INVECAS和格芯宣布推出用于高性能计算，网络和高端移动应用的高级14nm FinFET设计IP库 September 28, 20162016年9月28日 来自INVECAS的硅经验证和优化的IP现在可用于格芯 14LPP工艺的代工客户 加利福尼亚州圣克拉拉市 2016年9月28日 — 领先的IP，ASIC和嵌入式软件解决方案供应商INVECAS Inc和格在芯今天一起宣布为格芯14nm FinFET技术提供基础IP。来自INVECAS的经硅芯片验证的IP针对高性能“全时”应用（如高端智能手机，网络，服务器和图形处理器）的性能，功耗和面积要求进行了优化。该应用定制库使客户能够快速开发高性能和高能效的系统。 INVECAS IP可以利用FinFET的优势，为更苛刻的应用提供更小的面积的更多处理能力。综合IP组合包括基础IP，如通用I / O（GPIO），存储器，标准单元库以及一整套接口和模拟IP解决方案。 格芯的产品管理高级副总裁Alain Mutricy说：“格芯的14LPP为寻求差异化产品和加快复杂技术设计时间的客户提供了经硅芯片验证的解决方案。通过类似INVECAS这样的生态系统合作伙伴的早期参与，我们进一步增强了我们的技术，以确保拥有低风险，硅验证和高效设计策略的强大的基础设施。我们与INVECAS的战略关系为我们的客户提供了14LPP性能和功耗优化的IP平台，将其SoC设计推向了新的台阶，为广泛的应用提供了最高性能的芯片。” INVECAS公司董事会主席兼首席执行官Dasaradha Gude表示：“INVECAS致力于通过优化的IP和格芯的芯片实现服务来克服SoC设计挑战。”通过将经过验证的系统级专业知识与格芯的先进的14nm FinFET技术相结合，我们将能为计算，通信，移动和汽车市场提供完整的解决方案。 INVECAS将于9月29日参与在慕尼黑的索菲特展览会。期间，INVECAS将会在格芯技术会议（GTC）上展示硅芯片验证的IP解决方案。 关于INVECAS INVECAS从其在美国和印度的开发中心为格芯客户提供半导体IP和硅实现服务。该公司在提供高性能和高能效IP方面拥有良好的业绩记录，并在领先的流程中始终如一地实现了多项设计的成功。欲了解更多信息，请访问https://www.invecas.com。 关于格芯 GF是世界上第一个具有真正意义上足迹遍布全球的全方位服务晶圆制造商。该公司于2009年3月成名，并迅速实现了规模化，成为世界最大的晶圆生产商之一，为250多个客户提供先进技术和独特制造的组合。格芯在新加坡，德国和美国经营，是唯一提供跨越全球三大洲的制造中心，并提供的足够灵活性和高度安全性的代工厂。该公司的300mm晶圆厂和200mm晶圆厂提供从主流到前沿的全系列制程技术。格芯的制造业务遍及全球，而格芯位于美国，欧洲和亚洲的半导体业务中心的大量的研发和设计实现人员为格芯的全球制造业务提供全面的支持。格芯由Mubadala Development Company拥有。欲了解更多信息，请访问https://www.globalfoundries.com。 联系人： Jason Gorss 电话：（518）698-7765 [email protected]
英威达和GLOBALFOUNDRIES宣布为高性能计算、网络和高端移动应用提供先进的14nm FinFET设计IP库 2016年9月28日来自英威达的经过硅验证和优化的IP现在可供代工客户在GLOBALFOUNDRIES 14LPP工艺上使用。 2016年9月28日，加州圣克拉拉--领先的IP、ASIC和嵌入式软件解决方案供应商英威达公司与GF今天宣布推出适用于GF 14nm FinFET技术的基础IP。英威达提供的经过硅验证的IP针对高性能 "全时 "应用的性能、功耗和面积要求进行了优化，如高端智能手机、网络、服务器和图形处理器。这种应用定制库使客户能够快速开发出高性能和高功率的系统。 英威达IP利用FinFET的优势，在更小的空间内为最苛刻的应用提供更多的处理能力。全面的IP组合包括基础IP，如通用I/O（GPIO）、存储器、标准单元库，以及全套接口和模拟IP解决方案。 "GF产品管理高级副总裁Alain Mutricy表示："GF的14LPP为寻求产品差异化和加快复杂技术设计量产的客户提供了经过硅验证的解决方案。"我们通过与英威达这样的生态系统合作伙伴的早期合作，进一步加强我们的技术，以确保拥有低风险、经过硅验证和高效设计战略的强大基础设施。我们与英威达的战略合作关系为我们的客户提供了14LPP性能和功率优化的IP平台，将他们的SoC设计推向新的高度，并为广泛的应用提供最高性能的芯片。" "英威达公司董事长兼首席执行官Dasaradha Gude表示："英威达致力于通过在GF工艺上提供优化的IP和硅实现服务来克服SoC设计挑战。"通过将我们成熟的系统级专业技术与GF先进的14纳米FinFET技术相结合，我们在为计算、通信、移动和汽车市场提供完整解决方案方面具有独特的优势。" 英威达将于9月29日在德国慕尼黑的Sofitel Munich Bayerpost举行的GF技术大会（GTC）上展示其经过硅验证的IP解决方案。 关于英威达 英威达通过其在美国和印度的开发中心为GF客户提供半导体IP和硅实现服务。该公司在提供高性能和高功率的IP方面有着良好的记录，并一直在前沿工艺上的多项设计中取得首次成功。欲了解更多信息，请访问：https://www.invecas.com。 关于GF GF是世界上第一家提供全面服务的半导体代工企业，其业务范围真正覆盖全球。该公司于2009年3月启动，迅速形成规模，成为世界上最大的代工厂之一，为250多家客户提供先进技术和制造的独特组合。通过在新加坡、德国和美国的运营，GF是唯一一家能够提供跨越三大洲的制造中心的灵活性和安全性的代工厂。公司的300毫米晶圆厂和200毫米晶圆厂提供从主流到前沿的全部工艺技术。这一全球制造足迹得到了位于美国、欧洲和亚洲的半导体活动中心附近的主要研究、开发和设计设施的支持。GF为穆巴达拉发展公司所有。欲了解更多信息，请访问https://www.globalfoundries.com。 联系方式：Erica McGillGF(518) 305-5978[email protected]
使用 Snap Circuits 套装开展活动 2016 年 9 月 26 日 作者：费尔南多-瓜林 一点（或一个字节）历史 2006 年，我在 IBM 开始指导学生使用 Snap Circuits 时，我们正在寻找能够向学生传达电气工程师日常工作的创意活动。我们开始在 "工程师周 "访问当地学校时使用这些工具包，后来又扩展到暑期为女生举办的为期一周的夏令营。自 2008 年起，我将参与指导的范围扩大到了电气和电子工程师协会的电子器件学会 (EDS)，并在该组织的支持下，与许多工程师合作，通过一项名为 EDS-ETC（工程师展示科学：工程师与教师的联系）的全球指导计划来启发年轻人的思维。该计划于 2010 年正式推出，是在纽约州罗切斯特、博伊西和中哈德逊河谷分会志愿者的帮助下设计的。这些热心的志愿者与当地四年级至十二年级的科学教师合作进行了初步评估。在项目的第一阶段，向美国各分会提供了 Snap Circuits 套件。 此后不久，该计划扩展到全球各地的 EDS 分会，IEEE 所有地区都参与其中，当地 EDS 分会的学生成员也积极参与其中。现在，各分会获得免费工具包的唯一要求是提交一份计划，说明他们打算如何使用这些工具包。2015 年，9000 多名青年学生参加了世界各地的 130 多场活动 与众不同的工程 该计划的主要目标是使分会成员能够访问当地学校并举办活动，让青少年学生参与到电气工程领域中来。通过使用简单易用的 Snap Circuit Kits，学生们可以通过 "动手 "的方式学习电子电路知识，体验电子领域令人兴奋的创造性。我们希望鼓励他们将电气和电子工程作为自己的职业。这一多功能工具以及 EDS 志愿者的热情和专业知识已被用于展示多种应用，并激励青少年学生进入激动人心的电子设备领域。为了改变世界，我们需要从自己的社区和当地学校做起。我们需要与当地政府和工业界合作，激励下一代工程师和科学家努力解决我们在世界上面临的最紧迫的挑战--清洁水、风力/波浪/水力发电、光伏/太阳能电池、废物管理、地热、能源作物、能源采集、医疗保健等等。下一代工程师将有大量的工作要做。先进制造商开发并提供给客户的技术将塑造未来。我们每个人都需要贡献自己的力量，通过与年轻人分享我们的知识，让工程师的队伍不断壮大，从而确保我们的地球拥有光明的未来。今天就参与进来吧！向你的雇主了解现有的教育推广计划。组织一次创客嘉年华，或与当地教师和同事合作，启动一项指导计划。Snap Circuits 套件是让各年龄段学生参与其中的好方法。其他选择包括Raspberry Pi™、Arduino™等！单击此处了解有关 IEEE EDS-ETC 计划的更多信息并观看相关视频。
FDX "非利基 "技术 2016 年 9 月 22 日作者：戴夫-拉默斯 在 GLOBALFOUNDRIES 全耗尽型 SOI 技术宣称的所有数字中，我印象最深的是 39。这是制造 22 纳米全耗尽型 SOI 芯片所需的掩膜层数，该芯片有 8 层金属层。FDX™ 项目总监杰米-谢弗（Jamie Schaeffer）说，与之相比，采用 FinFET 晶体管的同类芯片需要 60 层掩膜。当然，FinFET 和 FD-SOI 技术之间的比较是不精确的。两种技术各有千秋。对于 FD-SOI，起始 SOI 晶圆的成本是块状晶圆的数倍。驱动电流也有差异。但考虑到多出的 21 层掩膜代表了多少个精细的鳍片创建蚀刻步骤，多少次通过昂贵的扫描仪。这样一来，FD-SOI 的成本优势就开始变得明显了，而这些优势在块状平面技术和 SOI 平面技术竞争时并不存在。 对连续性的关注 22FDX® 设计目前正在制作原型，2017 年第一季度将进行风险生产。最近宣布的 12FDX™ 技术将于 2019 年投入商业生产。VLSI Research Inc. 首席执行官 Dan Hutcheson对六家芯片公司、六家 EDA 和 IP 供应商以及两所大学的75 位决策者进行了调查，发现他们关注的问题之一是连续性。"调查中表达的问题之一是'有未来吗？他们希望确保 FD-SOI 技术有下一个节点"。Schaeffer 还强调了继承因素的重要性。"他说："整合了 22FDX 和 12FDX 的整个 FDX 路线图为 FinFET 提供了一条互补之路。不过，当我问到一个问题，暗示处理器和图形芯片仍将是 FinFET 领域的主要产品时，Schaeffer 略有不悦，因为 FDX 非常适合那些没有足够资源处理 FinFET 项目的设计团队。"他回答说："我们不是把它作为一项利基技术来做。"我们瞄准的是大批量生产的机会--收发器、WiFi、视觉处理和汽车。Schaeffer 说："我们打算在德累斯顿的 1 号工厂大量生产，并已从产能角度制定了计划。 GLOBALFOUNDRIES 22FDX 由欧洲最大的 300mm 工厂制造 收发器是 FDX 计划的关键。22FDX 晶体管的最大Fmax为 325 GHz，能够满足新兴的 5G 蜂窝规范。Schaeffer 说，22FDX 和 12FDX 技术提供了 "将毫米波收发器与 ADC、DAC 和数字基带集成的独特机会。FinFET 可提供数字扩展，但无法提供毫米波频率所需的射频性能。在物联网市场，FDX 技术可支持集成了低功耗无线功能的微控制器 SoC。它还可用于基于新千兆位级 WiFi 标准的产品。而根据 5G 蜂窝标准的确定速度，以及它与未来辅助驾驶汽车的匹配程度，FDX 可能会在汽车领域大显身手。 模拟友好型 Hutcheson 说，在他进行VLSI Research 调查并与器件物理学家讨论 FinFET 和 SOI 晶体管的相对优点之前，他对 SOI 持怀疑态度。"当我们对设计工程师进行调查时，他们说就模拟而言，SOI 比 FinFET 好得多。ChipWorks（渥太华）公司高级研究员迪克-詹姆斯（Dick James）说，模拟设计人员依赖于调整晶体管宽度的能力。对于基于 FinFET 的电路，设计人员需要处理 "量化的晶体管宽度"，通过使用多个鳍片来调整晶体管宽度。"James说："有了平面晶体管，模拟设计人员就可以通过在任何地方放置更宽的晶体管来调整电路。关于功耗的争论也倾向于 SOI，James 说。有了埋入式氧化层（BOX），"理论上每个晶体管都可以被绝缘层包围，这有助于控制漏电和寄生。他说，背偏压还可以通过提高阈值电压和适当降低漏电来控制功率。关于块状 FinFET 与 SOI 技术优劣的争论已经持续了几十年，1998 年夏天，当 IBM 正式宣布将在其服务器处理器中采用 SOI 技术时，争论变得更加激烈。英特尔坚决支持其继续采用体硅技术，最终导致了 FinFET 的出现，在过去十年的大部分时间里，FinFET 一直占据着中心位置。现在，关于 FD-SOI 还是 FinFET 的争论--两者在当今技术领域的定位--达到了一个新的激烈程度，并将在市场上上演。 但为什么是 22？为什么不叫 FDX20？为什么是 12 纳米，而不是别人喜欢的 10 纳米？这又回到了生产成本问题上。Schaeffer 说，采用 22 纳米设计规则，单通道图案化就足够了。不需要双图案化。而在 12 纳米工艺中，双层图案化可以完成关键层的工作，无需三层或四层图案化。就是这样。FDX 有 39 个掩膜层，在低功耗条件下具有出色的载波频率，可作为 FinFET 的替代品，特别是在重视晶体管密度和良好射频性能的市场中。让竞争开始吧。
格芯将提供行业领先高性能产品—7纳米FinFET技术 September 15, 2016公司为追求终极处理能力的产品拓展了它领先的规划路线图 加州 圣克拉拉，2016年9月15日 — 格芯今天宣布了为下一个时代的计算机应用提供具有终极性能的领先的7纳米FinFET半导体技术的计划。此技术可以为数据中心、网络、顶级移动处理器、深度机器学习应用提供更高的运算处理能力。 对比与现今16/14nm代工厂FinFET产品，格芯的全新7纳米FinFET预期将提供两倍的逻辑密度和30%的性能增长。平台基于工业标准FinFET晶体管结构和光学刻印技术，配备在关键层次的EUV匹配能力。此方案将通过大量重复利用公司14纳米FinFET技术的制程和工具来进行加速生产。14纳米FinFET技术现于纽约州萨拉托加的8号晶圆厂以投入大批量生产。格芯计划额外投入数十亿美元在8号晶圆厂以实施7纳米FinFET生产。 “格芯在从14纳米直接跳跃到7纳米，这一技术上的大胆的决定得到了很多领先半导体公司的支持，特别是当他们知道成本高昂的10纳米技术只能带来有限的性能和功率优势”，TIRIAS研究公司的创办人及分析部主任Jim McGregor说道。“如同28纳米与16/14纳米制程节点，7纳米技术至少在下一个10年内将成为主要节点，并将被整个半导体行业大量使用。” “对于加强下一代计算机体验的计算和图像产品规划来说，类似格芯7纳米FinFET这样的领先技术是关键因素，”AMD主席及总裁Lisa Su博士说道。“我们渴望与格芯继续密切合作，并期待见证格芯在近几年将14纳米技术中展现出的可靠执行与技术基础延续到7纳米技术上。” “IBM承诺，将推动半导体科技的极限作为积极长期研究的计划，并提上战略日程。”IBM研究中心高级副总裁 Arvind Krishna说道，“IBM研究中心持续与格芯合作开发新概念、新技巧与新科技，并一起加速我们在7纳米技术和将来的共同研究。” 格芯将展示一个全面的且富有竞争力，并能与制程开发一同优化的IP库。为使客户加快对7纳米技术的采用，格芯拓展了它的战略合作伙伴范围，现与INVECAS建立合作关系，合作范围超越14LPP和FDX™制程，现已涵盖了7纳米制程技术的铸造IP开发。这将为客户建立符合性能、功耗、面积需求的早期设计提供了坚实的基础。 基于在14LPP技术平台的成功，格芯的7纳米FinFET技术定位于推动下一代的计算应用，满足对超高性能的需求，其应用范围包括高端移动SoC 和云服务器处理器及网络基建。公司的高性能产品得到22FDX® 和12FDX™的增强，而这两项技术都已达到下一代智能连接设备对超低功耗的要求， 此类设备用于移动计算，5G连接，人工智能以及无人驾驶技术。 格芯的7纳米FinFET将得到完整的基础平台和复杂的IP，包括ASIC产品。实验芯片与来自高端客户的IP已经在8号晶圆厂投入运行。本技术预计将于2017年下半年可用于客户产品设计，将于2018年早期投入风险生产。 关于格芯 格芯是世界上第一个具有真正意义上足迹遍布全球的全方位服务晶圆制造商。该公司于2009年3月成名，并迅速实现了规模化，成为世界最大的晶圆生产商之一，为250多个客户提供先进技术和独特制造的组合。格芯在新加坡，德国和美国经营，是唯一提供跨越全球三大洲的制造中心，并提供的足够灵活性和高度安全性的代工厂。该公司的300mm晶圆厂和200mm晶圆厂提供从主流到前沿的全系列制程技术。格芯的制造业务遍及全球，而格芯位于美国，欧洲和亚洲的半导体业务中心的大量的研发和设计实现人员为格芯的全球制造业务提供全面的支持。格芯由Mubadala Development Company拥有。欲了解更多信息，请访问https://www.globalfoundries.com。
格芯在22FDX®平台启动嵌入式MRAM September 15, 2016高性能嵌入式非易失性内存方案，是物联网汽车自动化领域新兴应用的完美选择 加州圣克拉拉，2016年9月15日—格芯今天介绍了可进化的嵌入式磁阻性非易失性内存技术（eMRAM），基于22FDX®平台，提供比现在的NVM产品快1000倍的写入速度和高1000倍的耐用性。在维持企业领先的eMRAM存储单元大小的同时，22FDX®具备了可以在260°C（在工业级别的可操作温度）回流焊接下维持数据的能力。 格芯的eMRAM将在22FDX®平台发布，应用了业内第一个22纳米耗尽时绝缘体上硅（FD-SOI）技术。具备多样性的eMRAM技术是为了代码储存（闪存）和工作内存（SRAM）设计，启用了超高效内存子系统，该子系统可在没有能量和性能损失的情况下多次重复启动。FDX™ 和 eMRAM的低功耗和有效的射频连接性IP，使22 FDX™成为电池供电的物联网产品与汽车自动化MCU的理想平台。 “客户正在寻求高效非易失性内存方案，以增加自己产品的能力，”格芯CMOS平台业务部高级副总裁Gregg Barltlett说道，“22FDX™ eMRAM的出现使系统设计者具备新的能力，将更好的功能实现在他们的MCU和SoC上，还能增进性能和功耗的表现。” 无人汽车的出现极大推动了一系列的需求，包括对芯片对内存性能的需求，这些更好的内存性能主要用于实时图像处理，高精度和连续性3D拓录数据和下一代无线更新的汽车自动化MCU。格芯的eMRAM利用独特的方法解决了此些高级驾驶辅助系统(ADAS)的要求，合并比SRAM更高密度的内存、快速写入、超高耐用性和非易失性功能，这些都只有磁阻型内存才能做到。 “新型非易失性内存正从研究阶段走向生产，”Coughlin联合公司主席Thomas Coughlin说道，“格芯的22FDX™ eMRAM将提供SoC能力上的极大的进步，利用了嵌入式MRAM的关键性能属性。电池供电的IoT设备、汽车MCU和SoC及SSD储存控制器的设计者必然会渴望利用此多样化嵌入式NVM技术的优势。” 格芯22FDX™ eMRAM的出现，是公司与MRAM界的先驱Everspin技术公司多年合作的成果。双方的合作已在2016年8月为世界提供了最高密度的ST-MRAM—Everspin的256兆DDR3处置磁场通道结型（pMJT）产品，此产品现已在格芯准备投入大批量生产。 格芯的22FDX™ eMRAM现正处于开发阶段，客户试用原型机预计于2017年问世，并于2018年投入量产。格芯的eMRAM比22纳米有更好的可扩展性，预期将在FinFET和未来的FDX平台推出。
GLOBALFOUNDRIES将提供业界领先的7nm FinFET技术产品 2016年9月15日公司为需要终极处理能力的产品扩展了其领先的路线图 2016年9月15日，加利福尼亚州圣克拉拉市--环球方德公司今天宣布计划提供一种新的领先的7纳米FinFET半导体技术，将为下一个时代的计算应用提供终极性能。这项技术为数据中心、网络、优质移动处理器和深度学习应用提供更多的处理能力。 与目前16/14纳米代工的FinFET产品相比，GF新的7纳米FinFET技术有望实现两倍以上的逻辑密度和30%的性能提升。该平台以行业标准的FinFET晶体管架构和光学光刻技术为基础，在关键层面上兼容EUV。这种方法将通过大量重复使用公司14纳米FinFET技术的工具和工艺来加快生产速度，该技术目前正在位于纽约州萨拉托加县的Fab 8园区进行批量生产。 "GF首席执行官Sanjay Jha表示："业界正趋向于将7纳米FinFET作为下一个长寿命节点，这对GF来说是一个独特的机会，可以在领先的位置上进行竞争。"通过利用我们多年来制造高性能芯片的经验、前IBM微电子公司同事的才能和技术以及我们研究联盟的世界级研发管道，我们完全有能力提供与众不同的7nm FinFET技术。没有其他晶圆厂能与这种制造高性能芯片的传统相提并论。" "TIRIAS Research创始人兼首席分析师Jim McGregor说："GF做出了一个大胆的决定，从14纳米直接跳到7纳米--这个决定现在得到了几家领先的半导体公司的支持，因为他们认为10纳米工艺节点的高成本只能带来微弱的性能和功率优势。"与28纳米和16/14纳米工艺节点一样，7纳米似乎是下一个主要的工艺节点，至少在未来十年将被整个半导体行业广泛利用。" "AMD总裁兼首席执行官Lisa Su博士表示："像GF 7纳米FinFET这样的领先技术是我们提供计算和图形产品长期路线图的一个重要部分，这些产品能够为下一代计算体验提供动力。"我们期待着继续与GF密切合作，因为他们将在14纳米建立的坚实的执行和技术基础扩展到未来几年部署高性能、低功耗的7纳米技术。" "作为其积极的长期研究议程的一部分，IBM致力于推动半导体技术的极限，"IBM研究院高级副总裁兼总监Arvind Krishna说。"IBM研究院继续与GF合作，开发新的想法、新的技能和新的技术，这将有助于加速我们在7纳米技术及以后的联合研究。" GF将提供一个全面的、有竞争力的IP库，与工艺开发共同优化。为使客户加速采用7纳米FinFET技术，GF已将其与英威达的战略合作关系扩大到14LPP和FDX™工艺之外，现在还包括7纳米工艺技术的代工IP开发。这将为客户打下坚实的基础，以建立符合其性能、功率和面积要求的早期设计。 "英威达首席执行官Dasaradha Gude表示："英威达专门为GF的客户提供无与伦比的IP解决方案、ASIC和设计服务，这些服务涵盖了GF领先的FinFET和FDX工艺的广泛范围。"我们与GF的战略伙伴关系与我们量身定制的代工IP模型相结合，使我们能够开发出7纳米FinFET工艺基础IP，满足7纳米客户领先应用的挑战性性能要求。" 在其14LPP技术平台的成功基础上，GF的7纳米FinFET技术定位于实现需要超高性能的下一代计算应用，从高端移动SoC到云服务器和网络基础设施的处理器。公司的高性能产品得到了22FDX®和12FDX™技术的补充，这些技术的开发是为了满足下一代智能互联设备的超低功耗要求，从移动计算和5G连接到人工智能和自主车辆。 GF的7纳米FinFET技术将得到一个完整的基础和复杂的知识产权（IP）平台的支持，包括一个特定应用集成电路（ASIC）产品。带有领先客户的IP的测试芯片已经开始在8号工厂运行。该技术预计将在2017年下半年开始为客户的产品设计做好准备，并在2018年初进入风险生产阶段。 关于GF GF是世界上第一家提供全面服务的半导体代工企业，其业务范围真正覆盖全球。该公司于2009年3月启动，迅速形成规模，成为世界上最大的代工厂之一，为250多家客户提供先进技术和制造的独特组合。通过在新加坡、德国和美国的运营，GF是唯一一家能够提供跨越三大洲的制造中心的灵活性和安全性的代工厂。公司的300毫米晶圆厂和200毫米晶圆厂提供从主流到前沿的全部工艺技术。这一全球制造足迹得到了位于美国、欧洲和亚洲的半导体活动中心附近的主要研究、开发和设计设施的支持。GF为穆巴达拉发展公司所有。欲了解更多信息，请访问https://www.globalfoundries.com。 联系方式：Jason GorssGF(518) 698-7765[email protected]
GLOBALFOUNDRIES在22FDX®平台上推出嵌入式MRAM 2016年9月15日高性能的嵌入式非易失性存储器解决方案非常适合于先进的物联网和汽车领域的新兴应用 2016年9月15日，加利福尼亚州圣克拉拉市--环球方德公司今天在其22FDX平台上推出了一种可扩展的嵌入式磁阻非易失性存储器技术（eMRAM），为系统设计师提供了比当今非易失性存储器（NVM）产品快1000倍的写入速度和1000倍的耐久性。22FDX eMRAM还具有在260°C焊接回流、工业温度下保持数据的能力，同时保持行业领先的eMRAM比特单元尺寸。 GF的eMRAM最初将在其22FDX平台上提供，该平台利用了业界首个22纳米全耗尽的绝缘体上的硅（FD-SOI）技术。这种多功能的eMRAM技术是为代码存储（闪存）和工作存储器（SRAM）而设计的，以实现超高效的存储器子系统，可以在没有任何能量或性能损失的情况下进行电源循环。FDX™和eMRAM的电源效率，加上可用的射频连接IP，使22FDX成为电池供电的物联网产品和汽车MCU的理想平台。 "GF公司CMOS平台业务部高级副总裁Gregg Bartlett说："客户正在寻找一种高性能的非易失性存储器解决方案，以扩展其产品功能。"我们推出的22FDX eMRAM使系统设计人员具备了新的能力，使他们能够在其MCU和SoC中构建更多的功能，同时提高性能和电源效率。" 自动驾驶汽车的出现迅速推动了对增加片上存储器容量的需求，而这一需求是实时视觉处理、高精度、连续的3D地图数据以及空中更新的下一代汽车MCU所需的。GF的eMRAM通过将比SRAM更高的存储密度与只有磁阻存储器才能提供的快速写入、极高的耐久性和非挥发性相结合，独特地满足了这些高级驾驶辅助系统（ADAS）的要求。 "Coughlin Associates总裁Thomas Coughlin表示："新兴的非易失性存储器正在从实验室走向工厂。"GF的22FDX eMRAM将通过利用嵌入式MRAM的关键性能属性，在SoC能力方面取得重大进展。电池供电的物联网设备、汽车MCU和SoC以及SSD存储控制器的设计者肯定会想利用这种多功能的嵌入式NVM技术。" GF的22FDX eMRAM的推出是该公司与MRAM先驱者Everspin Technologies多年合作的结果。这种合作关系已经在2016年8月交付了世界上最高密度的ST-MRAM--Everspin的256Mb DDR3垂直磁隧道结（pMTJ）产品，该产品目前已经成功出样，正在为GF的大规模生产做准备。 GF的22FDX eMRAM目前正在开发中，预计将在2017年为客户提供原型设计，并在2018年实现批量生产。GF的eMRAM技术可扩展到22纳米以上，预计可在FinFET和未来的FDX平台上使用。 关于GF GF是世界上第一家提供全面服务的半导体代工企业，其业务范围真正覆盖全球。该公司于2009年3月启动，迅速形成规模，成为世界上最大的代工厂之一，为250多家客户提供先进技术和制造的独特组合。通过在新加坡、德国和美国的运营，GF是唯一一家能够提供跨越三大洲的制造中心的灵活性和安全性的代工厂。公司的300毫米晶圆厂和200毫米晶圆厂提供从主流到前沿的全部工艺技术。这一全球制造足迹得到了位于美国、欧洲和亚洲的半导体活动中心附近的主要研究、开发和设计设施的支持。GF为穆巴达拉发展公司所有。欲了解更多信息，请访问https://www.globalfoundries.com。 联系方式：Erica McGillGF(518) 305-5978[email protected]
Synopsys公司加入格芯的FDXcelerator合作伙伴计划，以实现使用FD-SOI过程的创新设计。 2016年9月9日山景城和加州圣克拉拉 加利福尼亚州圣克拉拉市。, 2016年9月8日/美通社/ -- Synopsys, Inc.(纳斯达克股票代码：SNPS）和GLOBALFOUNDRIES今天宣布，Synopsys已经加入了代工厂的FDXcelerator™合作伙伴计划，这是一个旨在促进22FDX™片上系统（SoC）设计的生态系统。该计划使设计人员能够为基于FDX的设计部署Synopsys全面的RTL-to-GSDII解决方案，并提供卓越的功率和性能指标。这项合作加速了创新产品的开发，其应用范围涵盖智能客户端系统、5G连接、增强和虚拟现实以及汽车。
Synopsys加入GLOBALFOUNDRIES FDXcelerator合作伙伴计划，利用FD-SOI工艺实现创新设计 2016年9月9日该计划使Synopsys能够进入GLOBALFOUNDRIES FDX组合，并为客户提供支持FD-SOI差异化特性的工具。 加州山景城和加州圣克拉拉2016年9月8日电 /美通社/ -- Synopsys, Inc.(纳斯达克股票代码：SNPS）和GLOBALFOUNDRIES今天宣布，Synopsys已加入代工厂的FDXcelerator™合作伙伴计划，这是一个旨在促进22FDX™片上系统（SoC）设计的生态系统。该计划使设计人员能够为基于FDX的设计部署Synopsys全面的RTL-to-GSDII解决方案，并提供卓越的功率和性能指标。这项合作加速了创新产品的开发，其应用范围涵盖智能客户端系统、5G连接、增强和虚拟现实以及汽车。
