格芯任命Michael Hogan为高级副总裁兼总经理，以支持新的市场深耕策略 September 24, 2019新的业务部门和领导层的任命将进一步推动公司的长期增长和价值创造 加利福尼亚州圣克拉拉，2019年9月24日 — 为加强其向目标市场提供专门解决方案的承诺，格芯今日在硅谷举办的2019格芯全球技术大会（GTC）上宣布，任命Michael Hogan为格芯新成立的汽车、工业和多市场（AIM）战略业务部门的高级副总裁兼总经理。Hogan将负责推动格芯市场战略，规划格芯的差异化功能路线图，以及汽车、工业和多市场（AIM）战略业务部门的全球扩张。 格芯汽车、工业和多重市场战略业务部门高级副总裁兼总经理Michael Hogan Hogan拥有30年的半导体技术经验，曾成功领导过包括赛普拉斯半导体（Cypress Semiconductor）和博通（Broadcom）在内的业内领先公司。加入格芯之前，Hogan是赛普拉斯半导体物联网、计算和无线业务部门的高级副总裁兼总经理，他在该部门为公司最大、增长最快的业务制定了战略。 “通过围绕客户体验来调整领导结构，格芯的多样化人才和市场洞察力将被用来转变我们的市场战略，并为客户提供差异化、功能丰富的解决方案。”格芯首席执行官汤姆·嘉菲尔德（Thomas Coulfield）表示，“Michael Hogan的加入正值格芯位于强劲增长之际，我们需要经验丰富的领导者进一步提升和扩展我们的能力。Michael在半导体领域，尤其是在汽车和无线连接领域的丰富知识以及成功经验，将带来巨大的价值，推动格芯今天和未来的发展。” 在Hogan就任的同时，格芯围绕三大核心市场（汽车、工业及多市场(AIM)、移动与无线基础设施(MWI)以及计算与有线基础设施(CWI)）成立了专门的战略业务部门，为在规模庞大且不断增长的12nm及以上芯片的代工市场中扩大市场份额。Hogan将与被任命为格芯移动与无线基础设施战略业务部门高级副总裁兼总经理的Bami Bastani以及被任命为格芯计算与有线基础设施战略业务部门代理副总裁的Mike Mendicino进行密切合作。 格芯新成立的战略业务部门及新领导层的任命，是基于自2018年开始的战略转型，并延续至今以实现更大的可扩展性和增长能力。 关于格芯： 格芯是全球领先的特殊工艺半导体代工厂，提供差异化、功能丰富的解决方案，赋能我们的客户为高增长的市场领域开发创新产品。格芯拥有广泛的工艺平台及特性，并提供独特的融合设计、开发和生产为一体的服务。格芯拥有遍布美洲、亚洲和欧洲的规模生产足迹，以其灵活性与应变力满足全球客户的动态需求。格芯为阿布扎比穆巴达拉投资公司(Mubadala Investment Company)所有。欲了解更多信息，请访问 https://www.globalfoundries.com/cn。 媒体垂询： 杨颖（Jessie Yang）(021) 8029 6826[email protected] 邢芳洁（Jay Xing）86 18801624170[email protected]
战略转变增强IP合作伙伴关系 September 20, 2019 作者: Dave Lammers 当记者对半导体公司进行比较时，我们通常会深入探究栅极长度、掩膜层、SRAM单元尺寸以及其他一些面向硬件的指标。只有在经历过一段职业生涯后，我才开始认识到，IP和其他形式的设计支持对晶圆厂和集成器件制造商(IDM)取得成功也同样重要。 当格芯在2018年8月底宣布实施“战略转型”时，公众的很多注意力再次转向晶体管的角色，以及资源如何重新部署到7nm逻辑芯片之外的技术领域。在摩尔定律预测的高增长速度逐渐减缓的时代，格芯将这些资源分散到格芯提供的18种不同技术（及其衍生品）上，此举得到了很多人的理解。 必须更多强调一点，更新的IP在某种程度上是通过战略转型来实现的。 格芯生态系统合作伙伴关系副总裁Mark Ireland指出，12LP (FinFET)工艺就是重新部署IP资源的很好例子。在初始阶段，格芯的12LP工艺主要用于CPU、GPU和类似的高性能产品。现在，12LP正在进入一系列更广泛的市场，包括消费型产品、网络、5G无线、人工智能-机器学习(AI-ML)。这些应用通常需要不同的IP，特别是多协议SERDES、低功耗存储器、高速存储器接口。 “在消费型产品中，数字视频和机顶盒正在向FinFET迁移。消费型产品不是12LP节点的引领者，但现在却在向FinFET迁移。Ireland表示：“我们看到了更加广泛的市场和客户群体，这一点必须在我们注重的IP合作中体现出来。” 他表示，人工智能SoC也需要更多的IP，包括高速SERDES和低功耗存储器。 适用于5G基站的高速SERDES 同样，5G无线标准“扩大了引入一些将用于5G基站和其他用途的SERDES IP的需求。”他指出：“我们的客户需要这种类型的IP，才能在这些市场上取得成功。”他还指出，无线客户可以选择22FDX全耗尽式绝缘体上硅、12LP FinFET或其他工艺，这要取决于他们的应用需求。 格芯和Rambus宣布推出适用于22FDX工艺的28-Gbps和32-Gbps SERDES，就在设计自动化大会之前，格芯和Synopsys表示双方正在准备开发采用12LP工艺的25-Gbps SERDES。Ireland说：“这种IP具有更广泛的市场应用，对于5G基站至关重要。” 另外，格芯与Analog Bits近期达成协议，将Analog Bits的模拟和混合信号IP设计套件引入12LP技术，包括低功耗锁相环(PLL)和扩频时钟生成(SSCG)，以及工艺、电压、温度(PVT)传感器IP等。 Ireland表示：“我们正在与更广泛的市场建立更深入的合作伙伴关系，从而满足他们对更多IP的需求。我们正在推动这一进程，这其中不缺少机会。格芯目前面临的挑战是及时获取最高质量的IP。” 每个芯片上的射频模块 格芯的客户解决方案副总裁Subi Kengeri表示，他们有更多IC设计团队正在使用FD-SOI或传统异构集成方法，开发复杂的设计来处理射频和混合信号，而并不简单依赖于粗放的扩展。对于复杂的射频和模拟SoC，Kengeri指出：“IP将成为实现SoC产品技术差异化的载体。设计人员要通过这种方式挖掘技术的差异化价值。因此，IP必须经过完全优化，具备最高的质量，这一点非常重要。” 格芯在射频技术领域有着出色的过往业绩，并且不断在射频技术领域投入巨资，这也是战略转变后策略的一部分。“通信现在变得前所未有的重要，每个芯片上都将有一个射频模块。射频非常复杂，整个行业掌握的这方面技能也比较有限。我们是射频领域的领跑者，并且在射频IP、设计服务和射频参考模块方面进行了投资，因而我们处于非常有利的地位，能够帮助客户加快产品上市、降低成本和减少风险。提到射频，就想到格芯。” 跟踪IP就绪性 晶圆厂IP和客户工程副总裁John Kent表示，一个芯片设计可能需要20个甚至更多的不同IP。Kent说道：“我们跟踪IP就绪情况，这个词的意思是当客户希望进行设计时，我们是否拥有了所有必需的IP。”就绪性指标是“我们是否能够为客户提供服务的一大关键指标。”Kent说，另外一个重要指标是一次性正确率，目的是确保IP的所有DC参数都是准确的。 他说：“在与新客户合作时，我们的亲身实践经验可以告诉我们：我们在哪些方面是世界一流的，在哪里方面尚待改进。我们作为一个团队面临的最大挑战是，在我们放弃7纳米工艺之后，利用团队在7纳米工艺或其他平台上积累的经验，重新平衡我们的资源。” Kent表示，其他格芯技术平台吸引了更多关注，包括他们长期重视的PDK（产品开发套件）改进。Kent说：“过去十年内，我们在PDK方面的知识不断积累，我们学会了及时执行。通过这个过程，以及我们的这次战略转变，我们将首要PDK开发重点从FDX和FinFET转移到格芯为客户提供的其他18个系列产品上，从而将PDK资源重新部署到这些技术上。 在22FDX基础IP方面，格芯主要但不完全依赖于Invecas，该公司包括以前的IBM存储器IP团队成员。Kent谈到了Invecas：“他们是一个优秀的团队，提供非常出色的产品。” Ireland说：“我们的22FDX基础IP来自于Invecas，最近我们还扩展了生态系统，包括来自Synopsys的汽车IP。我们的目的是与多家供应商展开合作。”与Synopsys的协议包括基础IP，以及面向各种汽车应用的模拟和接口IP，包括ADAS、动力总成、5G和雷达。 基础IP可能非常复杂 基础IP（即FIP）的复杂度从简单到中等。多个电压的通用型IO可能涉及多个不同的金属堆栈，其设计可能非常复杂。Kent说：“通常在我们发布库时，FIP内部包括数千个单独的库单元。” 存储器，包括静态RAM、ROM、闪存和更新的MRAM，也属于FIP的一部分，因为它们与I/O相似，都是设计的基础。但存储器IP非常复杂，存在复杂的信号传输问题，需要进行纠错。 所谓的复杂IP通常包括大量的模拟和混合信号内容。32-Gbps SERDES可能具备很多数字模式功能，还有复杂的混合信号，以便支持信号和功率参数。 格芯一直在与Everspin携手共同开发新的IP，支持基于22FDX和FinFET工艺的嵌入式MRAM。Kent表示，MRAM相对于闪存具有诸多优势，包括亚纳秒级的写入时间（而闪存的写入时间则长达数毫秒）和非常强大的防故障能力。Kent说：“我们正在开发新的IP来支持MRAM，具备能够与SRAM相媲美的性能。” 汽车应用是MRAM的主要目标。Kent说：“未来的汽车将采用大量传感器，所有部件必须安全运行。由于集成电路必须在汽车中工作更长时间，比如它应该超过计算机的使用寿命，因此我们正在考虑采用MRAM。” 关于作者 Dave Lammers是固态技术特约撰稿人，也是格芯的Foundry Files的特约博客作者。他于20世界80年代早期在美联社东京分社工作期间开始撰写关于半导体行业的文章，彼时该行业正经历快速发展。他于1985年加入E.E. Times，定居东京，在之后的14年内，足迹遍及日本、韩国和台湾。1998年，Dave与他的妻子Mieko以及4个孩子移居奥斯丁，为E.E Times开设德克萨斯办事处。Dave毕业于美国圣母大学，获得密苏里大学新闻学院新闻学硕士学位。
GF 在量子生态系统中发挥作用 2019 年 9 月 12 日作者： Dave Lammers戴夫-拉默斯 我第一次见到 Sorin Voinigescu 是在 1995 年，当时他手持刚刚获得的博士学位，在国际电子器件会议 (IEDM) 上介绍了采用 CMOS 技术制作的射频电路的一些早期工作。 将近 24 年后，Voinigescu 正在量子计算领域开展同样的创新途径研究，他使用 GLOBALFOUNDRIES（GF）的 22FDX® 工艺研究如何将量子比特与射频控制和读出电路集成在一起。Voinigescu 认为量子设备将遵循一种摩尔定律，即缩小的量子比特和支持电路能够在更高的温度下运行，也许就不再需要当今低温技术中消耗的稀缺氦气。 目前的量子设备主要是在毫开尔文温度下工作的约瑟夫森结超导设备，用导线连接量子比特和控制与测量电子设备。多伦多大学的沃伊尼格斯库实验室正在研究如何制造可以用毫米波信号控制的半导体型量子比特。目前的超导量子比特的量子能量分离水平在 5-10 千兆赫范围内。为了操作量子门，微波控制信号的频率必须在 5-10 千兆赫范围内。 "沃伊尼格斯库教授解释说："所有量子比特，无论其实现方式如何，都是模拟自旋的，而控制是通过必须与该量子比特的电子自旋共振频率共振的信号来实现的。他说，一种思路是，每个量子门可能需要相当于 5G 蜂窝信号的信号，频率可能在 60 GHz 范围内。事实上，他几年前就被量子计算领域所吸引，当时他参加了IEDM的量子计算会议，并意识到自己二十年来在高频电路方面的研究可以在量子计算领域发挥作用。 开氏 3.3 度时的 22FDX 在寻求更高温量子计算的过程中，存在他所说的 "三位一体 "问题，即器件必须与任何热量或干扰隔离。晶体管的栅极宽度越小，激发量子比特栅极所需的频率就越高，其工作温度也就越高。目前，Voinigescu 实验室正在研究的基于 22FDX 的器件的栅极宽度为 50 纳米（栅极长度为 18 纳米，沟道厚度为 6-7 纳米）。随着栅极宽度的减小，量子比特、控制和测量电路可以使用更高的温度环境。 多伦多实验室及其合作伙伴最近发现，22FDX 工艺最酷（原谅我的双关语）的一点是：在量子系统所需的极低温度下，有源和无源高频器件的性能实际上得到了提高。 多伦多大学团队与 GF 及工业合作伙伴 Lake Shore Cryotronics 和 Keysight Technologies 等公司合作，在 6 月于波士顿举行的 2019 RFIC 会议上报告了如何利用 22FDX 工艺制造出单片集成的双量子点和读出跨阻放大器（TIA），并将输出匹配到 50 Ω。 对于电路设计而言，更重要的是，研究人员发现，在 3.3 摄氏度开氏度条件下，采用量产型 22 纳米 22FDX 技术制造的所有有源和无源器件的高频性能都有所改善，多晶硅电阻器无差异，MOM 电容器的品质因数也有所提高。 "FD-SOI 的独特之处在于，在低频和高频情况下，电路不会受到去电离的影响，而众所周知，块状 MOSFET 会受到去电离的影响。正因为如此，我们在低温条件下（测量温度低至 2 开尔文）的性能大大提高。他说："事实上，在低至 60-70 开氏度的温度下，我们看到了明显的改进，而在此温度以下，性能基本上保持不变。跨导率、迁移率和 fmax 都得到了改善，这对太空、卫星和其他低温环境也有重要意义。 在低温条件下，无论采用何种技术，n-MOSFET 的阈值电压都会升高，而 p-MOSFET 的阈值电压则会降低。使用 FD-SOI 技术，可以利用背栅极将 Vts 调整到最佳工作点。电路可在室温下设计，然后在低温下进行 "验证"，利用背栅极偏压调整 Vt。Voinigescu 说，在室温下找到 "最佳点 "的电路可以将电流密度保持到 2 开尔文。 来源量子系统低温电子学国际研讨会，多伦多大学 Sorin Voinigescu 教授，2019 年 6 月 更小的尺寸有助于提高温度 GF 的 22FDX 和 12FDX FD-SOI 平台产品经理 Jamie Schaeffer 说，量子比特是在六或七纳米的有源层中产生的，为库仑和自旋封锁器件提供了约束，从某种意义上说，这些器件被埋入的氧化物框住了。"我们必须让自旋层相互作用，而更先进的尺寸可以让它们更接近。Schaeffer 说："随着我们从 22 FDX 到 12 FDX，更小的尺寸有助于实现更高温量子计算的目标。 GF 首席技术官办公室的技术专家奈杰尔-凯夫（Nigel Cave）说，随着半导体型量子比特的尺寸越来越小，量子系统的工作温度有可能从现在的 10-100 毫开尔文提高到 4 开尔文以上。这样就能使用标准氦低温恒温器而不是稀释低温恒温器，从而降低成本，并能从系统中移除 1-2 瓦的总功率。"Cave说："去除更多功率的能力有可能为在同一基于FDX的设备中共同集成Qubits及其控制电路铺平道路。 Schaeffer 说，IBM、谷歌、英特尔、微软等公司都在开展大型量子研究项目。"就我们而言，我们相信我们能为那些在量子科学领域开展有意义工作的合作伙伴做出贡献。我们拥有一个可制造的工具集，利用我们的工艺集成能力是降低成本的一个途径。" 来源：量子系统低温电子学国际研讨会，equal1.labs量子系统低温电子学国际研讨会，equal1.labs https://equal1.us/technology 量子生态系统中的两个阵营 GF 副总裁兼高级研究员泰德-莱塔维奇（Ted Letavic）说，从万丈高楼平地起的角度看，量子计算界可以分为两个阵营：一个阵营正在推动创造数千量子比特的方法，以提高量子计算能力；另一个阵营则认为，需要更多地关注如何利用现有的大约 50-100 量子比特系统来解决现实世界中的问题。 "一派说我们需要成千上万的量子比特，另一派说我们现在有50-100个量子比特系统，却不知道如何使用它们。他说："答案之一是以联合体的形式提供免费使用，我们可以一起找出如何使用它们、如何创造经济价值和推动经济发展的最佳方法。 GF 拥有 "一些可以提供帮助的关键技术"，为初创企业、大学和其他研究不同方法的机构提供支持。今年早些时候，能源部就如何更好地组织量子信息科学中心（QISCs）发出了信息征集令。 他们认为，虽然目前的探索性研发主要是在非标准的大学实验室中进行，但 GF 可以为研究人员、初创企业和其他参与 QISC 的人员提供流程整合和早期制造的工作。与代工厂合作将确保 "旨在释放量子系统前景的设备能够在现有制造资产内批量制造"。 Letavic指出，与Voinigescu教授合作完成的工作就是一个真实的例子，事实证明FD-SOI器件在4开尔文的I/O温度下具有优势，并有望成为限制在极薄的FD-SOI层中的量子比特晶体管的来源。多伦多的研究使用了在 GF 德国德累斯顿工厂加工的晶圆穿梭器。 GF 还拥有硅锗平台和硅光子技术能力，可以在 "开启量子前景 "方面发挥作用。 "莱塔维奇说："我相信量子，但它将是经典计算的补充。"率先拥有量子计算基础设施的社会将比其他社会拥有更大的经济优势。无论你是站在'让我们追逐最大数量的量子比特'的阵营，还是站在'让我们弄清楚如何最大限度地利用量子系统'的阵营，GF 都在这两个阵营中发挥着作用。 关于作者 Dave Lammers 是 Solid State Technology 的特约撰稿人，也是 GF's Foundry Files 的特约博主。Dave 于 20 世纪 80 年代初在美联社东京分社工作时开始撰写有关半导体行业的文章，当时正值该行业快速发展时期。1985 年，他加入了《电子时报》，在东京工作的 14 年中，他报道了日本、韩国和台湾的情况。1998 年，戴夫和妻子美惠子以及四个孩子搬到奥斯汀，成立了《电子时报》德克萨斯分社。戴夫毕业于圣母大学，并在密苏里大学新闻学院获得新闻学硕士学位。
全球半导体公司：过去与现在 2019 年 8 月 30 日作者：加里-达加斯丁作者：加里-达加斯丁 回顾 GF 的第一个十年，展望未来十年及更远的未来，这是三部曲系列的第一部。 在 GLOBALFOUNDRIES 庆祝成立 10 周年之际，公司发现自己正处于一个关键的拐点。在财务要求和不断变化的商业机会的推动下，首席执行官 Tom Caulfield 启动了全面的战略转型。此举旨在更好地利用公司资源，并通过专注于 GF 多样化、差异化技术具有显著优势的应用领域，提高投资回报。 为了实现这一目标，GF 员工必须拥有共同的目标，为此，GF 正在全公司范围内开展一项名为 ONEGF 的活动。但对任何公司来说，这都不是一个简单的过程，如果考虑到 GF 的起源，就更难了：它最初是从 AMD 位于德国德累斯顿的内部制造业务分拆出来的；然后，GF 收购了位于新加坡的特许半导体代工厂；在纽约州马耳他建立了一个全新的代工厂；似乎这还不够，它还收购了 IBM 位于纽约和佛蒙特州的前内部技术开发小组和芯片制造业务。 鉴于已经发生的所有变化，Foundry Files 希望从公司各部门长期员工的角度，了解 GF 是如何取得今天的成就的，并从中汲取经验教训，以帮助应对未来的挑战。 请继续阅读，了解以下 GF 员工为何认为，共同目标感、对客户的激光般关注，以及在不同类型的技术创新中找到满足感，很可能是公司下一个十年成功的关键。 在德累斯顿边干边学：从 IDM 到代工厂 德累斯顿工厂 1 号通讯与政府关系总监延斯-德鲁斯（Jens Drews）说："我们可以看到很多伤疤，"他指的是工厂从 AMD 微处理器的专用制造资源向满足新客户广泛需求的代工厂转型的过程充满挑战，与此同时，工厂还在提升多种新技术。 当被要求描述网站过去十年的历程时，延斯想了一会儿，然后用狄更斯《双城记》中的开头一句话作答："那是最好的时代，那是最坏的时代，......那是光明的季节，那是黑暗的季节；那是希望的春天，那是绝望的冬天。"他补充说，晶圆厂的发展势头和增长潜力明显指向 "最好的时代"。 延斯是 GF 德累斯顿生产基地对员工、德国和欧洲媒体以及政府的代言人，他在生产基地工作超过 23 年，亲眼目睹了生产基地的变化，因此有资格了解这些变化。 "他说："我们在德累斯顿起步时的目标很明确--在 CPU 领域与英特尔竞争--当我们能够做到这一点时，我们感到无比自豪。"但在我们还是 AMD 一部分的最后几年，芯片行业经历了一次大的模式转变，从最初的 IDM 模式转向了无晶圆厂、轻晶圆厂公司和代工厂崛起的模式。有一段时间，AMD 德累斯顿公司仍然是变革海洋中的稳定之岛，我们一如既往地开展工作，每次只关注一个客户、一种技术和一个产品系列。但是，到了 2000 年代初，我们已经非常清楚，我们行业的变化最终会赶上德累斯顿，而且可能会越来越快"。 "后来，当我们成为 GF 的一员时，我们发现自己一夜之间就进入了一个完全不同的球赛。就好像从打排球变成了打橄榄球。他回忆说："你可以想象，在适应新的游戏规则之前，我们花了不少时间，也经历了不少磨难。 2009 年 3 月，"欢迎来到 GLOBALFOUNDRIES Fab 1 "被投影在德累斯顿办公楼的外墙上。 例如，Jens 提到了 2009/10 年的招聘高峰，从奇梦达、特许半导体和太阳能行业等公司引进了大量 "新鲜血液"。他们加入了一个深受 AMD 文化熏陶的同质化团队。"尽管这带来了兴奋和新的前景，但对系统来说仍然是一个冲击，因为在此之前，我们可以说是 AMD 的一帮兄弟姐妹，而现在我们必须应对无处不在的变化。当然，我们也经历了一段成长的痛苦。 但那是过去，现在 GF 德累斯顿已成为全球代工行业中一支不可忽视的力量。例如，GF 的创新型22FDX®FD-SOI 技术正在加速发展，并在业内一些增长最快的应用中吸引了越来越多的兴趣，28、40 和 55/65 纳米平台也是如此。 "今天，我们已经制定了一项长期战略，将德累斯顿定位为一个高混合度的'超越摩尔'代工厂，重点关注汽车、安全、5G 和人工智能等高要求市场。因此，我们正在成为汽车等欧洲关键产业价值链的一部分。 Jens指出，公司在2018年的转折与德累斯顿工厂的战略转移不谋而合，即从直接扩展转向为计算和通信以外的新市场提供功能丰富的平台。 "我们从未见过公司战略与现场战略之间如此完美的结合，这使我们能够继续全神贯注地服务于新老客户及其令人兴奋的市场的各种需求"。 他的结论是"德累斯顿的未来一片光明，正如狄更斯所说的'光明的季节'。我们已经成功地重新定义了我们为客户及其市场带来的价值。我们的增长潜力是实实在在的，而且我们已经认识到（有时是艰苦的）对我们的期望：为客户的客户提供与众不同的强大平台，持续创新，当然还有注重质量、成本和底线的坚实执行力。 以客户为中心 如果说在 Fab 1 工厂建立共同目标感是当务之急，那么在新加坡的 GF Fab 7 工厂，让客户满意并获得稳健的财务回报则是主要目标。PeterBenyon 在 GF 和特许半导体公司各任职 20 年，最近被任命为纽约州马耳他市 Fab8的副总裁兼总经理，自 7 月 1 日起生效。 GF 的新加坡工厂提供许多成熟的 200mm 和 300mm 工艺，不久还将提供用于射频应用的 GF 8SW 技术，该技术将从纽约州 East Fishkill 的 10 号工厂转移到新加坡。10 号厂房将出售给安森美半导体。(GF 位于东菲什基尔的 45RFSOI 和硅光子技术将转移到马耳他）。 从一开始，新加坡的员工就以客户为中心，以 "第一时间正确 "的心态为晶圆厂服务，从而为 GF 带来了客户满意度和良好的利润率。 新加坡广发银行 "开业日 "我们从一开始就是一家代工厂，我们一直非常重视客户，因为在成熟技术方面，竞争代工厂提供的价格和其他可交付成果通常都是相同的。因此，客户的问题总是："我为什么要找你们？彼得说。 "对此，我们的回答是，以他们的需求为中心，根据需要优先考虑他们的工作，提供我们的竞争对手通常不具备的灵活性，并且说到做到。因此，我们建立了许多稳固、长期和互惠互利的关系，"他说。 Foundry Files 问如何才能让这种思想渗透到整个公司。"将一种文化强加于其他 GF 所在地的做法是错误的。以前也试过这样做，但没有成功。他说："但是，确保客户需求始终是我们优先考虑的问题，这需要成为我们的DNA。 彼得将在晶圆厂 8 接受这一挑战，他以客户为中心的理念和久经考验的卓越运营能力将增强 GF 为迅速扩大的客户群提供服务的能力，并在晶圆厂的世界一流技术之外提供竞争优势。 以创新的新方式为乐 "创新让我们的员工兴奋不已，但规模化并不是唯一的创新。对于想做新颖独特事情的人来说，机会是无穷无尽的。硅光子技术就是一个例子。今天，这是一个小市场。然而，明天它可能会成为一个非常大的市场，而我们正在帮助定义这个市场，"Neil Peruffo 说。 Neil 是东菲什基尔 Fab 10 的副总裁兼总经理，在 IBM 和 GF 工作了 30 多年，负责技术开发、鉴定和部署。 2015 年 7 月，GF 收购位于纽约州东菲什基尔的 IBM 微电子工厂 IBM 在半导体领域有着悠久而辉煌的历史，其中的著名成就和人物不胜枚举。但是，由于其半导体业务的主要重点是支持 IBM 的大型机和服务器业务，公司芯片部门内部对其最先进、最昂贵的技术的 "适用范围缩小 "感到担忧，尼尔如是说。 他说，当 2015 年宣布 GF 收购 IBM 半导体业务时，这种担忧变成了兴奋，因为这让人感到新的视野正在打开。 "他说："即使在我们为 IBM 服务器提升先进的 14nm SOI 技术时，我们也看到我们的工厂负荷正在下降，虽然我们知道我们是 IBM 的核心，但核心对硅的需求显然在减少。他说："我们认识到，我们的生存取决于向射频和硅光子等领域拓展，以扭转负载趋势。因此，在通用电气公司进行调整之前，我们自己也进行了一次调整。 Neil 说，收购完成后，许多团队成员感到自豪和欣慰。 他们认为，成为一家纯粹的代工厂的一员，使他们能够继续在半导体行业发展，同时也为他们提供了新的发展机会。 不过，随着GF 从规模化转向差异化和衍生技术，现在又如何呢？"当你在扩大规模时，很容易看到下一步是什么，因为有一个路线图，你基本上知道下一步是什么。然而，在GF走的这条差异化道路上，我们必须开创自己的前进道路，这意味着存在一些不确定性，我们必须以不同的方式思考创新的意义。 "人工智能会变成什么？物联网呢？5G?我们的思维必须超越规模化路线图，因为根本没有在这些不同领域创造解决方案的路线图。我们的员工天性好奇，对技术充满激情，希望做新颖独特的事情，对于他们来说，未来蕴含着巨大的机遇。 在本系列的下一篇中，GF 战略与资产管理高级副总裁 Gregg Bartlett 向记者 Dave Lammers 讲述了多年来 GF 公司战略演变过程中的起伏和意外转折。 关于作者 加里-达加斯丁 Gary Dagastine 是一位作家，曾为《EE Times》、《Electronics Weekly》和许多专业媒体报道半导体行业。他是《Nanochip Fab Solutions》杂志的特约编辑，也是全球最具影响力的半导体技术会议 IEEE 国际电子器件会议 (IEDM) 的媒体关系总监。他最初就职于通用电气公司，为通用电气的电源、模拟和定制集成电路业务提供通信支持。Gary 毕业于纽约州斯克内克塔迪联合学院（Union College）。
创造新记忆：22 纳米 eMRAM 已准备好取代 eFlash 2019 年 8 月 29 日作者：马丁-梅森马丁-梅森 GF 的战略是为高增长市场的客户提供高度差异化、高附加值的解决方案，这一承诺的具体成果就是我们的 22 纳米 FD-SOI (22FDX®) 嵌入式 MRAM 非易失性存储器 (NVM) 技术。 嵌入式 STT-MRAM（自旋转移力矩磁阻 RAM）技术是与Everspin Technologies 公司合作开发的，主要面向物联网、通用微控制器、汽车、边缘人工智能和其他应用，在这些应用中，低功耗运行以及快速、稳健、非易失性代码和数据存储是一项关键要求。 GF eMRAM 技术的独特之处在于，它是一种坚固耐用的 MRAM 解决方案，被设计为大批量嵌入式闪存（eFlash）的替代品。它通过了严格的实际生产测试，能够在高温下提供持久的数据保留和耐用性。这对于微控制器应用和无线连接的物联网至关重要，因为嵌入式存储器必须在高温下（包括在 PCB 组装过程中通过 260°C 的回流焊）保留代码和数据。此外，它的擦除和（重新）写入速度比 eFlash 快一个数量级（200 纳秒对 10 微秒），读取速度相当，在许多应用中比 eFlash 更省电。 虽然最初使用的是 GF 的高能效 22FDX 工艺，但 MRAM 采用的是 "后端 "金属化技术，因此可以在 FDX™ 和 GF 的 FinFET 技术上计划衍生产品，从而实现稳健的路线图。这是因为 STT-MRAM 作为一种存储器技术，其工艺变化可用于调整存储器位单元。因此，我们预计将提供两种 "口味 "的 eMRAM：目前用于代码/数据存储的 22FDX eMRAM-F，以及作为工作存储器的 eMRAM-S，以增强未来 1x 节点的 SRAM。 目前，GF 正在为几家客户运行基于 22FDX eMRAM-F 设计的多项目晶圆 (MPW)，并计划在未来三个季度内推出多个量产晶圆。GF 和我们的设计合作伙伴提供定制设计服务，并提供 22FDX eMRAM 工艺设计套件，单个宏的宏密度从 4Mb 到 32Mb 不等。48Mb 宏也计划于 19 年第四季度发布。 行业正处于转型期 目前，嵌入式 NVM 替代技术之所以备受关注，是因为整个行业正处于转型期：28nm 节点可能是 eFlash 最后一个具有成本效益的节点，而向 22nm 几何结构的过渡使得找到一种适合新的、快速增长的低功耗应用的替代技术成为当务之急。 许多新的 eNVM 存储技术看起来很有趣，但尚未投入生产。例如，RRAM（电阻式 RAM）通过改变电介质的电阻来存储数据，它是许多研究和开发的主题，但在 2x 纳米工艺节点上的成熟度限制了它的采用。同样，PCM 存储器的应用也受到 28 纳米以下晶圆代工厂支持不足的限制。 资料来源来源：GF 相比之下，GF 公司的 eMRAM 是一种特别引人注目的适时解决方案。虽然这项技术非常复杂，需要投入大量的时间和资金来开发和部署，但它却能提供卓越的性能和多功能性。除了通过将高能效的基本 FDX 硅绝缘体工艺与 eMRAM 相结合而获得的功耗优势外，GF 的 FDX 工艺还具有业界领先的射频连接功能，而且 GF 还提供广泛的 IP。这一切都使得我们能够提供独特的高性能、高集成度、低功耗和小尺寸解决方案，为客户带来巨大价值。 事实上，GF 通过 22nm eMRAM 产品实现了其第三代 MRAM 技术，并作为联合开发工作的一部分生产了 Everspin 的 256Mb 40nm 和 1Gb 28nm 独立 MRAM 产品。 除 eMRAM 技术外，GF 还为客户提供 eFlash 和系统级封装闪存 (SIP Flash) 嵌入式存储器，采用从 130 纳米到 28 纳米的一系列技术，以满足广泛的应用要求。 成功的战略 22FDX eMRAM 技术的推出真正表明，GF 在我们具有明显差异化并能为客户带来巨大价值的领域加大投资力度的努力取得了成功。 关于作者 马丁-梅森 Martin Mason 是 GLOBALFOUNDRIES 的领先 eNVM 高级总监。在加入该公司之前，他曾在 Maxim Integrated Products 担任核心产品和精密转换解决方案执行总监，在此之前，他曾在 Atmel、Actel、Concurrent Logic 和 GEC Plessey Semiconductors 担任产品营销和设计/应用工程职位。他毕业于英国纽卡斯尔大学。
格芯在美国和德国向台积电提起专利侵权诉讼 August 26, 2019并申请禁制令以阻止侵权台湾产半导体产品的非法进口 加利福利亚州圣克拉拉，2019年8月26日——格芯（GLOBALFOUNDRIES），总部位于美国的全球领先的特殊工艺半导体代工厂，今日在美国和德国提起了多个法律诉讼，指控台湾积体电路制造股份有限公司（台积电）所使用的半导体生产技术侵犯了16项格芯专利。这些诉讼分别于今天向美国国际贸易委员会（ITC）、美国特拉华联邦地区法院、美国德克萨斯西区联邦地区法院，以及德国杜塞尔多夫地区法院和曼海姆地区法院提出。 在提起法律诉讼的同时，格芯还申请了法院禁制令，以阻止总部位于台湾的、在半导体生产领域处于垄断地位的台积电使用侵权技术生产的产品被进口至美国和德国。这些法律诉讼要求格芯指明台积电的主要客户以及下游电子公司，后者在大多数情况下才是包含了台积电侵权技术产品的实际进口人。格芯还基于台积电使用格芯专有技术而产生的数百亿美元的销售额而向台积电提出了巨额的损害赔偿请求。 “尽管半导体生产在持续地向亚洲转移，格芯却反其道而行之，在美国和欧洲的半导体行业进行了大量投资。在过去的十年中，格芯共在美国投资超过150亿美元，并在欧洲最大的半导体生产基地投资超过60亿美元。我们提起法律诉讼的目的在于保护这些投资，以及在背后驱动着这些投资的基于美国和欧洲的技术创新”，格芯的工程及技术副总裁Gregg Bartlett如是评价道。“多年来，在我们投入数十亿美元进行本土的技术研发的同时，台积电却在非法从我们的投资中获利。此次采取行动，对于叫停台积电对我们关键资产的非法使用，并保护美国和欧洲的生产基地十分重要。” 格芯希望通过提起法律诉讼来保护其投资、资产和知识产权，并藉此确保半导体行业始终是充满竞争的行业，以保护行业客户的利益。 Media Fact Sheet 关于格芯 格芯是全球领先的特殊工艺半导体代工厂，提供差异化、功能丰富的解决方案，赋能我们的客户为高增长的市场领域开发创新产品。格芯拥有广泛的工艺平台及特性，并提供独特的融合设计、开发和生产为一体的服务。格芯拥有遍布美洲、亚洲和欧洲的规模生产足迹，以其灵活性与应变力满足全球客户的动态需求。格芯为阿布扎比穆巴达拉投资公司(Mubadala Investment Company)所有。欲了解更多信息，请访问 https://www.globalfoundries.com/cn。
GLOBALFOUNDRIES在美国和德国对台积电提起专利侵权诉讼 2019年8月26日强制令旨在防止非法进口侵权的台湾半导体 加利福尼亚州圣克拉拉市。2019年8月26日-- 总部位于美国的全球领先专业代工厂GLOBALFOUNDRIES（GF）今天在美国和德国提起多项诉讼，指控台湾积体电路制造有限公司（TSMC）使用的半导体制造技术。(台积电）侵犯了GF的16项专利。 这些诉讼是今天向美国国际贸易委员会（ITC）、美国特拉华州和德克萨斯州西区的联邦地区法院以及德国杜塞尔多夫和曼海姆地区法院提出的。 在提起诉讼的过程中，GF寻求命令，以阻止由台湾的主要半导体制造商台积电以侵权技术生产的半导体进口到美国和德国。这些诉讼要求GF指明台积电的某些主要客户和下游电子公司，在大多数情况下，他们是采用台积电侵权技术的产品的实际进口商。基于台积电在其数百亿美元的销售中非法使用了GF的专利技术，GF还向台积电寻求巨额赔偿。 "在半导体制造业不断向亚洲转移的同时，GF逆势而上，在美国和欧洲的半导体行业进行了大量投资，过去十年在美国的投资超过150亿美元，在欧洲最大的半导体制造加工厂的投资超过60亿美元。这些诉讼旨在保护这些投资以及为其提供动力的美国和欧洲的创新，"GF公司工程和技术高级副总裁Gregg Bartlett说。"多年来，当我们为国内研发投入数十亿美元时，台积电一直在非法获取我们投资的利益。这一行动对于制止台湾半导体非法使用我们的重要资产和保障美国和欧洲的制造基地至关重要"。 GF提起这些诉讼是为了保护其投资、资产和知识产权，这将有助于确保半导体制造业继续成为一个有竞争力的行业，为其客户带来利益。 媒体概况介绍 关于GLOBALFOUNDRIES GLOBALFOUNDRIES（GF）是世界领先的特种铸造厂。我们提供差异化的功能丰富的解决方案，使我们的客户能够为高增长的细分市场开发创新产品。GF通过独特的设计、开发和制造服务组合，提供广泛的平台和功能。凭借遍布美国、欧洲和亚洲的规模化生产基地，GF具有灵活性和敏捷性，能够满足全球客户的动态需求。GF由穆巴达拉投资公司拥有。欲了解更多信息，请访问 globalfoundries.com。 联系。 Laurie Kelly, GLOBALFOUNDRIES(518) 265-4580[email protected]
边缘人工智能优化 5G 毫米波网络 2019 年 8 月 14 日作者： Peter A. Rabbeni彼得-A-拉贝尼 人工智能以多种不同的方式触及我们的生活，虽然有些人工智能应用非常显眼，如日益流行的亚马逊 Echo 和谷歌 Home 声控智能数字助理，但其他应用却不那么明显。但它们绝不是不那么重要。 例如，人工智能技术对于成功推出 5G 无线通信至关重要。5G 是超高速、超大带宽、低延迟无线通信系统和网络的发展标准，其功能和性能将超越现有技术。 5G 级性能并非奢侈品，而是全球无线连接设备部署爆炸式增长所急需的能力。海量数据即将压垮现有系统，而必须访问、传输、存储和处理的数据量也在快速增长。 即将到来的数据爆炸需要 5G 据估计，全球用户每分钟发送 1,800 万条短信和 1.87 亿封电子邮件，观看 430 万段 YouTube 视频，进行 370 万次谷歌搜索查询。分析师预测，在制造业，联网设备的数量将在 2017 年至 2020 年间翻一番。总体而言，到 2021 年，互联网流量将达到每年 3.3 兆字节，其中 Wi-Fi 和移动设备将占 63%（兆字节比千兆字节大 12 个数量级，即 1021 个字节）。 处理所有这些数据需要新的 5G 网络。新网络将分阶段推出，初期实施将利用现有的 4G LTE 和非授权接入基础设施。不过，虽然这些第一阶段的初始系统将支持 6GHz 以下的应用和大于 10GBps 的峰值数据传输速率，但到了第二阶段，事情才真正开始变得有趣起来。 在第二阶段，将部署毫米波（mmWave）系统，使需要超低延迟、高安全性和超高小区边缘数据传输速率的应用成为可能。(边缘 "是指设备连接到网络的位置。如果设备能在边缘进行更多的数据处理和存储，即无需通过网络将数据来回发送到云端或数据中心，那么设备就能更快地做出响应，网络空间也将得到释放）。 人工智能和 5G 是完美的合作伙伴 人工智能功能是边缘计算的关键，因为它能更有效地控制网络、小区和设备。没有它，许多依赖于边缘计算的 5G 应用根本无法实现、无法良好运行，或者部署成本过高。 就拿自适应波束成形来说，相控阵天线发出的信号会以增加特定方向信号强度的方式进行组合。这对 5G 应用非常重要，因为毫米波频率范围（30 千兆赫 - 300 千兆赫）内的频谱可用性几乎是无限的，但这些波长的信号会因大气吸收而衰减，从而将其可用范围限制在 300 米左右。它们也很难穿透建筑物和树叶。 过去，利用毫米波频率构建的系统在接受这些限制的同时，也限制了其应用。因此，随着半导体和更快数字信号处理技术的发展，传感系统与人工智能相结合，可用于控制用于毫米波 5G 通信的自适应波束形成天线阵列。这将带来动态优化的基站和计算资源，从而更好地适应不断变化的用户需求和环境条件。如果没有人工智能，这将很难实现。 智能监控摄像机 人工智能节约网络资源的另一种方式是在越来越多地使用 "智能 "监控摄像头的过程中发挥作用，这些摄像头使用了多种半导体技术。2016 年，全球有超过 1.2 亿台 IP（互联网协议）摄像机连接到网络，应用范围十分广泛。 其中许多是所谓的 "智能 "监控摄像头。(最近有一个值得注意的例子，智能监控技术让警方在 6 万名音乐会观众中找出了一名通缉犯）。 如果没有人工智能来对智能摄像机产生的大部分数据进行边缘处理，网络将不堪重负。一台高清 IP 智能摄像机每秒可产生 10Mb 的数据流（或 30 帧）。将这一数字乘以近年来新增的数百万台此类摄像机，仅这一应用所需的网络带宽就将超过每秒 1 PB（1015）--这显然是不切实际的。 人工智能拯救边缘世界 此外，利用现有技术在云端处理这些数据将非常昂贵。唯一真正的答案是在边缘进行计算，使用人工智能技术进行物体识别、手势检测和分类，并只通过网络发送最低限度的元数据。 人们可能会认为，要做到这一点，需要最先进、最前沿的半导体技术，但事实上，许多工艺都在发挥作用。GF 为一系列 5G 和边缘连接应用提供业界最广泛的技术解决方案，包括毫米波前端模块 (FEM)、独立或集成的毫米波收发器和基带芯片，以及用于移动和网络的高性能应用处理器。 例如，GF 的射频 SOI、SiGe 和 FDX™ FD-SOI 产品专为 6GHz 以下到毫米波频段的应用而设计。射频 SOI 和 SiGe 解决方案为带有集成开关的 FEM、低噪声放大器和功率放大器应用提供了性能、集成度和能效的最佳组合。FDX 产品非常适合智能相机等下一代联网设备，这些设备需要内置智能和无线连接功能的超低功耗技术。 客户可利用 FDX 的后栅极体偏压功能，在需要时动态提高性能，以进行图像处理、人工智能/机器学习，或在系统待机时控制泄漏。FDX 生态系统的 IP 合作伙伴包括用于片上电源管理、无线电子系统、低压 SRAM、瞬时导通 MRAM、eNVM 和 FPGA 块的优化 IP，可用于实现人工智能边缘计算所需的高度集成的灵活片上系统 (SoC)。 用于未来商用 IP 摄像机的 FDX SoC。(来源：GF） 互联智能 传统上，业界从计算、存储和数据传输等不同的角度，以交易为基础，非整体地看待网络。 但是，如果我们现在考虑在网络中增加许多具有传感器收集功能的边缘连接设备，我们就会开始看到创建具有智能传感功能的网络的价值，其数据可以被收集起来，并成为智能和基于时间的决策的基础，从而改进和优化网络提供的服务。 这就是我们所说的 "互联智能"（Connected Intelligence）--能够感知、决定和执行从连接到网络的设备/传感器收集到的信息，从而创造终极用户体验。 增加人工智能引擎来增强这种 "感知、决定和行动 "的网络优化方法，可以创建一个非常强大的框架，以最佳方式利用现有的网络资产。 在这一切的背后，人们意识到人工智能支持的 5G 毫米波网络将取决于半导体技术的进步和创新。没有一种单一的技术解决方案能够满足所有潜在的应用需求。要使这些下一代应用无缝协作并最大限度地发挥其潜力，需要一系列技术。 GF 正与客户密切合作，了解他们在这一领域的需求，并通过优化产品组合来帮助满足边缘人工智能的需求，从而引领行业发展。 关于作者 彼得-A-拉贝尼 Peter 现任细分产品管理、业务开发和营销副总裁。他在无线行业拥有超过 25 年的经验，曾在原始设备制造商（OEM）和芯片公司担任系统/电路工程、销售、营销和业务开发等职位。他曾在雷神、爱立信和 IBM 担任高级职务，在 IBM 工作期间，他建立了垂直整合的半导体产品组合战略，在全球赢得了价值超过 30 亿美元的硅设计业务。他负责培养 IBM 在亚洲的射频代工业务，使其成为 IBM Microelectronics 内部最成功的设计获胜引擎之一。他是帮助领导 GF 成功收购和整合 IBM 射频代工业务的关键人物。
边缘人工智能助力优化5G毫米波网络 August 14, 2019 作者：Peter A. Rabbeni 人工智能在日常生活中的应用十分广泛，只不过一些支持人工智能的应用比较引人注目，比如越来越受欢迎的Amazon Echo和Google Home语音控制智能数字助手，而另一些应用则不那么明显，但这绝不表示这些不明显的应用不重要。 例如，5G无线通信能否成功推出，在一定程度上取决于人工智能技术的发展。5G是一项正在制定中的标准，主要针对超快、超高带宽、低延迟的无线通信系统和网络，这些系统和网络的容量和性能都将远超现有技术。 5G级性能并非奢侈之物。随着无线互联设备部署数量的爆发式增长，它已成为全球范围内亟需实现的一种性能。海量数据将会超出现有系统的承载能力，而需要访问、传输、存储和处理的数据量也在快速增长。 即将到来的数据大爆炸亟需5G技术 据估计，全世界的用户每分钟会发送1,800万条短信和1.87亿封电子邮件，观看430万个YouTube视频，进行370万次Google搜索查询。有分析师预计，在2017年到2020年期间，制造业采用的互联设备的数量将会翻一番。总体而言，到2021年，互联网流量将达到每年3.3泽字节，Wi-Fi和移动设备的用量将占到总流量的63%（1泽字节比千兆字节高出12个数量级，也就是1021字节）。 而要想处理这类数据就离不开全新的5G网络。新的网络将分阶段推出，初期会利用4G LTE和无授权访问这类现有的基础设施。虽然初期第1阶段采用的这些系统可支持各类6GHz以下的应用，而且支持的峰值数据速率能超过10GBps，但真正的重点在于第2阶段。 第2阶段将会部署毫米波（mmWave）系统，为需要超低延迟、高安全性和极高蜂窝边缘数据速率的应用提供支持。（“边缘”指的是设备与网络相连接的点。如果一台设备能够在边缘位置处理和存储更多数据（也就是无需通过网络在云端或数据中心之间来回传输数据），那么其响应速度会更快，占用的网络空间也就更少。） 人工智能和5G堪称是完美组合 人工智能的功能是决定边缘计算性能的关键，因为它能提供更有效的网络、蜂窝和设备控制。如果没有人工智能的支持，许多依赖于边缘计算的5G应用将根本无法实现，或无法正常运作，抑或是需要花费极高的成本来进行部署。 例如，在自适应波束形成中，相控阵天线发出的信号会通过一定的方式组合在一起，以增加特定方向上的信号强度。这一特点对5G应用来说非常重要，因为虽然毫米波频率范围（30GHz–300GHz）内可使用的频谱几乎没有限制，但这些波长的信号会因大气吸收而衰减，导致其可用范围会限制在约300米以内。此外，这类信号也难以穿透建筑物和植物。 这些限制在过去构建采用毫米波频率的系统时就已存在，系统的应用范围因而也受到了影响。如何控制自适应波束形成天线阵列（用于进行毫米波5G通信）对于优化其操作和性能而言至关重要，因此，随着半导体技术的进步和数字信号处理速度的提高，可以利用具有人工智能功能的感应系统来进行控制。此举将有助于基站和计算资源实现动态优化，更好地满足不断变化的用户需求，适应各种环境条件。而如果没有人工智能，这将很难实现。 智能监控摄像头 如今，“智能”监控摄像头的使用日益广泛，它们基本采用了多种半导体技术，而人工智能在这类摄像头中的应用正是节省网络资源的另一种方式。2016年，全球范围内联网的IP（互联网协议）摄像头的数量已超过1.2亿，应用类型更是多种多样。 其中很多就是我们所说的“智能”监控摄像头。（就在最近，智能监控技术就帮助警察从6万名音乐会观众中找出了通缉犯。） 如果没有人工智能对智能摄像头生成的大部分数据进行边缘处理，那么网络就会出现过载。一个高清IP智能摄像头每秒会产生10Mb（或30帧）大小的视频流。如果再乘以近年来增加的数以百万计的摄像头，单单这一类应用每秒所需的网络带宽就会超过拍字节（1015），这显然是不切实际的。 人工智能利用边缘技术解决难题 此外，在当前的技术条件下，在云端中处理这些数据的成本非常高昂。唯一有效的解决方案就是在边缘进行计算，使用人工智能技术来识别对象、检测手势和进行分类，并只将最少量的元数据通过网络发送出去。 有人可能会认为，要做到这一点，就需要采用最先进、最前沿的半导体技术，但其实，目前市场上的多种产品和技术就已足够解决问题。格芯拥有业界最广泛的技术解决方案，适合各种5G和边缘连接应用，包括毫米波前端模块（FEM）、独立或集成毫米波收发器与基带芯片，以及用于移动和联网的高性能应用处理器。 例如，格芯RF SOI、SiGe和FDX™ FD-SOI产品就旨在为6GHz以下到毫米波频段的应用提供支持。RF SOI和SiGe解决方案为集成开关、低噪声放大器和功率放大器的FEM提供出色的性能、集成度与功效组合。FDX产品则非常适合下一代互联设备，如需要超低功耗技术、内置智能功能和无线连接的智能摄像头。 在系统处于待机状态，需要进行图像处理、人工智能/机器学习或控制漏电时，客户可以利用FDX的背栅极体偏置功能来动态地提高性能。IP合作伙伴的FDX生态系统包括：经过优化的IP（用于片上电源管理）、无线电子系统、低压SRAM、即时开启型MRAM、eNVM和FPGA块，以此打造支持人工智能的边缘计算所需的高度集成且灵活的片上系统（SoC）。 适用于未来商用IP摄像头的FDX SoC。（资料来源：格芯） 互联智能 一直以来，不管是在事务处理层面，还是在计算、存储和数据传输这些相互独立且明显不同的方面，业界都没有全面地看待网络。 但是，如果我们现在考虑向网络中添加许多具备传感器采集功能的边缘互联设备，我们将能了解到打造具备智能感应功能的网络究竟具有何种价值——可以采集数据、以这些数据为依据做出明智、及时的决策，进而改善和优化网络提供的服务。 这就是我们所说的互联智能，即能够感测到联网设备/传感器收集的信息，并以此为依据做出决策、采取行动，提供出色的用户体验。 通过增加人工智能引擎的数量，可以增强这种“感测、决策并采取行动”的网络优化方法的效力，进而形成功能强大的框架，以便更充分地利用可用的网络资产。 究其根本，能否实现支持人工智能的5G毫米波网络，关键在于半导体技术领域的进步和创新。没有哪一种技术解决方案能够服务于所有潜在的应用。要想让这些下一代应用无缝协作，同时充分发挥它们的潜力，我们需要采用一系列的技术。 格芯与客户紧密合作，努力了解他们的相关需求，并利用经过优化的产品组合引领行业发展，不断满足客户对边缘人工智能的需求。 关于作者 Peter A. Rabbeni Peter目前担任产品管理、业务开发与营销部门副总裁。他拥有超过25年的无线行业从业经验，涉足OEM和芯片两大领域，从事过系统/电路工程、销售、营销和业务开发工作。他曾在雷神公司、爱立信和IBM担任高级职位。在IBM工作期间，他开发出了垂直整合型半导体产品组合战略，帮助公司在全球范围内实现了30多亿美元的芯片设计中标收入。当时，他还负责拓展IBM在亚洲地区的RF代工业务，最终将其打造成了IBM微电子部门最成功的设计中标业务来源之一。在推动格芯成功收购和整合IBM的RF代工业务方面，他发挥了关键的作用。 更多详情
GLOBALFOUNDRIES和Arm展示用于高性能计算应用的高密度3D堆栈测试芯片 2019年8月7日Arm在GF的12LP工艺上的互连技术实现了高性能和低延迟，同时为人工智能、云计算和移动SoC中的高核心设计增加了带宽。 加州圣克拉拉和英国剑桥，2019年8月7日-- 全球领先的专业代工企业GLOBALFOUNDRIES今天宣布，它已推出基于Arm®的3D高密度测试芯片，将使AI/ML和高端消费者移动和无线解决方案等计算应用的系统性能和功率效率达到新的水平。这款新芯片采用GF的12纳米领先性能（12LP）FinFET工艺制造，具有Arm的3D网状互连技术，允许数据采取更直接的路径到达其他核心，最大限度地减少延迟，同时提高数据中心、边缘计算和高端消费应用所要求的数据传输速率。 这款芯片的交付表明，Arm和GF在研究和开发差异化解决方案方面取得了快速进展，这些解决方案能够为可扩展的高性能计算提高设备密度和性能。此外，两家公司还验证了一种3D测试设计（DFT）方法，使用GF的混合晶圆到晶圆键合，可以实现每平方毫米100万个3D连接，将扩展12纳米设计的能力延长到未来。 "Arm研究部副总裁Eric Hennenhoefer表示："Arm的3D互连技术使半导体行业能够增强摩尔定律，以解决更多的计算应用问题。"GF在制造和先进封装能力方面的专长与Arm技术相结合，为我们共同的合作伙伴提供了更多的差异化优势，使其能够冒险进入下一代高性能计算的新模式。" "在大数据和认知计算的时代，先进的封装正在发挥比过去更大的作用。人工智能的使用以及对高功率、高吞吐量互连的需求，正在通过先进封装推动加速器的发展，"GF公司平台部首席技术专家John Pellerin说。 "我们很高兴能与Arm这样的创新伙伴合作，提供先进的封装解决方案，从而进一步实现在小尺寸中集成各种节点技术，并对逻辑扩展、内存带宽和射频性能进行优化。这项工作将使我们能够发现先进封装方面的新见解，使我们共同的客户能够更有效地创建完整的、差异化的解决方案。" GF的业务模式已经转型，使其客户能够开发新的以市场和应用为重点的解决方案，专门用于满足当今苛刻市场的要求。GF的3D面对面（F2F）封装解决方案不仅为设计者提供了一条实现异构逻辑和逻辑/内存集成的途径，而且可以使用最佳生产节点进行生产，实现更低的延迟、更高的带宽和更小的特征尺寸。这种方法，加上与Arm等合作伙伴的早期接触，为客户提供了最大的选择和灵活性，同时为他们的下一代产品节省了成本并加快了量产时间。 欲了解更多信息，请访问globalfoundries.com。 关于GLOBALFOUNDRIES GLOBALFOUNDRIES（GF）是世界领先的特种铸造厂。我们提供差异化的功能丰富的解决方案，使我们的客户能够为高增长的细分市场开发创新产品。GF通过独特的设计、开发和制造服务组合，提供广泛的平台和功能。凭借跨越美国、欧洲和亚洲的规模化生产基地，GF具有灵活性和敏捷性，能够满足全球客户的动态需求。GF由穆巴达拉投资公司拥有。欲了解更多信息，请访问globalfoundries.com。 关于手臂 Arm技术是计算和连接革命的核心，正在改变人们的生活和商业运作方式。我们先进、节能的处理器设计已经在超过1450亿颗芯片中实现了智能计算，我们的技术现在为从传感器到智能手机和超级计算机的产品提供安全动力。结合我们的物联网设备、连接和数据管理平台，我们也正在使客户获得强大的、可操作的商业洞察力，从他们的连接设备和数据中产生新的价值。我们与1000多个技术合作伙伴一起，在设计、保障和管理从芯片到云的所有计算领域方面处于领先地位。 所有信息都是 "按原样 "提供的，没有任何保证或陈述。本文件可以自由分享，并注明出处和不作修改。Arm是Arm有限公司（或其子公司）的注册商标。所有品牌或产品名称都是其各自持有人的财产。© 1995-2019年Arm集团。 联系。 Erica McGillGLOBALFOUNDRIES(518) 795-5240[email protected] Kristen LisaArm(512) 939-9877[email protected]
