast™ -Galliumnitrid (GaN) und GeneSiC™- Siliziumkarbid (SiC) power , gab heute bekannt, dass die ersten Auslieferungen der in den USA hergestellten GaNFast™-Technologie der 5. Generation in Zusammenarbeit mit GlobalFoundries (Nasdaq: GFS)(GF) im September beginnen werden. Dies stellt einen wichtigen Meilenstein bei der Stärkung des heimischen GaN-Ökosystems für KI-Infrastruktur und kritische Anwendungen im Bereich der nationalen Sicherheit dar.

Im November 2025 gaben Navitas und GF eine langfristige strategische Partnerschaft bekannt, um Innovationen im Bereich GaN sowie die Produktion in den USA voranzutreiben. Navitas entwickelte seine GaNFast-FETs der 5. Generation und seine integrierten Schaltkreise (ICs) „ power “ für die Fertigung in der US-amerikanischen 200-mm-GaN-on-Si-Produktionsstätte von GF in Burlington, Vermont.

Die erste Auslieferung der GaNFast-Produktfamilie der 5. Generation stellt einen wichtigen Meilenstein in der Zusammenarbeit zwischen Navitas und GF dar und bringt die GaNFast-Technologie der nächsten Generation von Navitas in eine US-amerikanische Produktions foundry , die für KI-Infrastruktur, Hochleistungsrechner, die Elektrifizierung der Industrie und kritische Anwendungen im Bereich der nationalen Sicherheit bestimmt ist.

Seit 2014 leistet Navitas Pionierarbeit bei Innovationen im Bereich der GaN-Halbleiter power s und hat sich als Branchenführer bei GaNFast-FETs und „ power “-ICs etabliert, die „ power “, Ansteuerung, Steuerung, Sensorik und Schutzfunktionen integrieren. Mit mehr als 300 erteilten und angemeldeten Patenten in den Bereichen GaN und SiC hat Navitas fundiertes firmeneigenes Know-how in den Bereichen GaN-Prozessdesign-Kits (PDKs), Bauelementarchitekturen und „ power “-Technologien aufgebaut.

In enger Zusammenarbeit mit GF nutzte Navitas dieses Fachwissen, um seine firmeneigene Gen-5-GaNFast-Technologie und die Bauelementarchitekturen für die Fertigung auf der fortschrittlichen 200-mm-GaN-on-Silicon-Plattform von GF zu optimieren. In Verbindung mit der jahrzehntelangen Erfahrung von GF in der Halbleiterfertigung und den Kapazitäten für die Massenproduktion gewährleistet die Partnerschaft eine zuverlässige, in den USA ansässige Versorgung mit fortschrittlichen GaN- power -Halbleitern für KI-Infrastrukturen und andere kritische Anwendungen.

„Dieser Meilenstein unterstreicht die Stärke der amerikanischen Innovations- und Fertigungskompetenz“, sagte Chris Allexandre, Präsident und CEO von Navitas. „Gemeinsam mit GlobalFoundries haben wir eine zuverlässige Produktionsstätte in den USA für unsere GaNFast Gen 5-Produkte und künftige Generationen etabliert, die eine entscheidende Rolle bei der Versorgung der KI-Infrastruktur und des Hochleistungsrechnens spielen und gleichzeitig die Widerstandsfähigkeit des US-Halbleiter-Ökosystems stärken wird.“

„Die erste Lieferung aus unserer US-Fertigungslinie zeigt, wie GF und Navitas fortschrittliche GaN-Innovationen in eine sichere, skalierbare inländische Versorgung umsetzen“, sagte Kannan Soundarapandian, Senior Vice President des Geschäftsbereichs „ power “ bei GF. „Durch die Kombination der Führungsrolle von Navitas im Bereich der Halbleitertechnologie ‚ power ‘ mit der Fertigungskompetenz von GF ermöglichen wir hocheffiziente Lösungen für die ‚ power ‘, die für die KI-Infrastruktur und andere kritische Anwendungen benötigt werden, und stärken gleichzeitig die Widerstandsfähigkeit des US-amerikanischen Halbleiter-Ökosystems.“

Die erste Produktfamilie wird voraussichtlich 650-V-GaN-FETs mit RDS(ON)-Werten von 11 mΩ, 18 mΩ, 50 mΩ, 120 mΩ und 150 mΩ umfassen. Die Auslieferung der ersten Wafer ist für September geplant, interne Muster sollen im Oktober folgen, und Muster für strategische Kunden werden noch vor Jahresende bereitgestellt.

Wenn Sie mehr über die Kompetenzen von Navitas im Bereich der GaN-Technologie erfahren möchten, wenden Sie sich bitte an einen Navitas-Vertreter oder senden Sie eine E-Mail an [email protected].

Über Navitas

Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) ist ein führender Anbieter von Halbleitern der nächsten Generation mit der „ power “-Technologie in den Bereichen Galliumnitrid (GaN) und integrierte Schaltkreise (ICs) sowie Hochspannungs-Siliziumkarbid (SiC)-Technologie und treibt Innovationen in den Bereichen KI-Rechenzentren, Hochleistungsrechner, Energie- und Netzinfrastruktur sowie industrielle Elektrifizierung voran. Mit insgesamt mehr als 30 Jahren Erfahrung im Bereich der Wide-Bandgap-Technologien integrieren die GaNFast™- power - ICs GaN- power-, Treiber-, Steuerungs-, Sensor- und Schutzfunktionen und ermöglichen so eine schnellere Bereitstellung von „ power “, eine höhere Systemdichte und einen höheren Wirkungsgrad. Die GeneSiC™ -Hochspannungs-SiC-Bauelemente nutzen die patentierte „Trench-Assisted-Planar-Technologie“, um branchenführende Spannungsfestigkeit, Effizienz und Zuverlässigkeit für Mittelspannungsnetz- und Infrastrukturanwendungen zu bieten. Navitas verfügt über mehr als 300 erteilte oder angemeldete Patente und ist das weltweit erste Halbleiterunternehmen, das CarbonNeutral®-zertifiziert ist.

Über GlobalFoundries

GlobalFoundries (GF) ist ein führender Hersteller von unverzichtbaren Halbleitern, die den großflächigen Einsatz von KI von der Cloud bis in die physische Welt ermöglichen. Durch enge Partnerschaften mit Kunden liefert GF differenzierte, power und leistungsstarke Lösungen für die Automobil-, Luftfahrt- und Verteidigungsindustrie, Rechenzentren, intelligente Mobilgeräte, das Internet der Dinge und andere wachstumsstarke Märkte. Mit weltweiten Produktionsstätten in den USA, Europa und Asien ist GF ein vertrauenswürdiger und ganzheitlicher Technologiepartner für Kunden auf der ganzen Welt. Das talentierte, globale Team von GF konzentriert sich jeden Tag auf Sicherheit, Langlebigkeit und Nachhaltigkeit. Weitere Informationen finden Sie unter www.gf.com.

Navitas Semiconductor, GaNFast, GaNSense, GeneSiC und das Navitas-Logo sind Marken oder eingetragene Marken von Navitas Semiconductor Limited und verbundenen Unternehmen. Alle anderen Marken, Produktnamen und Kennzeichen sind oder können Marken oder eingetragene Marken sein, die zur Kennzeichnung von Produkten oder Dienstleistungen ihrer jeweiligen Eigentümer verwendet werden.

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