格芯在300mm平台上为下一代移动应用提供8SW RF SOI客户端芯片 September 25, 2018 基于成熟制造工艺的RF SOI技术达到新的里程碑，芯片出货量超过400亿 加利福尼亚州圣克拉拉，2018年9月25日 – 格芯今日在其年度全球技术大会(GTC)上宣布，针对移动应用优化的8SW 300mm RF SOI技术平台已通过认证并投入量产。这项RF SOI工艺引起了多位客户的关注和兴趣，它专为满足前端模块(FEM)应用更高的LTE和6 GHz以下标准要求量身定制，包括5G IoT、移动设备和无线通信。 借助300mm RF SOI工艺，8SW具有显著的性能、集成度和尺寸优势，与上一代工艺相比，功耗降低高达70％，整体裸片尺寸缩小20％。该技术可提供更出色的LNA（低噪声放大器）开关和调谐器，具有更高的电压处理能力和同类最佳的导通电阻(Ron)与关断电容（Coff）性能，可降低插入损耗，提供高隔离性能。优化的RF FEM平台可帮助设计人员开发解决方案，为当今先进的4G/LTE工作频率和未来6GHz以下的5G移动和无线通信应用提供极快的下载速度、更高质量的互连和更可靠的数据连接。 格芯射频业务部副总裁Christine Dunbar表示：“格芯现已为全球智能设备提供了超过400亿颗RF SOI芯片，这项最新一代RF SOI工艺进一步证明，我们已经为满足全球日益增加的随时随地提供无缝可靠的数据连接需求做好准备。移动市场继续倾向于选择RF SOI，而格芯行业领先的8SW 300mm制造工艺有助于客户充分利用更多频段，在高频LTE和未来5G应用中实现超稳定的通信”。 Soitec执行副总裁Bernard Aspar博士表示；“我们非常荣幸能够支持格芯在300mm RF SOI基板上实现先进、独特的8SW新工艺，并在工程与制造方面继续我们的长期战略协作，共同打造下一代连接解决方案。我们已准备好300mm RF SOI基板的大批量供货，以满足格芯客户不断增长的市场需求。” SEH的SOI部门总经理Nobuhiko Noto表示：“SEH祝贺格芯发布8SW平台。SEH相信300mm RF SOI产品是一项重要技术，现在推出恰逢良机。SEH长期以来一直是格芯的RF技术合作伙伴，并期待继续合作以支持未来的RF技术。随着市场的发展，我们将继续担当300mm RF SOI市场的供应商。” 格芯在RF SOI工艺领域拥有成熟的制造工艺技术并积累了丰富的经验，针对下一代RF设备的RF SOI芯片出货量超过了400亿颗。 8SW在格芯位于纽约州东菲茨基尔的Fab 10的300mm生产线上生产，有助于客户充分利用先进的工具和工艺，通过业界领先的RF SOI加快产品上市速度。 经过认证的工艺设计套件现已上市。 如需了解更多有关格芯RF SOI解决方案的信息，请联系您的格芯销售代表或访问www.globalfoundries.com。
Imagination与GLOBALFOUNDRIES携手为物联网应用提供超低功耗连接解决方案 September 25, 2018 Imagination将Ensigma超低功耗连接IP应用于GLOBALFOUNDRIES的22FDX®工艺 英国伦敦和美国圣克拉拉，2018年9月25日 – Imagination Technologies与格芯(GF)在GTC 2018大会上宣布合作，利用Imagination的Ensigma连接IP和格芯的22nm FD-SOI (22FDX®)平台，提供用于Bluetooth Low Energy® (BLE)和IEEE 802.15.4技术的超低功耗基带和射频(RF)解决方案。此外，Imagination已加入格芯的FDXcelerator™合作伙伴计划。 22FDX技术与Imagination Ensigma IP的组合实现了兼具功耗和成本效率的解决方案，客户可以轻松地将其集成到片上系统(SoC)设计中。此次合作将Imagination通过芯片验证的超低功耗Ensigma连接引擎与格芯的超高效22FDX工艺相结合，允许双方的客户为物联网打造创新性、差异化联网设备。 Imagination销售与市场营销执行副总裁David McBrien表示：“与格芯这样的合作伙伴携手，让我们的IP可以不断融合最新工艺。对于正在设计成本敏感型设备的客户，22FDX是很有吸引力的选择。此次合作使Ensigma连接IP的功耗和面积效率进一步提高；借助通过芯片验证的基带和射频，客户可以快速地推出仅需单个外部天线的单芯片无线设备。” 格芯生态系统合作部门副总裁Mark Ireland表示：“Imagination的IP与BLE解决方案是对格芯22FDX FD-SOI功能的补充，可帮助客户充分利用针对物联网和联网应用的低功耗、低成本设计。我们欢迎Imagination加入FDXcelerator计划，进一步扩展IP和设计服务的选择范围和灵活性，满足各种客户需求。” 用于22FDX的Ensigma IP提供了完整的IP解决方案，包括作为硬宏的模拟射频/AFE，以及配套的完全可合成基带IP，适用于可穿戴计算、医疗保健和家居控制等应用。面向超低功耗Bluetooth Low Energy和IEEE 802.15.4的解决方案正在与领先客户一起开发，2018年四季度推出芯片。 Imagination将加入格芯FDXcelerator计划，该组织由行业领军者组成，成员数量正在快速增加，致力于提供多样化资源，包括特定于22FDX技术的EDA工具、IP、芯片平台、参考设计、设计服务、封装和测试解决方案。该计划的开放性框架可以最大限度地减少开发时间和成本，同时充分发挥FDX技术固有的功耗和性能优势。 Ensigma Bluetooth Low Energy/IEEE 802.15.4基带与射频IP可直接授权。如需销售及授权信息，请联系[email protected]。 关于Imagination Technologies作为全球技术领导者，Imagination的产品深入全球数十亿人的生活。公司拥有广泛的硅IP（知识产权），包括打造SoC（片上系统）所需的关键处理模块，SoC是移动、消费和嵌入式电子器件的基础。凭借独一无二的软件IP、基础设施技术和系统解决方案，Imagination完整、高度差异化的SoC平台可以帮助客户快速上市。Imagination的被许可方包括许多全球领先的半导体制造商、网络运营商和OEM/ODM，一些全球最成功的产品均出自这些厂商。参见：www.imgtec.com。 通过Twitter、YouTube、LinkedIn、RSS、Facebook和博客关注Imagination。 Imagination Technologies、Ensigma和Imagination Technologies徽标是Imagination Technologies Limited和/或其附属集团公司在英国和/或其他国家/地区的商标。22FDX是GLOBALFOUNDRIES的注册商标。Wi-Fi®是Wi-Fi Alliance的注册商标。Bluetooth®文字商标和徽标是Bluetooth SIG, Inc拥有的注册商标。所有其他徽标、产品、商标和注册商标均为各自所有者的财产。 Imagination Technologies媒体联系人： David Harold [email protected] +44 (0)1923 260 511 Jo Ashford [email protected] +44 (0)1923 260 511
格芯为实现未来智能系统扩展FinFET产品新特性 September 25, 2018 功能丰富的半导体平台为下一代计算应用提供具有竞争力的性能和可扩展性 加利福尼亚州圣克拉拉，2018年9月25日 – 格芯 今日在其年度全球技术大会(GTC)上宣布计划在其14/12nm FinFET产品中引入全套新技术，这是公司加强差异化投资的全新侧重点之一。新工艺技术旨在为快速增长市场（如超大规模数据中心和自动驾驶汽车）应用提供更好的可扩展性和性能。 在当今数据密集的世界，对高性能芯片的需求永无止境，以处理和分析互连设备产生的信息流。格芯的FinFET产品是为最严苛的计算应用提供高性能、高功效的片上系统(SoC)设计的理想平台。通过提供针对超高性能和增强型射频连接进行了优化的晶体管改进以及采用针对新兴企业和云安全需求的新型高速、高密度存储器，新平台将改善功耗、性能和可扩展性等性能。 格芯业务部高级副总裁Bami Bastani博士表示：“我们致力于增强发展差异化产品，帮助客户从每一代技术投资中获得更多价值。通过在FinFET产品中引入这些新特性，我们将提供强大的技术改进，使客户能够为下一代智能系统扩展性能并创造创新产品。” 格芯的14/12nm FinFET平台提供先进的性能和低功耗，具有显著的成本优势。平台添加了丰富的增强功能包括： 超高密度：通过持续改进12LP设计库(7.5T)，并结合SRAM和先进的模拟技术，在更小的芯片区域内提供更高的晶体管密度，以支持客户的内核计算、连接和存储应用，以及移动和消费电子终端。 性能提升：通过将SRAM Vmin降低100mV、待机漏电流降低约50％以提高性能，从而为现有应用和新兴应用（如机器学习和人工智能）提升性能。 射频/模拟：提供全套无源器件、超厚金属和LDMOS选项，可面向含有较高数字内容的6GHz以下的RF SoC实现先进的射频性能（Ft/Fmax可达340GHz）。 嵌入式存储器：为新兴企业、云和通信应用提供超高安全性以及一次性可编程(OTP)和多次可编程(MTP)的嵌入式非易失性(eNVM)内存。使用物理上无法检测的电荷捕获技术(CTT)实现安全解决方案，包括“物理上不可克隆的器件”功能和高效的非易失性存储器，以实现更高的SoC集成度。格芯的CTT解决方案无需额外的处理或屏蔽步骤，与基于介电熔丝技术的类似OTP解决方案相比，可提供双倍密度。 与28nm技术相比，格芯的14LPP技术可将器件性能提高55％，总功耗降低60％；而与当今市场上的16/14nm FinFET解决方案相比，格芯的12LP技术可将电路密度提高15％，性能提升10％以上。格芯前沿的FinFET平台自2016年初起已投入大规模生产，并符合汽车2级标准。
Keysight Technologies的三维平面电磁模拟器通过了GLOBALFOUNDRIES 22FDX®工艺技术认证 2018年9月17日Keysight Technologies, Inc.(NYSE: KEYS)，一家帮助企业、服务提供商和政府加速创新以连接和保护世界的领先技术公司，今天宣布该公司的三维平面电磁(EM)模拟器Momentum已获得GLOBALFOUNDRIES (GF) 22FDX®、22纳米全耗尽硅绝缘体(FD-SOI)技术的认证。
Cadence全流程数字工具套件获得GLOBALFOUNDRIES 22FDX®认证 2018年8月30日Cadence Design Systems, Inc.(纳斯达克：CDNS）今天宣布，其全流程数字工具套件已获得GLOBALFOUNDRIES（GF）22FDX®工艺技术的认证。GF认证过程是使用Cadence® Tensilica® Fusion F1 DSP完成的，其目标是物联网（IoT）和可穿戴设备应用。通过认证过程，Cadence工具被证实符合GF对其全耗尽的硅绝缘体（FD-SOI）架构的所有精度标准，在GF 22FDX工艺技术上使用Cadence数字工具套件的客户可以优化功率、性能和面积（PPA）并缩短上市时间。
Cadence全流程数字工具套件获得格芯22FDX®认证 2018年8月30日Cadence Design Systems, Inc.(纳斯达克：CDNS）今天宣布，其全流程数字工具套件已获得GLOBALFOUNDRIES（GF）22FDX®工艺技术的认证。GF认证过程是使用Cadence® Tensilica® Fusion F1 DSP完成的，其目标是物联网（IoT）和可穿戴设备应用。通过认证过程，Cadence工具被证实符合GF对其全耗尽的硅绝缘体（FD-SOI）架构的所有精度标准，在GF 22FDX工艺技术上使用Cadence数字工具套件的客户可以优化功率、性能和面积（PPA）并缩短上市时间。
格芯重塑技术组合，重点关注日益增长的差异化产品市场需求 August 28, 2018半导体制造商格芯重新部署具备领先优势的发展路线图以满足客户需求， 并建立设计客户定制ASICs全资子公司 加利福尼亚，圣克拉拉 2018年8月28日——格芯（GLOBALFOUNDRIES）今天宣布其转型的重要一步，继今年初汤姆·嘉菲尔德（Tom Caulfield）接任首席执行官后，格芯正在重塑其技术组合，依照嘉菲尔德所阐述的战略方向，重点关注为高增长市场中的客户提供真正的差异化产品。 格芯正在重新部署具备领先优势的FinFET发展路线图，以服务未来几年采用该技术的下一波客户。公司将相应优化开发资源，让14/12纳米 FinFET平台更为这些客户所用，提供包括射频、嵌入式存储器和低功耗等一系列创新IP及功能。为支持此次战略调整，格芯将搁置7纳米 FinFET项目，并调整相应研发团队来支持强化的产品组合方案。在裁减相关人员的同时，一大部分顶尖技术人员将被部署到14/12纳米FinFET衍生产品和其他差异化产品的工作上。 “客户对半导体的需求从未如此高涨，并要求我们在实现未来技术创新方面发挥越来越大的作用”。嘉菲尔德表示，“今天，绝大多数无晶圆厂客户都希望从每一代技术中获得更多价值，以充分利用设计每个技术节点所需的大量投资。从本质上讲，这些节点正在向为多个应用领域提供服务的设计平台过渡，从而为每个节点提供更长的使用寿命。这一行业动态导致设计范围到达摩尔定律外部界限的无晶圆厂客户越来越少。我们正重组我们的资源来转变业务重心，加倍投资整个产品组合中的差异化技术，有针对性的服务不断增长的细分市场中的客户。” 此外，为了更好地施展格芯在ASIC设计和IP方面的强大背景和重大投资，公司正在建立独立于晶圆代工业务外的ASIC业务全资子公司。相关的ASIC业务需要持续使用最先进的技术。该独立ASIC实体将为客户提供7纳米及以下的晶圆代工替代选项，让ASIC业务部与更广泛的客户展开合作，特别是日益增多的系统公司，他们需要ASIC服务同时生产规模需求无法仅由格芯提供。 格芯正在加强投资具有明显差异化、为客户增加真正价值的领域，着重投资能在其产品组合中提供丰富功能的产品。这包括继续侧重于FDX™平台、领先的射频产品（包括RF SOI和高性能锗硅）和模拟/混合信号，以及满足越来越多低功耗、实时连接、车载设计需求的其他技术。随着自动驾驶、物联网和全球过渡至5G等新领域的强劲需求，格芯被赋予与众不同的定位——服务“智能互联”这一新兴市场。 “减轻前沿技术领域的投资负担将使格芯能够对物联网、IoT、5G行业和汽车等快速增长市场中对大多数芯片设计人员真正重要的技术进行更有针对性的投资，” Gartner研发副总裁Samuel Wang,先生表示，“虽然最先进技术往往会占据大多数的热搜头条位置，但鲜少有客户能够承担为实现7纳米及更高精度所需的成本和代价。14纳米及以上技术将在未来许多年继续成为芯片代工业务的重要需求及驱动因素。这些领域将有极大的创新空间，可以助力下一轮科技发展狂潮。” 格芯中国区总经理白农评论道，“对我们中国的客户及生产合作伙伴而言这是一个积极的变化，因为我们强化了聚焦差异化的技术比如FDX (FD-SOI)及其他。这些差异化技术在中国市场的需求不断增加，对格芯而言一直相当重要。我们对FD-SOI以及与成都政府合作的承诺从未改变。” 关于格芯 格芯是全球领先的全方位服务半导体代工厂，为世界上最富有灵感的科技公司提供独一无二的设计、开发和制造服务。伴随着全球生产基地横跨三大洲的发展步伐，格芯促生了改变行业的技术和系统的出现，并赋予了客户塑造市场的力量。格芯由阿布扎比穆巴达拉投资公司（Mubadala Investment Company）所有。欲了解更多信息，请访问 https://www.globalfoundries.com/cn。 媒体垂询： 杨颖（Jessie Yang） (021) 8029 6826 [email protected] 邢芳洁（Jay Xing） 86 18801624170 [email protected]
GLOBALFOUNDRIES重塑技术组合，加强对日益增长的差异化产品需求的关注 2018年8月27日半导体制造商重新调整领先的路线图以满足客户需求，并成立全资子公司以设计定制的ASIC 加州圣克拉拉，2018年8月27日 - GLOBALFOUNDRIES今天宣布了其转型的重要一步，延续了今年早些时候任命Tom Caulfield为首席执行官时启动的轨迹。根据Caulfield阐述的战略方向，GF正在重塑其技术组合，以加强其对为高增长市场的客户提供真正差异化产品的关注。 GF正在重新调整其领先的FinFET路线图，以服务于将在未来几年采用该技术的下一波客户。公司将转移开发资源，使其14/12纳米FinFET平台与这些客户更加相关，提供一系列创新的IP和功能，包括射频、嵌入式存储器、低功耗等。为了支持这一转变，GF将无限期地搁置其7纳米FinFET项目，并重组其研发团队，以支持其增强的组合计划。这将需要裁员，但大量的顶尖技术专家将被重新部署到14/12纳米FinFET衍生产品和其他差异化产品上。 "Caulfield说："对半导体的需求从未如此之高，客户要求我们在实现未来的技术创新方面发挥越来越大的作用。"今天的绝大多数无晶圆厂客户都希望从每一代技术中获得更多的价值，以利用为每个技术节点进行设计所需的大量投资。从本质上讲，这些节点正在向服务于多波应用的设计平台过渡，使每个节点的寿命更长。这种行业动态导致在摩尔定律外围设计的无工厂客户减少。我们正在转移我们的资源和重点，加倍投资于我们整个投资组合中的差异化技术，这些技术与我们在不断增长的细分市场的客户最为相关。" 此外，为了更好地利用GF在ASIC设计和IP方面的强大传统和重大投资，公司正在将其ASIC业务建成一个独立于代工业务的全资子公司。一个相关的ASIC业务需要持续获得领先的技术。这个独立的ASIC实体将为客户提供在7纳米及以后的替代代工选择，同时允许ASIC业务与更多的客户打交道，特别是越来越多的系统公司需要ASIC能力和更大的制造规模，而不是GF能够单独提供的。 GF正在加强对其具有明显差异化并能为客户增加真正价值的领域的投资，重点是在其产品组合中提供功能丰富的产品。这包括继续关注其FDXTM平台、领先的射频产品（包括射频SOI和高性能SiGe）、模拟/混合信号，以及为越来越多的需要低功耗、实时连接和车载智能的应用设计的其他技术。随着自动驾驶、物联网和全球向5G过渡等新领域的强劲需求，GF在服务这一蓬勃发展的 "互联智能 "市场方面具有独特的优势。 "Gartner研究副总裁Samuel Wang说："解除投资前沿的负担，将使GF能够在射频、物联网、5G、工业和汽车等快速增长的市场中对大多数芯片设计师真正重要的技术进行更有针对性的投资。"虽然前沿技术得到了大部分的头条新闻，但能够负担得起向7纳米和更精细的几何形状过渡的客户较少。14纳米及以上技术将在未来许多年内继续成为代工业务的重要需求驱动力。在这些节点上有很大的创新空间，可以推动下一波技术的发展。" 关于GF GLOBALFOUNDRIES是一家领先的全方位半导体代工企业，为世界上一些最具灵感的技术公司提供独特的设计、开发和制造服务。凭借横跨三大洲的全球制造足迹，GLOBALFOUNDRIES使改变行业的技术和系统成为可能，并赋予客户塑造其市场的力量。GLOBALFOUNDRIES为穆巴达拉投资公司所有。欲了解更多信息，请访问https://www.globalfoundries.com。 联系。 Jason GorssGLOBALFOUNDRIES(518) 698-7765[email protected]
格芯的12LP工艺：幕后 July 18, 2018 作者: Dave Lammers 在当今的半导体行业，几纳米就代表着很大的差距。早些年，代工厂通过“光刻收缩”的方式提供半代工艺，除了按下掩码和步进配置之外，无需进行其他改变。 格芯的12LP工艺恰恰相反，它采用与发展依然强劲的14LPP平台相同的图形技术，但对工艺和标准单元库进行了许多巧妙的改变，以实现性能、功耗和面积(PPA)方面的改进。该工艺于2017年9月首次公布，并获得AMD的公开支持，有关该工艺变化的详情首次出现在6月下旬于火奴鲁鲁举行的2018年VLSI科技研讨会的一场报告会中。 在业务方面，格芯已准备好了汽车和射频/模拟模块，以利用12LP解决方案更好地支持这些市场。12LP工艺在去年秋季得到了较大提升，当时AMD表示会快速地将主要生产线转移到12LP工艺。随后，一家移动行业的客户也开始将12LP工艺用于其应用处理器。 格芯的FinFET产品管理副总监Erin Lavigne表示：“客户最关心的是12LP的发展。”那些正在设计新型IC的客户希望实现更高的晶体管密度，实现功耗和性能增益，同时通过缩小芯片尺寸来节约成本。 由于14LPP和12LP的工具套件几乎相同，所以工厂可以在14LPP或12LP生产之间“灵活切换”。“我们的产能可互换，”Lavigne说道，“虽然AMD是我们的一个主要战略客户，但8号晶圆厂并不只是为AMD服务。我们可以支持我们的所有客户，同时继续满足AMD的需求。除了我们的两个主要客户，我们的流水线已迅速扩展至消费品、人工智能、汽车和工业领域。” 格芯的技术开发副总监Hsien-Ching Lo曾表示，在后道工序 (BEOL) 这个重要领域中，格芯已经采取了不同于竞争对手的方法。当其他代工厂为缩减芯片尺寸而缩小M2间距时，格芯的12LP仍采用与14LPP工艺相同的64nm M2间距。这一策略使客户能够实现性能、功率和面积 (PPA) 方面的改进，同时最大限度地减少设计返工。 在夏威夷举行的VLSI会议证实了这一说法。三星的一家工厂在其12LP工艺报告中描述了能够使用9T或6.75T程序库。然而，较之于14nm工艺的64nm M2间距，6.75T库要求使用48nm间距的M2。TSMC已采用了类似的方式， 即更改其12nm产品（16nm工艺的后继工艺）的M2间距。 Lo表示，采用不同的M2间距是对设计规则的一种改变，较之于格芯利用相同的M2间距支持7.5T程序库战略，这种改变需要进行更多的设计返工。“对于客户来说，从14迁移至12更轻松。只需要进行非常少的设计迁移，就可在性能和面积方面实现改进。”他说道。 当格芯在12LP设计中继续支持14LPP 9T库时，Lavigne表示7.5T程序库在缩小芯片尺寸和提高性能方面“物有所值”。Lavigne谈到：“使用这个库需要客户进行一些重新设计。客户可以选择进行多少重新设计工作来扩展平台。” 较之于格芯的14LPP工艺，配备高性能元件的12LP工艺可将环形振荡器AC性能提高15%，在同等速度条件下将12LP（带7.5T标准单元库）的总功耗降低16%，将逻辑区面积扩大12%。值得注意的是，在电流读数相同的情况下，12LP SRAM可令泄漏减少30%。 格芯的12LP是一种进步。资料来源：H.C.Lo在VLSI科技和电路研讨会上的报告 Lo在VLSI研讨会上发表了演讲，介绍了12LP工艺在5个要素方面的修改。 第一，对鳍片外形进行了改进，使之变得更高、更薄，从而改进了驱动电流和短沟道控制。鳍片表面粗糙度也有所降低，从而将NFET和PFET的载波移动性分别提高了6%和9%。 第二，为了在不增加泄漏的情况下提高PFET性能，对源极/漏极空腔外形进行了改进，将14LPP工艺的碗型空腔修改为12LP工艺的深凹空腔。需通过扩大空腔的方式提高通道上的应变，同时提供更多的嵌入式硅锗(eSiGe)，但又不会以增加泄漏为代价。 第三，对eSiGe进行了优化，以改进图案负载效益，其中40-鳍片设备可提升4%，而单向扩散中断(SDB)设备可提升5%。 PEFT eSiGe优化。资料来源：H.C.Lo在VLSI科技和电路研讨会上的报告 第四，增加了NFET掺杂密度。Lo表示，通过优化硅磷外延工艺，源-漏极电阻大约提高了6%。 接触电阻是前沿设计中的一个主要关注点。格芯的先进技术开发团队为降低接触电阻进行了两次优化。通过扩大底部接触面积，改进了沟槽式接触区形状。“我们需要扩大接触面积和底部CD（临界尺寸），但又不想以TDDB（经时击穿）为代价。通常，如果接触CD增大，多晶硅栅极触点之间的间隙就会变小。然后，就可以看到电介质击穿的退化。”Lo在VLSI研讨会上的一次访谈中说道。 第五，对沟槽式接触下的掺杂区域进行了优化，以降低接触势垒高度。他还表示，通过进行“一些接口工程”提高了硅化物电阻。 表面上，从14nm到12nm似乎并没有什么大不了的，但透过现象看本质，你就会发现为交付一项令人信服的技术需要在工程设计方面付出多少努力。 关于作者 Dave Lammers是固态技术特约撰稿人，也是格芯的Foundry Files的特约博客作者。他于20世界80年代早期在美联社东京分社工作期间开始撰写关于半导体行业的文章，彼时该行业正经历快速发展。他于1985年加入E.E. Times，定居东京，在之后的14年内，足迹遍及日本、韩国和台湾。1998年，Dave与他的妻子Mieko以及4个孩子移居奥斯丁，为E.E Times开设德克萨斯办事处。Dave毕业于美国圣母大学，获得密苏里大学新闻学院新闻学硕士学位。
