格芯以eVaderis超低耗电 MCU 参考设计强化 22FDX® eMRAM 平台

双方共同开发的技术解决方案将大幅降低物联网及穿戴式产品的耗电及晶粒尺寸

美国加利福尼亚圣克拉拉,(2018 年 2月 27 日)—— 今日,格芯 与 eVaderis共同宣布,将共同开发超低功耗MCU参考设计方案,该方案基于格芯22nm FD-SOI(22FDX®) 平台的嵌入式磁性随机存储器(eMRAM)技术。 双方合作所提供的技术解决方案将格芯22FDX eMRAM优异的可靠性与多样性与 eVaderis 的超低耗电 IP结合,适合包括电池供电的物联网产品、 消费及工业用微处理器、车用控制器等各种应用。

eVaderis 的 MCU 设计充分利用了 22FDX 平台高效的电源管理能力,相较于上一代 MCU,电池续航力可提高到10 倍以上,同时芯片尺寸大幅降低。这项由格芯FDXcelerator™ 合作项目 (FDXcelerator™ Partner Program)开发的技术,所提供的高器件密度、低成本的单芯片解决方案,特别符合对功耗敏感的应用, 可帮助芯片设计人员将效能、密度以及易用性推向新的高度。

“eVaderis 创新架构的超低耗电 MCU IP 设计以格芯 22FDX eMRAM 技术为基础打造,非常适合常闭的(normally-off)物联网应用。”eVaderis 总裁兼首席执行官 Jean-Pascal Bost 表示, “以格芯 eMRAM 作为工作内存,可让MCU的部分电路更频繁的下电,而不会引起 MCU的 性能损失。eVaderis 希望能在今年年底之前将这项通过验证的 IP 提供给客户。”

“穿戴式和物联网装置需要耐久的电池续航力、更高的运行能力并集成先进的传感器。 ”格芯嵌入式存储器事业部副总裁 Dave Eggleston 表示,“身为 FDXcelerator 合作伙伴, eVaderis运用基于格芯 22FDX 的 eMRAM技术, 开发全新的 MCU 架构,帮助客户达成更高的需求。”

格芯与eVaderis基于格芯22FDX 的 eMRAM技术共同开发的参考设计将于 2018 年第 4 季面世。 包含有eMRAM 和射频解决方案的22FDX设计套件现已发布。用于客户进行原型验证的多项目晶圆 (MPW)已经开放,现成的eMRAM 模块也已提供,有Flash 和SRAM两种接口方案可供选择, 使得客户可以更容易的进行产品设计。格芯预计eMRAM将在 2018 年开始小批量生产。

有兴趣了解更多关于格芯 22FDX eMRAM 解决方案、与 Everspin Technologies 共同合作开发的客户,可以联系格芯销售代表,或登陆网站 globalfoundries.com/cn

关于 eVaderis

eVaderis 创立于 2014 年,是全球首家以 MRAM 及 RRAM 等新型颠覆性内嵌内存技术为基础,提供创新 IP 解决方案的公司。该公司提供具备高竞争力的产品级设计服务, 可满足生产高阶非挥发性内存、编译程序、逻辑组件库及处理器子系统的需求,为新芯片设计模式建立基础。eVaderis 是格芯 FDXcelerator™ 合作伙伴计划的成员。 如需了解更多关于该公司及产品的详细信息,请至 www.evaderis.com

关于格芯

格芯是全球领先的全方位服务半导体代工厂, 为世界上最富有灵感的科技公司提供独一无二的设计、开发和制造服务。伴随着全球生产基地横跨三大洲的发展步伐,格芯促生了改变行业的技术和系统的出现, 并赋予了客户塑造市场的力量。格芯由阿布扎比穆巴达拉投资公司(Mubadala Investment Company)所有。 欲了解更多信息,请访问 https://www.globalfoundries.com/cn

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GlobalFoundries通过eVaderis的超低功耗MCU参考设计加强22FDX® eMRAM平台的实力

共同开发的技术解决方案使物联网和可穿戴产品的功率和芯片尺寸大幅降低

加州圣克拉拉,2018年2月27日 -GLOBALFOUNDRIES和eVaderis今天宣布,他们正在22纳米FD-SOI(22FDX®)平台上使用GF的嵌入式磁阻非易失性存储器(eMRAM)技术共同开发一个超低功耗的微控制器(MCU)参考设计。通过将GF的22FDX eMRAM的卓越可靠性和多功能性与eVaderis的超低功耗IP结合起来,两家公司将提供一种技术解决方案,支持一系列广泛的应用,如电池供电的物联网产品、消费和工业微控制器以及汽车控制器。

eVaderis设计的MCU利用了22FDX平台的高效电源管理功能,与上一代MCU相比,实现了10倍以上的电池寿命和大幅缩小的芯片尺寸。该技术是通过GF的FDXcelerator™合作伙伴计划开发的,将帮助设计者把性能密度和灵活性推到新的水平,为电源敏感的应用实现更紧凑、更经济的单芯片解决方案。

"eVaderis总裁兼首席执行官Jean-Pascal Bost表示:"eVaderis的超低功耗MCU IP的创新架构是围绕GF的22FDX eMRAM技术设计的,非常适用于正常情况下的物联网应用。"利用GF的eMRAM作为工作存储器,eVaderis MCU的各个部分可以频繁地进行电源循环,而不会产生典型的MCU性能损失。eVaderis期待着在今年年底前向我们的客户提供这个经过硅验证的IP。"

"可穿戴设备和物联网设备需要持久的电池寿命、更强的处理能力以及先进传感器的集成,"GF嵌入式存储器副总裁Dave Eggleston说。"作为FDXcelerator的合作伙伴,eVaderis正在开发GF的22FDX中带有eMRAM的优化MCU架构,帮助客户满足苛刻的要求。"

与GF的22FDX with eMRAM联合开发的参考设计将于2018年第四季度推出。带eMRAM的22FDX和射频解决方案的工艺设计套件现在已经推出。22FDX eMRAM在多项目晶圆(MPW)上的客户原型开发正在进行中,计划在2018年进行风险生产。现可提供现成的eMRAM宏,具有eFlash和SRAM接口选项,易于设计。

有兴趣了解更多关于GF与Everspin Technologies合作开发的22FDX与eMRAM解决方案的客户,请联系您的销售代表或访问gf.com

如需了解更多关于GF射频SOI解决方案的信息,请联系您的GF销售代表或登录www.gf.com。

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eVaderis成立于2014年,是全球首家提供基于新的、颠覆性的嵌入式存储器技术(包括MRAM和RRAM)的创新IP解决方案的公司。该公司提供极具竞争力的产品和设计服务,以应对生产先进的非易失性存储器、编译器、逻辑库和处理器子系统的挑战,为新的芯片设计模式铺平道路。 eVaderis是GLOBALFOUNDRIES的FDXcelerator™合作伙伴计划的成员。有关该公司及其产品的更多信息,请访问www.evaderis.com。

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GlobalFoundries是一家领先的提供全方位服务的半导体代工厂,为世界上一些最具灵感的技术公司提供独特的设计、开发和制造服务组合。GlobalFoundries的制造足迹遍布三大洲,使改变行业的技术和系统成为可能,并赋予客户塑造其市场的力量。GlobalFoundries由穆巴达拉投资公司拥有。欲了解更多信息,请访问https://www.gf.com。

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梦芯科技利用GLOBALFOUNDRIES 22FDX技术的汽车驾驶辅助SoC展示了卓越的功率效率

德国汉诺威,2018年2月26日 - 梦想芯片技术公司今天宣布,其用于汽车计算机视觉应用的ADAS系统芯片(SoC)的功率效率创下新高,该芯片在德国德累斯顿的代工厂采用GLOBALFOUNDRIES 22FDX®半导体工艺制造。

Dream Chip Technologies展示基于格芯22FDX®技术的使用在汽车驾驶辅助SoC的卓越电能效率。

德国汉诺威,2018年2月26日 - 梦想芯片技术公司今天宣布,其用于汽车计算机视觉应用的ADAS系统芯片(SoC)的功率效率创下新高,该芯片在德国德累斯顿的代工厂采用GLOBALFOUNDRIES 22FDX®半导体工艺制造。

22FDX 在 MWC 2018 上展示物联网牵引力

作者: Dave Lammers戴夫-拉默斯

在即将于西班牙巴塞罗那举行的世界移动通信大会(MWC 2018)上,物联网领域的竞争对手将介绍他们的芯片设计,其中包括采用 GLOBALFOUNDRIES 的22FDX®工艺的几家初创公司。

Nanotel Technology 公司首席技术官Anup Savla 说,这家年轻的公司正在设计几款用于窄带 (NB) 物联网领域的芯片。Savla 曾在英特尔工作过三年,之后在高通公司从事了 11 年的无线集成电路设计工作,他说,Nanotel 选择使用 22FDX 工艺是为了降低其混合信号 NB-IoT 调制解调器的功耗。

"我们有一个数字引擎,一个处理器,是围绕物联网应用设计的,重点是低功耗和低泄漏。有了 22FDX,就有了降低功耗和漏电的旋钮。他说:"这样做的机会是无与伦比的,批量 CMOS 无法提供这样的机会。

Nanotel 收发器的设计在首批 22FDX 设计套件正式发布之前就已开始,使用的是 0.5 PDK,但使用的是针对 0.4 V 工作电压的库。"从一开始,我们就确定了 0.4 V 库的目标。原因是相对于体 CMOS 工艺而言,0.8 V 水平的功率差异不够大。他说:"在 0.4 伏的情况下,功耗水平会大大降低,而成本却与块状 CMOS 工艺相似。

在被问及如何设计 FD-SOI 工艺时,Savla 说:"我们只是遇到了典型的早期采用型问题。部分原因是使用后浇口需要额外的建模和测试要求,但无论工艺成熟与否,这都是事实。这不一定是负面的。 如果你真的想利用这种工艺,那么你就想改变后栅极电压,但这需要额外的建模"。

Savla 说,Nanotel 芯片组的设计在数字和模拟之间平分秋色。"在同一设计中,我们可以使用具有背闸控制功能的开关,在器件基本上处于休眠状态而不使用时切断漏电流,这在体CMOS中是不容易实现的。另一方面,我们可以在有源模式器件中使用背闸,从而在非常非常低的电源供应下实现有源操作"。

Nanotel 的主要重点不是销售集成电路--它是一家以解决方案为重点的公司,为客户设计设备和数据包,使他们能够使用长距离、低成本的蜂窝网络连接,而不必依赖 WiFi。他说,拥有自己的芯片组使 Nanotel 能够降低成本,并为客户定制独特的功能。

双模连接解决方案

据 ABI Research 公司称,领先的低功耗广域(LPWA)连接标准--LTE-M 和窄带物联网(NB-IoT)--预计到 2021 年将推动物联网部署达到近 5 亿。

GF和芯原正在开发一套IP,使客户能够创建支持LTE-M或NB-IoT双模解决方案的单芯片LPWA解决方案。该IP可在单芯片上实现完整的蜂窝调制解调器模块,包括集成基带、电源管理、射频无线电和前端组件。

芯原提供硅平台即服务(SiPaaS)知识产权,使客户能够专注于差异化功能。芯原首席执行官戴伟立(Wayne Dai)表示,中国政府已将NB-IoT作为明年全国部署的目标。GF在成都为FDX新建的300毫米晶圆厂,以及集成NB-IoT和LTE-M的单芯片解决方案等IP平台,"将对中国的物联网和AIoT(物联网人工智能)产业产生重大影响"。

每微米一个皮康

GF 物联网、人工智能和机器学习战略营销和业务开发总监Anubhav Gupta 表示,一些客户正在采用旧的多芯片设计,并在 22FDX 中创建单芯片解决方案。"由于高效的 SOI FET 堆叠可实现高功率 PA 和高开关线性度,因此在 22FDX 中采用单芯片具有面积、功耗和成本优势。与 28nm 体系中的同等设计相比,我们发现短沟道效应低、跨导增益高、失配明显改善、噪声更低。"

在数字方面,Gupta 说,体偏压能力使客户可以在低至 0.4V 的电压下工作,待机漏电流小于 1 微安/微米。此外,GF 现在提供的嵌入式 MRAM具有极快的唤醒速度,读取速度与闪存相似,但写入速度提高了 1000 倍。Gupta 说,当 eMRAM 与片上 SRAM 结合使用时,客户可以完全避免使用片外闪存。

需要一份路线图

Dan Hutcheson总部位于加州圣克拉拉的市场研究公司 VLSI Research Inc、 的首席执行官 Dan Hutcheson调查,询问他们对全耗尽型绝缘体上硅(FD-SOI)与体CMOS相比的看法。"当时人们说,问题在于他们不知道是否有路线图。从那以后,GF 在 22FDX 的基础上又开发出了 12FDX™ 平台,所以这个问题应该不存在了。"

Hutcheson 说,他相信有一些公司正在进行设计,但他们的底牌还没有亮出来。"自 2016 年以来,可用的 IP 多了很多,GF 通过 12FDX 解决了路线图的问题,因此 22 不只是一站式的东西。"

意法半导体公司(STMicroelectronics)在 28 纳米工艺上生产了几款 FD-SOI 设计,该公司最近宣布将把 GF 的 22FDX 工艺作为其 FD-SOI 路线图的下一站。

意法半导体发言人表示:"由于 22FDX 集成了第二代有源器件(晶体管),意法半导体很自然地选择 GF 的 22FDX 技术作为我们的下一节点技术,在此之前我们已经在使用 28 纳米 FD-SOI 技术。

该发言人表示,意法半导体对 "德累斯顿 22FDX 技术节点的发展持积极态度,该节点现已具备批量生产的资格,并已准备就绪,意法半导体可立即将其用于开发产品"。德累斯顿生产团队的晶圆生产能力和经验 "让我们对 GF 的合格和批量生产能力充满信心"。

性能优化 "视觉处理器

Dream Chip Technologies GmbH(德国汉诺威)首席运营官 Jens Benndorf 说,他的团队在其 "性能优化 "的汽车视觉处理器中使用了 0.8V 库。Dream Chip 是欧盟支持的设计项目的牵头公司,该项目包括 ARM 的A53 Quad和用于功能安全的Cortex®-R5lock step、Cadence 的quad Vision P6、Arteris IP 的 FlexNOC、INVECAS 的 LPDDR4 控制器以及其他 IP 合作伙伴。由此产生的基于 22FDX 工艺的多核视觉处理器于一年前在 2017 MWC 上首次亮相。从那时起,该设计就为欧洲汽车制造商和一级汽车零部件供应商提供了一个平台,他们可以在此基础上创建定制衍生产品。

"汽车行业意识到,除了雷达和激光雷达,他们的辅助驾驶解决方案还需要更多的摄像头信息,整合来自多个摄像头的信息。由此产生的多处理器芯片设计使用正向偏压来提高性能,而不使用任何反向偏压,"本多夫说。由此产生的计算机视觉处理器解决方案面积为 64 平方毫米,拥有约 10 亿个晶体管,功耗为 4 瓦特。

Riot Micro 押注蜂窝链接

Nanotel的设计在数字和模拟之间平分秋色,而另一家采用22FDX工艺的初创公司则采用了全数字NB-IoT调制解调器设计。总部位于温哥华的Riot Micro 公司首席执行官Peter Wong 说,该公司的方法没有采用数字信号处理 (DSP) 方法,因此物联网客户可以关闭芯片的大部分,以节省电能。这对于电池供电的物联网边缘设备来说尤其受欢迎,因为这些设备可能需要使用电池运行十年之久。

Riot Micro 的首款设计采用了竞争对手代工厂的 55nm 块状 CMOS,但后续芯片则采用了 22FDX 工艺。Riot Micro LTE Cat-M/NB-IoT 调制解调器包括一个运行协议栈的超低功耗处理器。"我们借鉴了蓝牙领域的设计方法,以降低功耗和成本。PHY 的设计使用了门电路而不是 DSP,并采用了紧密耦合和高度优化的原协议栈,这使我们能够对调制解调器进行非常精细的功率控制。

"使用 22FDX,我们的价值主张是节省潜在的功耗和面积,"Wong 说。"此外,利用 22FDX 工艺中不断增长的 IP 可用性生态系统,有助于加快产品上市时间。

Riot Micro设计是一种数字蜂窝调制解调器,支持LTE Cat-M和NB-IOT蜂窝标准;Wong表示,Riot Micro调制解调器今年将获得几家主要蜂窝运营商的认证。中东的一家客户正计划将其用于紧急报警系统。

"将物体连接到互联网的方法有很多:WiFi、蓝牙、Zigbee、蜂窝等......所有这些都有适用的用例,但对于许多应用而言,蜂窝具有许多优势。 蜂窝技术本身更安全、易于部署、提供移动性,而且频谱是经过许可和管理的。 只要打开就能连接。你不必担心频谱问题,所有这些都由运营商管理。

来源:Riot Micro -Riot Micro -
窄带物联网网络利用蜂窝网络实现低功耗广域网络

集成电源管理

Gupta 表示,GF 发现一些混合信号物联网客户倾向于为数字电路提供 0.4V 电源,为模拟部分提供 0.8 至 1.8 伏电源。"22FDX 中的 LDMOS 使低功耗物联网应用不再需要外部 PMU(电源管理单元)。通常在散装工艺中,他们没有高压 LDMOS,而且由于很多物联网应用都是在锂离子电池上工作,因此这些应用需要一个外部电源转换芯片来实现电池供电应用。"

Gupta 说,0.4 V 设计的数字性能足以支持 ARM 内核等从 100 Mhz 到 500 Mhz 以下的运行速度。

GF 分部营销总监Tim Dry 说,工程师们开始通过使用动态体偏压技术更充分地了解 22FDX 技术的模拟设计能力。"事实证明,SOI 本体偏压实现了许多我们直到最近才理解的模拟扩展。对于 ADC(模数转换器)、无线电和功率元件,我们相信我们可以获得比现有的平面和潜在的 FinFET 小得多的芯片面积"。

22FDX 解决方案适用于物联网系统,如智能电表、增强现实和虚拟现实耳机、公用事业控制和安防摄像头,可以降低功耗。"智能扬声器是另一个备受关注的应用,"Dry 说。

欲了解有关GF FDX™解决方案的更多信息,请参加2月27日至3月2日在西班牙巴塞罗那Fira Gran Via举行的MWC大会,了解GF的技术平台如何在向5G过渡的过程中实现 "互联智能 "新时代,或访问globalfoundries.com

关于作者

戴夫-拉默斯

戴夫-拉默斯

Dave Lammers 是 Solid State Technology 的特约撰稿人,也是 GF's Foundry Files 的特约博主。Dave 于 20 世纪 80 年代初在美联社东京分社工作时开始撰写有关半导体行业的文章,当时正值该行业快速发展时期。1985 年,他加入了《电子时报》,在东京工作的 14 年中,他报道了日本、韩国和台湾的情况。1998 年,戴夫和妻子美惠子以及四个孩子搬到奥斯汀,成立了《电子时报》德克萨斯分社。戴夫毕业于圣母大学,并在密苏里大学新闻学院获得新闻学硕士学位。

英威达与Molex合作开发汽车信息娱乐媒体模块

伊利诺伊州LISLE--(BUSINESS WIRE)--Molex和INVECAS今天宣布,双方将共同合作开发用于智能汽车的汽车信息娱乐媒体模块。

INVECAS和Molex在汽车信息娱乐媒体模块方面开展合作

莫仕莫仕(Molex)和英威达(INVECAS)今天宣布共同合作,开发用于智能汽车的汽车信息娱乐媒体模块。

面向 5G 应用的强大技术进入市场

作者:Baljit Chandhoke巴尔吉特-钱德霍克

我们无法看到拥堵的实际情况,但电磁频谱在无线连接和数据通信常用频率上的流量已经变得如此拥挤,以至于数据流量拥堵的可能性和破坏性越来越大。使问题更加严重的是,目前的无线设备和网络工作频率低于 6 千兆赫,根本无法满足下一代应用的要求。

解决办法是利用频谱中的毫米波频段(30 至 300 千兆赫),它能提供更大的带宽。大家耳熟能详的正在制定中的 5G 标准旨在为使用这一所谓的毫米波频段建立一条共同的前进道路。

然而,要开发出能做到这一点的技术并非易事,尤其是针对移动应用。一个问题是,超高频的传播损耗很大。这意味着需要高功率输出,但在智能手机这样的电池供电设备中,高能效也很重要--要同时做到这一点很难。另一个问题是毫米波传输容易受到建筑物或其他物体的阻挡,因此必须能够形成精确的 "铅笔 "波束,辐射到相控阵天线或从相控阵天线辐射出来。

GF 的45 纳米射频 SOI 技术平台(45RFSOI) 面向下一代射频和毫米波应用,如 5G 基站和智能手机中的集成前端模块 (FEM) 和波束形成器、宽带卫星通信相控阵终端、汽车雷达以及其他不断发展的高性能有线和无线应用。

45RFSOI 技术已经完全合格,可以投入生产,我们已经与几家主要客户就这些应用开展了合作。我们预计,一些客户将在今明两年开始量产产品,并有望在今年晚些时候开始首次批量生产。

工艺设计工具包现已推出,还可按季度进行多项目晶圆运行,以实现快速原型开发,从而使客户能够尽早评估硬件结果。

技术要点

我们的 45RFSOI 的优点在于它是 45 纳米部分耗尽 SOI 服务器级基线 300mm 技术的产物,该技术已在多个 GF 工厂批量生产了十年。我们对其在毫米波应用中的使用进行了广泛评估,并增加了以射频为中心的使能、器件和技术特性,使其能够比竞争技术更好地满足即将到来的 5G 要求。

例如,为实现卓越的射频性能,45RFSOI 平台将高频晶体管(ft/fmax 分别为 305/380 GHz)与高电阻率 SOI 基底面和射频友好型金属互连器件相结合。超厚的顶层铜互连实现了最佳的传输线设计,这种互连还改善了噪声隔离和谐波抑制,从而实现了极低噪声放大器 (LNA)。

同时,为了降低功耗要求、物理尺寸和成本,45RFSOI 的设计易于集成功率放大器 (PA)、开关、低噪声放大器 (LNA)、移相器、上/下转换器和压控振荡器/锁相环 (VCO/PLL) 等功能。

SOI 技术将晶体管与基板进行了电气隔离,这与标准 CMOS 技术不同,后者的基板是一个公共节点。因此,射频 SOI 晶体管可以通过堆叠实现更高的击穿电压和功率处理能力,这对于功率放大器、低噪声放大器和开关等波束成形前端电路尤为重要。

此外,由于 45RFSOI 实现了功能强大、高度集成的芯片,因此与其他技术相比,天线阵列所需的芯片数量更少,从而使客户能够构建更小、更具成本效益的相控阵系统。

一系列射频解决方案

45RFSOI 是 GF 射频应用技术解决方案的最新成员,也是业界最广泛的射频代工工艺。它们包括 45RFSOI 和 8SW RFSOI、硅锗 (SiGe) 和 RF-CMOS 技术。

这些技术涵盖各种成熟和先进的节点,具有射频优化选项、广泛的 ASIC 设计服务和基础知识产权 (IP)。

然而,它们最重要的特点是帮助我们的客户应对棘手的技术挑战,使他们有能力更好地把握眼前的市场机遇。

毫米波应用 - 相控阵天线系统

关于作者

巴尔吉特-钱德霍克

巴尔吉特-钱德霍克

Baljit Chandhoke 是 GF 业界领先的射频解决方案组合的产品线经理。他拥有超过 15 年的产品线管理经验,擅长定义新产品和竞争定位,并在无线基础设施、移动(5G)、网络和消费细分市场推动设计获胜、收入和上市战略。他在领先的行业出版物上发表过多篇文章,制作过许多 YouTube 视频,并主持过多次网络研讨会。

加入 GF 之前,Baljit 曾在 IDT、安森美半导体和赛普拉斯半导体担任领导职务。他在亚利桑那州立大学获得工商管理硕士学位,在科罗拉多大学博尔德分校获得电信硕士学位,在印度孟买大学获得电子和电信工程学士学位。他完成了斯坦福大学商学院的 "为创新和成功而管理团队 "领导力课程。

 

针对5G应用的强大技术即将闪亮面市

作者: Baljit Chandhoke

虽然我们无法用肉眼看到,但在无线连接和数据通信通常使用的频率上,电磁频谱拥塞情况已经变得非常严重,导致数据流量堵塞的可能性越来越大,并且越来越具破坏性。令问题更加复杂的是,当今在6 GHz以下频率工作的无线设备和网络本质上不适合下一代应用需求。

解决方案是利用频谱的毫米波频段(30至300 GHz)来提供更多带宽。大家久闻大名的5G标准正在制定中,目标就是为这种所谓「毫米波频段」的应用建立一条共同的发展道路。

然而,开发能够胜任的技术并非易事,特别是对于移动应用来说。一个问题在于超高频率会遭受高传播损耗,这意味着需要高功率输出。但智能手机之类的电池供电设备同样要求高能效,这二者很难同时达成。另一个问题在于毫米波传输很容易被建筑物或其他物体阻挡,因此必须形成精密的「铅笔」型波束,以便相控阵天线辐射和接收。

格芯推出45nm RFSOI技术平台(45RFSOI),适用于下一代RF和毫米波应用,例如:5G基站和智能手机中的集成前端模块(FEM)和波束成形器、宽带卫星通信相控阵终端、汽车雷达及其他正在开发中的高性能有线和无线应用。

45RFSOI技术经过全面认证,已准备好投入生产,我们已经就一些应用与主要客户展开合作。预计今年晚些时候开始首批量产,今年和明年将有多家客户开始提高产量。

工艺设计套件现已推出,季度多项目晶圆运行也已开始,可用于快速原型开发,方便客户尽早评估硬件结果。

技术亮点

45RFSOI的美妙之处在于,它是45nm部分耗尽型SOI服务器级基线300mm技术的产物,该技术已经在格芯多家晶圆厂量产了十年。我们对其在毫米波应用中的使用进行了广泛评估,并增加了以RF为中心的赋能、器件和技术特性,使其能够比竞争技术更好地满足即将到来的5G需求。

例如,45RFSOI平台将高频晶体管(ft/fmax分别为305/380 GHz)与高电阻率SOI衬底和RF友好型金属互连结合在一起,提供出色的RF性能。它有超厚顶层铜互连以支持最佳传输线路设计,该互连还能改善噪声隔离和谐波抑制,从而实现极低噪声放大器(LNA)。

同时,为了降低功耗要求、物理尺寸和成本,45RFSOI可以轻松集成很多特性,例如功率放大器(PA)、开关、LNA、移相器、上/下变频器和压控振荡器/锁相环(VCO/PLL)。

SOI技术将晶体管与衬底进行电隔离,这不同于将衬底用作公共节点的标准CMOS技术。因此,RFSOI晶体管可以堆叠以实现更高的击穿电压和功率处理能力,这对于PA、LNA和开关等波束成形前端电路尤其重要。

此外,由于45RFSOI能够实现非常强大且高度集成的芯片,故与其他技术相比,天线阵列需要的芯片更少,让客户可以构建尺寸更小、成本效益更高的相控阵系统。

系列RF解决方案

45RFSOI是格芯针对RF应用提供的最新技术解决方案。格芯拥有业界最广泛的射频代工工艺,包括45RFSOI和8SW RFSOI、硅锗(SiGe)和RF-CMOS技术。

这些技术涵盖各种各样成熟先进的节点,提供RF优化选项、广泛的ASIC设计服务和基础知识产权(IP)。

不过,它们最重要的特点是帮助客户应对困难的技术挑战,帮助他们更好地抓住市场机遇。

毫米波应用 – 相控阵天线系统

格芯推出面向5G应用的45nm RF SOI客户原型设计

格芯300mm RF SOI产品已准备投入量产

加利福尼亚州圣克拉拉,2018年1月24日–格芯今日宣布,其45nm RF SOI (45RFSOI)技术平台已通过认证,准备投入量产。这种先进的RF SOI工艺引发了多位客户的关注和兴趣,它主要面向5G毫米波(mmWave)前端模块(FEM)应用,包括智能手机和适合未来基站的新一代毫米波波束成形系统。

由于新一代系统的工作频率会增加到24GHz以上,所以需要采用性能更高的RF芯片解决方案,以充分利用毫米波频谱中的大量可用带宽。格芯45RFSOI平台专门针对波束成形FEM实施了优化,功能先进,能够通过集成高频率晶体管、高电阻绝缘体上硅(SOI)衬底和超厚铜制程来提升RF性能。此外,SOI技术还支持轻松集成功率放大器、开关、LNA、移相器、上/下变频器和压控振荡器/锁相环(VCO/PLL),与面向未来每秒数千兆位的通信系统(包括互联网宽带卫星、智能手机以及5G基础设施)的竞争性技术相比,它能够降低成本和功耗,并减小尺寸。

Peregrine Semiconductor总裁兼首席技术官Jim Cable表示:“格芯是RF SOI解决方案领域的领导者,对Peregrine来说,选择格芯作为新一代RF SOI技术的战略合作伙伴乃明智之举,这种战略合作有助于我们推出更好的RF解决方案,为客户提供更高水平的产品性能、可靠性和可扩展性,并且,让我们能够挑战极限,开发集成式RF前端创新技术,满足不断演变的毫米波应用和新兴的5G市场需求。”

Anokiwave的首席执行官Bob Donahue表示:“要引领5G走向未来,就需要使用毫米波创新技术来分配更多带宽,以提供交付速度更快、品质更高的视频和多媒体内容和服务,格芯是RF SOI技术领域的领导者,通过利用其45RFSOI平台,Anokiwave能够开发适用于高速无线通信和网络、工作频段介于毫米波和sub-6GHz频段之间的差异化解决方案。”

格芯射频业务部资深副总裁Bami Bastani表示:“格芯不断扩展RF功能和产品组合,提供具有竞争力的RF SOI优势和精良的制造工艺,此举让我们的客户受益匪浅,从而在实际应用5G设备和网络的过程中发挥关键作用,对客户来说,我们的45RFSOI是一种理想技术,它力图提供最高性能的毫米波解决方案,以应对新一代移动和5G通信对高性能的需求。”

格芯的RF SOI解决方案是公司愿景的有机组成部分,公司致力于开发和交付新一代5G技术,帮助新一代设备、网络和有线/无线系统实现智能互联。格芯位于纽约州东菲什基尔的300mm生产线已成功实现了RF SOI解决方案的生产。客户现在可以着手优化其芯片设计,开发面向5G和毫米波应用的RF前端差异化、高性能解决方案。

如需了解更多有关格芯RF SOI解决方案的信息,请联系您的格芯销售代表或访问https://www.globalfoundries.com/cn

关于格芯

格芯是全球领先的全方位服务半导体代工厂,为世界上最富有灵感的科技公司提供独一无二的设计、开发和制造服务。伴随着全球生产基地横跨三大洲的发展步伐,格芯促生了改变行业的技术和系统的出现,并赋予了客户塑造市场的力量。格芯由阿布扎比穆巴达拉投资公司(Mubadala Investment Company)所有。欲了解更多信息,请访问 https://www.globalfoundries.com/cn

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