Eine leistungsstarke Technologie für 5G-Anwendungen kommt auf den Markt Februar 15, 2018von: Baljit Chandhoke Wir können die Überlastung zwar nicht buchstäblich sehen, aber das elektromagnetische Spektrum ist bei den Frequenzen, die üblicherweise für drahtlose Verbindungen und Datenkommunikation verwendet werden, so überfüllt, dass Datenstaus immer wahrscheinlicher werden und zu Störungen führen. Erschwerend kommt hinzu, dass die heutigen drahtlosen Geräte und Netze, die mit weniger als 6 GHz betrieben werden, für die Anforderungen der nächsten Generation von Anwendungen von Natur aus ungeeignet sind. Die Lösung besteht darin, das Millimeterwellenband des Spektrums (30 bis 300 GHz) zu nutzen, das viel mehr Bandbreite bietet. Der sich entwickelnde 5G-Standard, von dem Sie schon so viel gehört haben, soll einen gemeinsamen Weg für die Nutzung dieses sogenannten mmWave-Bandes aufzeigen. Es ist jedoch keine leichte Aufgabe, eine Technologie zu entwickeln, die dies leisten kann, insbesondere für mobile Anwendungen. Ein Problem ist, dass ultrahohe Frequenzen unter hohen Ausbreitungsverlusten leiden. Das bedeutet, dass eine hohe Ausgangsleistung erforderlich ist, aber in einem batteriebetriebenen Gerät wie einem Smartphone ist auch eine hohe Energieeffizienz erforderlich - und das ist schwer zu erreichen. Ein weiteres Problem besteht darin, dass mmWellen-Übertragungen durch Gebäude oder andere Objekte blockiert werden können. Daher ist die Fähigkeit, präzise "Bleistift"-Strahlen zu bilden, die zu und von Phased-Array-Antennen abstrahlen, von entscheidender Bedeutung. Die 45-nm-RF-SOI-Technologieplattform (45RFSOI) von GF zielt auf HF- und mmWave-Anwendungen der nächsten Generation, wie integrierte Front-End-Module (FEMs) und Beamformer in 5G-Basisstationen und Smartphones, Breitband-Satcom-Phased-Array-Terminals, Kfz-Radar und andere sich entwickelnde drahtgebundene und drahtlose Hochleistungsanwendungen. Die 45RFSOI-Technologie ist vollständig qualifiziert und produktionsreif, und wir arbeiten bereits mit wichtigen Kunden an mehreren dieser Anwendungen. Wir gehen davon aus, dass mehrere Kunden in diesem und im nächsten Jahr mit der Produktion beginnen werden, und wir erwarten, dass die erste Serienproduktion noch in diesem Jahr anlaufen wird. Prozessdesign-Kits sind jetzt erhältlich, und vierteljährliche Wafer-Läufe mit mehreren Projekten sind ebenfalls für ein schnelles Prototyping verfügbar, so dass Kunden die Hardware-Ergebnisse so früh wie möglich bewerten können. Technische Höhepunkte Das Schöne an unserem 45RFSOI ist, dass er aus einer teilweise verarmten 45-nm-SOI-Basistechnologie der Serverklasse auf 300-mm-Basis hervorgegangen ist, die seit einem Jahrzehnt in mehreren GF-Fabriken in Serienproduktion ist. Wir haben sie umfassend für den Einsatz in mmWave-Anwendungen evaluiert und HF-zentrierte Aktivierungs-, Bauelemente- und Technologiemerkmale hinzugefügt, die sie in die Lage versetzen, die bevorstehenden 5G-Anforderungen besser zu erfüllen als konkurrierende Technologien. Für eine überragende HF-Leistung kombiniert die 45RFSOI-Plattform beispielsweise Hochfrequenztransistoren (ft/fmax von 305/380 GHz) mit einem SOI-Substrat mit hohem spezifischen Widerstand und HF-freundlichen Metallverbindungen. Es gibt ultradicke Top-Level-Kupferverbindungen für ein optimales Design der Übertragungsleitungen, und die Verbindung führt auch zu einer verbesserten Rauschisolierung und Unterdrückung von Oberwellen, so dass extrem rauscharme Verstärker (LNAs) erreicht werden können. Um den Leistungsbedarf, die Abmessungen und die Kosten zu reduzieren, wurde der 45RFSOI für die einfache Integration von Funktionen wie Leistungsverstärkern (PAs), Schaltern, LNAs, Phasenschiebern, Auf-/Abwärtswandlern und spannungsgesteuerten Oszillatoren/Phasenregelschleifen (VCOs/PLLs) konzipiert. Bei der SOI-Technologie sind die Transistoren elektrisch vom Substrat isoliert, anders als bei der Standard-CMOS-Technologie, bei der das Substrat ein gemeinsamer Knotenpunkt ist. Daher können HF-SOI-Transistoren gestapelt werden, um höhere Durchbruchsspannungen und Leistungsfähigkeiten zu erreichen, was besonders für Beamforming-Frontend-Schaltungen wie PAs, LNAs und Schalter wichtig ist. Da 45RFSOI so leistungsstarke und hochintegrierte Chips ermöglicht, werden im Vergleich zu anderen Technologien weniger Chips für ein Antennen-Array benötigt, was den Kunden die Möglichkeit gibt, kleinere, kostengünstigere Phased-Array-Systeme zu bauen. Eine Reihe von RF-Lösungen 45RFSOI ist der jüngste Zuwachs in der Palette der Technologielösungen von GF für RF-Anwendungen, die das branchenweit breiteste Angebot an RF foundry Prozessen umfasst. Dazu gehören 45RFSOI und 8SW RFSOI, Silizium-Germanium (SiGe) und RF-CMOS Technologien. Diese Technologien umfassen ein breites Spektrum an ausgereiften und fortschrittlichen Knoten mit RF-optimierten Optionen, ein breites Spektrum an ASIC-Design-Services und grundlegendes geistiges Eigentum (IP). Ihr wichtigstes Merkmal ist jedoch, dass sie unseren Kunden helfen, ihre schwierigen technologischen Herausforderungen zu bewältigen, und ihnen die Möglichkeit geben, die sich ihnen bietenden Marktchancen besser zu nutzen. mmWave-Anwendungen - Phased-Array-Antennensystem Über den Autor Baljit Chandhoke Baljit Chandhoke ist Product Line Manager für das branchenführende Portfolio an HF-Lösungen von GF. Er verfügt über mehr als 15 Jahre Erfahrung im Produktlinienmanagement bei der Definition neuer Produkte und der Wettbewerbspositionierung sowie bei der Förderung von Design Wins, Umsätzen und Markteinführungsstrategien in den Marktsegmenten drahtlose Infrastruktur, Mobilität (5G), Netzwerke und Verbraucher. Er hat mehrere Artikel in führenden Branchenpublikationen verfasst, viele YouTube-Videos erstellt und zahlreiche Webinare veranstaltet. Bevor er zu GF kam, arbeitete Baljit in Führungspositionen bei IDT, ON Semiconductor und Cypress Semiconductor. Er erwarb seinen MBA an der Arizona State University, seinen MS in Telekommunikation an der University of Colorado-Boulder und seinen Bachelor in Elektronik und Telekommunikation an der University of Mumbai, Indien. Er absolvierte das Leadership-Programm "Managing Teams for Innovation and Success" an der Stanford Graduate School of Business.
针对5G应用的强大技术即将闪亮面市 February 15, 2018作者: Baljit Chandhoke 虽然我们无法用肉眼看到,但在无线连接和数据通信通常使用的频率上,电磁频谱拥塞情况已经变得非常严重,导致数据流量堵塞的可能性越来越大,并且越来越具破坏性。令问题更加复杂的是,当今在6 GHz以下频率工作的无线设备和网络本质上不适合下一代应用需求。 解决方案是利用频谱的毫米波频段(30至300 GHz)来提供更多带宽。大家久闻大名的5G标准正在制定中,目标就是为这种所谓「毫米波频段」的应用建立一条共同的发展道路。 然而,开发能够胜任的技术并非易事,特别是对于移动应用来说。一个问题在于超高频率会遭受高传播损耗,这意味着需要高功率输出。但智能手机之类的电池供电设备同样要求高能效,这二者很难同时达成。另一个问题在于毫米波传输很容易被建筑物或其他物体阻挡,因此必须形成精密的「铅笔」型波束,以便相控阵天线辐射和接收。 格芯推出45nm RFSOI技术平台(45RFSOI),适用于下一代RF和毫米波应用,例如:5G基站和智能手机中的集成前端模块(FEM)和波束成形器、宽带卫星通信相控阵终端、汽车雷达及其他正在开发中的高性能有线和无线应用。 45RFSOI技术经过全面认证,已准备好投入生产,我们已经就一些应用与主要客户展开合作。预计今年晚些时候开始首批量产,今年和明年将有多家客户开始提高产量。 工艺设计套件现已推出,季度多项目晶圆运行也已开始,可用于快速原型开发,方便客户尽早评估硬件结果。 技术亮点 45RFSOI的美妙之处在于,它是45nm部分耗尽型SOI服务器级基线300mm技术的产物,该技术已经在格芯多家晶圆厂量产了十年。我们对其在毫米波应用中的使用进行了广泛评估,并增加了以RF为中心的赋能、器件和技术特性,使其能够比竞争技术更好地满足即将到来的5G需求。 例如,45RFSOI平台将高频晶体管(ft/fmax分别为305/380 GHz)与高电阻率SOI衬底和RF友好型金属互连结合在一起,提供出色的RF性能。它有超厚顶层铜互连以支持最佳传输线路设计,该互连还能改善噪声隔离和谐波抑制,从而实现极低噪声放大器(LNA)。 同时,为了降低功耗要求、物理尺寸和成本,45RFSOI可以轻松集成很多特性,例如功率放大器(PA)、开关、LNA、移相器、上/下变频器和压控振荡器/锁相环(VCO/PLL)。 SOI技术将晶体管与衬底进行电隔离,这不同于将衬底用作公共节点的标准CMOS技术。因此,RFSOI晶体管可以堆叠以实现更高的击穿电压和功率处理能力,这对于PA、LNA和开关等波束成形前端电路尤其重要。 此外,由于45RFSOI能够实现非常强大且高度集成的芯片,故与其他技术相比,天线阵列需要的芯片更少,让客户可以构建尺寸更小、成本效益更高的相控阵系统。 系列RF解决方案 45RFSOI是格芯针对RF应用提供的最新技术解决方案。格芯拥有业界最广泛的射频代工工艺,包括45RFSOI和8SW RFSOI、硅锗(SiGe)和RF-CMOS技术。 这些技术涵盖各种各样成熟先进的节点,提供RF优化选项、广泛的ASIC设计服务和基础知识产权(IP)。 不过,它们最重要的特点是帮助客户应对困难的技术挑战,帮助他们更好地抓住市场机遇。 毫米波应用 – 相控阵天线系统
Wird 2018 wirklich das "Jahr der 5G" sein? Januar 9, 2018von: Dr. Bami Bastani Als ich aus den Ferien zurückkam, dachte ich, ich sei in eine Zeitschleife geraten. Habe ich den Januar verschlafen und bin erst Ende Februar aufgewacht? Ich erwartete die übliche Flut von Nachrichten über die Gadgets und Geräte, die auf der kommenden Consumer Electronics Show(CES 2018) vorgestellt werden. Stattdessen habe ich eine Geschichte nach der anderen über 5G-Mobilfunknetze der nächsten Generation gesehen - typischerweise der Stoff, aus dem der Mobile World Congress in Barcelona ist. Zeitverschiebung hin oder her, eines ist klar: 2018 wird ein großes Jahr für 5G werden. Da bis 2020 schätzungsweise 8,4 Milliarden vernetzte Geräte auf dem Markt sein werden, steigt der Bedarf an einem ultraschnellen Netz mit hoher Bandbreite und geringer Latenz, um sie zu verbinden. 5G wird kommen, und es kann nicht früh genug kommen. Die Keynote von Qualcomm am 10. Januar wird mit Sicherheit ein Höhepunkt des 5G-Trubels auf der CES 2018 sein. Cristiano Amon, Präsident von Qualcomm, wird die Vision von Qualcomm für die Führung im 5G-Zeitalter vorstellen. Wir hatten das Glück, eine Vorschau auf Cristianos Geschichte zu hören, als er im September eine Keynote auf unserer GLOBALFOUNDRIES Technical Conference (GTC 2017) hielt. Einer seiner Hauptpunkte war, dass die anspruchsvollen Anforderungen von 5G-Netzwerken die Komplexität auf der Chipsatz-Ebene erhöhen. Dies bedeutet, dass Siliziuminnovationen für den Übergang zu 5G unerlässlich sind. GF bietet eine breite Palette von Halbleitertechnologien an, die den Kunden den Übergang zu 5G-Mobilfunknetzen der nächsten Generation erleichtern. Wir verfügen über das branchenweit breiteste Angebot an Technologielösungen für eine Reihe von 5G-Anwendungen, darunter mmWave-Front-End-Module (FEMs), eigenständige oder integrierte mmWave-Transceiver und Basisband-Chips sowie Hochleistungs-Anwendungsprozessoren für Mobilfunk und Netzwerke. Unsere Roadmap umfasst Angebote in RF-SOI, Silizium-Germanium (SiGe) und CMOS, einschließlich einer breiten Palette an ausgereiften und fortschrittlichen Knoten mit RF-optimierten Optionen in Kombination mit einer breiten Palette an ASIC-Designdienstleistungen und IP. Diese anwendungsspezifischen Lösungen adressieren verschiedene Kundenansätze für 5G, indem sie ein breites Spektrum an Fähigkeiten unterstützen, von Sensoren mit extrem niedrigem Energieverbrauch über ultraschnelle Geräte mit langer Batterielebensdauer bis hin zu höheren Integrationsniveaus, die On-Chip-Speicher unterstützen. 5G RF and mmWave Transceivers and Baseband Processing: Whether it’s for 5G <6GHz applications or the new 5G mmWave bands, GF’s broad range of CMOS technologies with FinFET, FD-SOI and more mature bulk CMOS technologies have optimized RF and mmWave offerings that allow our customers to make the best design trade-offs between cost, power consumption and performance. GF’s FD-SOI technologies (22FDX and 12FDX) are truly differentiated CMOS platforms that provide the lowest power consumption solution for any RF or mmWave transceiver. In addition, FDX is very well suited to address another part of the 5G standard, massive IoT networks. GF’s optimized solutions provide customers a flexible and cost-effective solution to integrate RF and mmWave transceivers with baseband modem or digital “calibration” processing in 5G handsets and base stations, NB-IoT solutions and other high-performance applications. 5G mmWave Front End Module: Die RF-SOI- und SiGe-Lösungen von GF (130nm-45nm) bieten eine optimale Kombination aus Leistung, Integration und Energieeffizienz für FEMs mit integrierten Schaltern, rauscharmen Verstärkern und Leistungsverstärkeranwendungen. Für bestimmte Anwendungen wie 5G mmWave Handsets und kleine Basisstationen ermöglicht das optimierte 22FDX mmWave-Angebot von GF die Integration von FEMs und Transceivern auf einem einzigen Chip, was erhebliche Vorteile in Bezug auf Kosten, Stromverbrauch und Platzbedarf mit sich bringt. Die mmWave-Lösungen von GF sind für Anwendungen in Frequenzbändern von unter 6 GHz bis mmWave ausgelegt. Fortschrittliche Anwendungsverarbeitung: Die fortschrittlichen CMOS FinFET-basierten Prozesstechnologien von GF bieten eine optimale Kombination aus Leistung, Integration und Energieeffizienz für Smartphone-Prozessoren der nächsten Generation, Netzwerke mit geringer Latenzzeit und massive MIMO-Netzwerke. Fortschrittliche CMOS-Lösungen sind ab sofort bei GF erhältlich. Kundenspezifisches Design für 5G Wireless-Basisstationen: Die anwendungsspezifischen ASIC-Designsysteme (FX-14 und FX-7) des Unternehmens ermöglichen optimierte 5G-Lösungen (Funktionsmodule) durch die Unterstützung von drahtlosen Infrastrukturprotokollen auf Hochgeschwindigkeits-SerDes, Lösungen zur Integration von fortschrittlichem Packaging, monolithischer, ADC/DAC- und programmierbarer Logik. 5G wird zweifellos eine wesentliche Rolle dabei spielen, dass die Netze der nächsten Generation eine "Null-Distanz-Konnektivität" zwischen Nutzern und ihren Geräten bieten, so dass die Menschen die Rechenleistung der Cloud und die Edge-to-Edge-Konnektivität voll nutzen können. Angesichts der rasant steigenden Nachfrage nach 5G wird GF weiterhin mit seinen Partnern zusammenarbeiten, um Lösungen anzubieten, die es unseren Kunden ermöglichen, in diesem wettbewerbsintensiven Bereich erfolgreich zu sein. Bleiben Sie dran, denn wir werden im Laufe des kommenden Jahres weitere Details zu unseren Technologielösungen für 5G bekannt geben. Über den Autor Dr. Bami Bastani Dr. Bami Bastani ist Leiter des Geschäftsbereichs Hochfrequenz (RF) von GLOBALFOUNDRIES und verantwortlich für den Ausbau der Führungsposition des Unternehmens im Bereich RF. Bastani verfügt über mehr als 35 Jahre Branchenerfahrung in der Halbleiterindustrie, einschließlich RF-Technologien auf Komponenten- und Systemebene. Bevor er zu GLOBALFOUNDRIES kam, war er Präsident, CEO und Vorstandsmitglied von Meru Networks, einem globalen Anbieter von Wi-Fi-Netzwerklösungen für Unternehmen. Während seiner Zeit bei dem Unternehmen wandelte Bastani Meru Networks von einem Hardware-Unternehmen zu einem Lösungsanbieter, der ein Portfolio von Software, softwaredefinierten Netzwerken (2015 SDN Excellence Award) und Abonnement-Cloud-Angeboten (WaaS) bereitstellt. Dr. Bastani war außerdem als Präsident, CEO und Vorstandsmitglied in den Bereichen Mobilität, Verbraucher und Breitband tätig, unter anderem als Präsident und CEO von Trident Microsystems, Inc. und ANADIGICS, Inc. Darüber hinaus war er in leitenden Positionen bei Fujitsu Microelectronics, National Semiconductor und Intel Corporation tätig. Dr. Bastani hat einen Doktortitel und einen MSEE in Mikroelektronik von der Ohio State University.
2018年真会成为“5G元年”吗? January 9, 2018作者: Dr. Bami Bastani 当我度假回来时,我以为发生了时间扭曲。我是否一觉睡过了一月份,接近二月底才醒来?我本来预计会像通常一样看到关于即将到来的国际消费电子展(CES 2018)上要展出的新奇产品的大量消息。不料,我看到的是一篇接一篇关于下一代5G移动网络的故事,而这一般是巴塞罗那移动世界大会才有的内容。 不管时间扭曲与否,有一点很明确:2018年将是对5G有重大意义的一年。预计到2020年市场上将有84亿台联网设备,为了连接如此多的设备,对超高速、高带宽、低延时网络的需求正在加速增长。5G即将到来,但不会说来就来。 高通公司1月10日的主题演讲无疑将使CES 2018的5G热推到高潮。高通公司总裁Cristiano Amon将同与会者分享高通公司如何在5G时代引领行业发展。我们有幸在去年9月份的格芯技术大会(GTC 2017)上听到了Cristiano关于此次发言的预告,他当时在给我们做主题演讲。他的一个重要观点是,5G网络的苛刻要求驱使芯片组的复杂性提高。这意味着硅片创新对于实现向5G过渡至关重要。 格芯提供全面的半导体技术来帮助客户向下一代5G无线网络过渡。我们拥有业界最广泛的技术解决方案,适合各种5G应用,包括毫米波前端模块(FEM)、独立或集成毫米波收发器与基带芯片,以及用于移动和联网的高性能应用处理器。 我们的路线图包括RF-SOI、硅锗(SiGe)和CMOS产品,其中有各种成熟先进的节点,RF优化选项与广泛的ASIC设计服务和IP结合在一起。这些专用解决方案满足了客户多种多样的5G需求,支持广泛的功能——从超低能量传感器,到具有持久电池寿命的超高速器件,再到支持片上存储器的更高集成度。 5G RF和毫米波收发器及基带处理:无论是针对5G sub-6GHz应用还是针对新的5G毫米波频段,格芯类型多样的CMOS技术(FinFET、FD-SOI和更成熟的体硅CMOS技术)都优化了RF和毫米波产品,使我们的客户能够作出关于成本、功耗和性能的最佳设计权衡。格芯FD-SOI技术(22FDX和12FDX)是真正差异化的CMOS平台,可为任何RF或毫米波收发器提供最低功耗的解决方案。此外,FDX非常适合解决5G标准的另一部分需求——大规模IoT网络。格芯的优化解决方案为客户提供一种灵活且经济高效的方法,以将RF和毫米波收发器与基带调制解调器或数字“校准”处理集成起来,适合5G手机和基站、NB-IoT解决方案及其他高性能应用。 5G毫米波前端模块:格芯RF-SOI和SiGe解决方案(130nm-45nm)为集成开关、低噪声放大器和功率放大器的FEM提供最佳的性能、集成度与功效组合。对于某些应用,例如5G毫米波手机和小型基站,格芯22FDX毫米波优化方案使得将FEM和收发器集成到单个芯片成为可能,这在成本、功耗和尺寸方面有着显著的优势。格芯毫米波解决方案旨在服务于从sub-6 GHz到毫米波频段的应用。 先进应用处理:格芯基于先进CMOS FinFET的工艺技术为下一代智能手机处理器、低延时网络和大规模MIMO网络提供最佳的性能、集成度与功效组合。格芯现在提供先进的CMOS解决方案。 5G无线基站的定制设计:格芯专用集成电路(ASIC)设计系统(FX-14和FX-7)通过支持高速SerDes上的无线基础架构协议来实现优化的5G解决方案(功能模块)——集成先进封装、单片ADC/DAC和可编程逻辑的解决方案。 在帮助下一代网络提供用户与设备之间的“零距离连接”方面,5G无疑将发挥无可替代的作用,让人们得以充分利用云端的处理能力和边缘到边缘连接。随着5G需求的加速增长,格芯将继续与合作伙伴合作,提供让我们的客户在激烈竞争中胜出的解决方案。请继续关注我们在未来一年持续发布的5G技术解决方案最新细节。
Rückblick auf 2017: GF macht einen Unterschied Januar 5, 2018GF hat eine globale Präsenz und damit auch eine Verantwortung für unsere lokalen Gemeinschaften. Mit dem Programm GlobalGives bietet das Unternehmen seinen Mitarbeitenden die Möglichkeit, sich in ihren lokalen Gemeinschaften in den Bereichen Bildung, Philanthropie und Umwelt zu engagieren. Im Jahr 2017 haben unsere Mitarbeiter in vielerlei Hinsicht einen Unterschied gemacht, indem sie ihre Zeit, ihr Geld und ihre Güter gespendet haben. Im Folgenden finden Sie einige Beispiele für die wunderbaren Programme und Veranstaltungen, die unsere Mitarbeiter 2017 unterstützt haben. Hilfe für die Opfer von Katastrophen (GF WW) GF hat in diesem Jahr eine Reihe globaler Kampagnen gestartet, um den Opfern einer Reihe von Naturkatastrophen zu helfen, die auf der ganzen Welt große Schäden und Verwüstungen angerichtet haben. Dazu gehörten die Wirbelstürme Matthew, Irma und Maria, Überschwemmungen in Südasien, ein Erdbeben in Mexiko, Waldbrände in Kalifornien und ein Erdbeben im Iran/Irak. Die Resonanz des GF-Teams war enorm, und es konnten wertvolle Spenden für alle Zwecke gesammelt werden, in einigen Fällen sogar in gleicher Höhe wie die Spenden des Unternehmens. Während sich die Soforthilfe auf die Versorgung der Opfer mit Medikamenten, Lebensmitteln, Wasser und anderen wichtigen Dingen konzentrierte, werden die Menschen in den am stärksten betroffenen Gebieten in den kommenden Monaten noch mehr Unterstützung benötigen, um ihre Häuser und Gemeinden wieder aufzubauen. Burlington Food Drive (Vermont) Fab 9 in Burlington, Vermont, hat ihre jährliche Lebensmittelsammlung durchgeführt und dabei 4.817 Pfund oder fast 2,5 Tonnen Lebensmittel gesammelt, die in den umliegenden Gemeinden einen großen Beitrag leisten werden. In Verbindung mit der Aktion veranstaltete der Standort seinen jährlichen Lebensmittelskulpturen-Wettbewerb, bei dem Teams von Freiwilligen die Spenden in unglaubliche, kreative "Lebensmittelskulpturen" verwandelten. Dank der Hilfe von GF's 971 Dock, das die Aktion durch das Lagern, Wiegen und Transportieren der Lebensmittel unterstützte, erhielten verschiedene Hilfsorganisationen in der Region Kisten mit Lebensmitteln und anderen notwendigen Gütern. Zu den weiteren Veranstaltungen in Burlington gehörten eine Wintersammelaktion, ein Fahrradbauwettbewerb (zugunsten einer lokalen Wohltätigkeitsorganisation) und eine Benevity-Schulung. Toys for Tots Aktion/Haus der offenen Tür (New York) Fab 8 in Malta, New York, veranstaltete seine jährliche "Toys for Tots"-Aktion, bei der Mitarbeiter und Gemeindemitglieder die Möglichkeit hatten, bedürftigen Kindern in der Hauptstadtregion über die Feiertage zu helfen. Die örtlichen Veteranen begannen mit dem Sammeln von Spenden beim Tag der offenen Tür von Fab 8. Im Rahmen der Veranstaltung überreichte GF auch Schecks mit Geldern, die durch unser Titelsponsoring des Malta 5K-Laufs gesammelt wurden, an zahlreiche kommunale Organisationen. Die Veranstaltung gipfelte in einer Scheckübergabe an fast ein Dutzend FIRSTⒸ-Robotik-Teams und New York Tech Valley (NYTV) FIRSTⒸ-Partner, die Empfänger der NYTV FIRSTⒸ-Zuschüsse für 2018 sind. Im Jahr 2017 spendete der Standort Malta außerdem der Ballston Spa High School Ausrüstung im Wert von rund 3.000 USD für ein neues Virtual-Reality-Labor. Haare für die Hoffnung (Singapur) Der Standort Singapur veranstaltete seine jährliche "Hair for Hope"-Spendenaktion, um Spenden für die Children's Cancer Foundation zu sammeln und das Bewusstsein für Kinderkrebs zu fördern. Insgesamt 68 Mitarbeitende von GF liessen sich am Standort Singapur die Haare rasieren und sammelten so bis heute insgesamt 116.290,00 US-Dollar. Die Mitarbeiter des Standorts Singapur unterstützten auch das Programm "Boy's Brigade Give-A-Gift Wishes" und verteilten 815 Geschenke an verschiedene Wohltätigkeitsorganisationen. Weihnachts-Freiwilligenprojekt (Deutschland) Fab 1 in Dresden sammelte Geschenke für 50 Kinder und Jugendliche der Wohlfahrtsorganisation Louisenstift gGmbH. Die sechs Gruppen von Kindern aus benachteiligten Familien sind zwischen 3 und 17 Jahren alt. Viele von ihnen werden das Weihnachtsfest nicht mit ihren Familien feiern können. Außerdem spendeten die Mitarbeiter an zwei gemeinnützige Organisationen: Die Treberhilfe Dresden e.V., die Jugendliche und junge Erwachsene ohne Wohnung und Einkommen unterstützt, und INTERPLAST Deutschland e.V., eine Gruppe von Chirurgen und Krankenschwestern aus Sachsen, die in ihrer Urlaubszeit kostenlos Patienten in Tansania (Afrika) operieren. ALS Walk/Treat the Troops Programm (New York) Das Fab 10-Team in East Fishkill, N.Y., nahm am jährlichen Hudson Valley ALS Walk auf dem Walkway Over the Hudson teil. Mit den gesammelten Geldern werden Menschen unterstützt, die in der örtlichen Gemeinde mit ALS leben, und es wird dazu beigetragen, die weltweite ALS-Forschung und politische Initiativen voranzutreiben, die darauf abzielen, Behandlungen und ein Heilmittel für die Krankheit zu finden. Im Rahmen des Treat the Troops "-Programms sammelten die Mitarbeitenden von GF zusammen mit IBM mehr als 16'000 Süssigkeiten. Die Mitarbeitenden von GF brachten die Süssigkeiten, darunter Kekse, Bonbons, Müsli, Kekse, Chips und Popcorn sowie Getränkemischungen und Karten, zu einer Sammelstelle am IBM-Standort in Poughkeepsie. Insgesamt wurden 211 gepackte Kartons an unsere Männer und Frauen im Einsatz verschickt! Don Edwards San Francisco Bay Refuge (Kalifornien) Mitarbeiter des GF-Standorts Santa Clara sponserten einen Tag der freiwilligen Mitarbeit im Don Edwards San Francisco Bay Refuge in Alviso, nur 10 Minuten vom Campus entfernt. Neunzehn Mitarbeiter arbeiteten ehrenamtlich und verbrachten etwa zwei Stunden damit, Unkraut zu jäten, zu pflanzen, Müll aufzusammeln und ähnliches, um die natürliche Schönheit dieses örtlichen Kleinods zu erhalten. Insgesamt sammelten die GF-Freiwilligen etwas mehr als 27 Pfund Müll ein. Zu den weiteren gemeinnützigen Aktivitäten am Standort Santa Clara gehörten 2017 eine Lebensmittelsammlung zugunsten der Redwood Empire Food Bank, eine Schulanfangsaktion und ein Family Giving Tree Holiday Wish Drive. Austin Food Drive (Texas) Mitarbeitende des GF-Standorts in Austin nahmen an der Lebensmittel- und Spendenaktion 2017 zugunsten der Central Texas Food Bank teil. Insgesamt spendeten die Mitarbeitenden von GF 142 Pfund an Lebensmitteln (gut für 113 gesunde Mahlzeiten!). Die Central Texas Food Bank kümmert sich auf dreierlei Weise um die ungedeckten Bedürfnisse der Menschen in Zentraltexas: Sie gibt kostenlose Lebensmittel und ihr Wissen über kostengünstige, gesunde Ernährung an bedürftige Familien weiter, unterstützt Familien, die sich für staatliche Hilfsprogramme qualifizieren, und macht Lebensmittel für karitative und staatliche Partner erschwinglich. Sri Channabasaveshwara Gov't School/Kidwai Memorial Institute of Oncology (Indien) In diesem Jahr spendete die GF-Niederlassung in Bangalore der Sri Channabasaveshwara Government School in Bellary, Karnataka, einen Projektor und Computer, damit die Schüler am "intelligenten" Unterricht teilnehmen können. Die Schule hat etwa 200 Schüler in der Primarstufe und 200 Schüler in der Sekundarstufe. Die Schule verfügt über qualifizierte und engagierte Lehrkräfte, die sich neben den akademischen Fächern auch auf die allgemeine Entwicklung der Kinder und ausserschulische Aktivitäten wie den eigenen ökologischen Gartenbau, Sport und kulturelle Veranstaltungen konzentrieren. GF hat auch einen Projektor gespendet, um in Zusammenarbeit mit dem Kidwai Memorial Institute of Oncology, einem bekannten, umfassenden regionalen Zentrum für Krebsforschung und -behandlung, das hochentwickelte Diagnose- und Behandlungsdienste in Indien anbietet, Krebsaufklärungscamps in ländlichen Gebieten zu unterstützen. Als Unternehmen engagiert sich GF weiterhin für die Gemeinden, in denen wir arbeiten. Über GlobalGives haben die Mitarbeitenden Zugang zu mehr als zwei Millionen gemeinnützigen Organisationen, um einen breiteren Spendenprozess zu ermöglichen und die Möglichkeit zu haben, durch die Unterstützung unserer Gemeinschaften Empathie zu fördern. Die Mitarbeitenden von GF auf der ganzen Welt sind stolz darauf, sich für ihre Gemeinden einzusetzen, und wir alle freuen uns auf ein großartiges Jahr 2018.
nvNITRO beschleunigt das Geschäft Dezember 7, 2017 von: Pat Patla Der Informationsbedarf steigt dramatisch an, da die digitale Transformation und andere Geschäftstrends die Notwendigkeit einer Echtzeit-Entscheidungsfindung mit sich bringen. Das Sammeln, Übertragen und Speichern von Daten, die zur Gewinnung von Geschäftserkenntnissen beitragen, stellt Unternehmen vor große Herausforderungen, da sie sich mit der Optimierung des zunehmenden Datenflusses auseinandersetzen müssen. Nirgendwo fordert dies mehr Tribut von den traditionellen Systemen als bei der Speicherung, wo sowohl das Volumen als auch die kritische Natur der Informationen rasche Veränderungen in der Art und Weise, wie Daten gehandhabt und geordnet werden, erfordern. Die Speicherung ist der Engpass der meisten Umgebungen und gleichzeitig die wichtigste Komponente jeder Anwendung. Everspin hat seine nvNITRO™-Technologie entwickelt, um dem wachsenden Bedarf an schnellerer und dauerhafterer Speicherung gerecht zu werden. Basierend auf magnetoresistivem Direktzugriffsspeicher (MRAM), der von GLOBALFOUNDRIES hergestellt wird, bringt nvNITRO sowohl hohe Leistung als auch Beständigkeit in die Datenspeicherung und ermöglicht so eine neue Generation der Anwendungsleistung. Vor kurzem haben wir die Leistungsfähigkeit von nvNITRO auf der Supercomputing 17, der weltweiten Veranstaltung für Hochleistungsrechnen, vorgestellt. In einer Demonstration mit SMART Modular Technologies war die NVMe-Beschleunigerkarte von SMART in der Lage, eine hohe Leistung bei extrem niedriger Latenzzeit zu erzielen. Die Demo zeigte einen NVMe-Beschleuniger, der als Front-End-Puffer für eine Unternehmens-SSD fungiert. Während SSDs heute Unternehmen verändern und alle Flash-Arrays aufgrund ihrer Leistungsvorteile gegenüber rotierenden Medien an Beliebtheit gewinnen, kann NAND-Speicher immer noch nicht mit der hohen Geschwindigkeit und der geringen Latenz von MRAM mithalten. Die Transaktionsverarbeitung ist nur einer der Bereiche, in denen wir Chancen für MRAM sehen. In diesen Umgebungen erfordern viele Systeme zur Gewährleistung der Integrität und Konformität von Transaktionen eine Protokollierung oder Aufzeichnung jeder Transaktion vor Beginn der nächsten neuen Transaktion. Diese Anwendungen - wie Bankwesen, Zahlungsverarbeitung, Aktienhandel, E-Commerce, Lieferkette oder ERP/CRM - können alle von der nvNITRO-Technologie profitieren. Wenn der Nachrichtenverkehr zunimmt, kann diese zusätzliche Protokollierung zu einem Engpass werden, wenn sie nicht schnell und effizient erfolgt. Mit einem MRAM-Speicherbeschleuniger als Front-End zu einer SSD kann die Transaktionsprotokollierung in einem Bruchteil der Zeit erfolgen, die mit einer SSD benötigt wird. Die geringere Latenzzeit von MRAM bedeutet, dass diese Protokolle schneller geschrieben werden können, wodurch das System ohne Verzögerung mit der nächsten Transaktion beginnen kann. Die 9-fache Reduzierung der Latenzzeit von nvNITRO durch die Verwendung von MRAM bedeutet, dass mehr Transaktionen pro Sekunde aufgezeichnet werden können, was das Potenzial für einen höheren Gesamtdurchsatz der Anwendung bietet. Ein weiterer wichtiger Vorteil von MRAM ist die Fähigkeit, den Zustand der Daten aufrechtzuerhalten, ohne dass Batterien oder Superkondensatoren benötigt werden. Für diese Unternehmen stellt das Schreiben riesiger Transaktionsmengen neben der Geschwindigkeit noch eine zweite Herausforderung dar - die Aufrechterhaltung der Daten unabhängig vom Zustand des zugrunde liegenden Systems. Wenn ein System die Stromversorgung verliert oder unterbrochen wird, können Transaktionen, die gerade geschrieben oder protokolliert werden, verloren gehen, weil der Standard-DRAM-Speicher nicht persistent ist und der NAND-Speicher in SSDs nicht schnell genug schreiben kann, um alle Daten zu erfassen, bevor die Stromversorgung unterbrochen wird. Dank der Beständigkeit von MRAM können diese Daten schneller geschrieben werden, wodurch die im Puffer gespeicherten Daten reduziert werden. Wenn das System neu gestartet werden muss, sind diese Daten bei der Initialisierung immer noch im MRAM vorhanden. In einer Welt, in der die Aufsichtsbehörden jede Transaktion prüfen und ein Finanzunternehmen unter Umständen seine Transaktionen "nachspielen" muss, ist es von unschätzbarem Wert, sicherzustellen, dass alles beim ersten Mal korrekt protokolliert wurde. Diese Art von Schutz geht über den bloßen Schutz der Daten hinaus; an diesem Punkt schützt sie tatsächlich das Unternehmen. Die Supercomputing-Messe war gut besucht, und wir haben uns über die Begeisterung gefreut, die unsere Demo ausgelöst hat. Technologie wie MRAM kann eine großartige Grundlage für viele zukünftige Plattformen werden. Die Möglichkeit, die nvNITRO-Technologie über eine Vielzahl von Schnittstellen in Speicherlösungen zu integrieren - direkt als PCIe- oder U.2-Gerät, integriert in das Gehäuse oder direkt in die Systemplatinen - bedeutet, dass es eine große Vielfalt an Implementierungen gibt, die den spezifischen Anforderungen entsprechen. Diskussionen über nvNITRO beginnen immer mit dem spezifischen Anwendungsfall, der gezeigt wird, aber letztendlich wird daraus "Hey, könntest du...?". Und genau da wird es interessant. Neben dem STT-MRAM, das wir in der nvNITRO-Demo gezeigt haben, ist STT-MRAM auch als eingebettetes MRAM (eMRAM) über GF für Anwendungen erhältlich, die die Persistenz, Haltbarkeit und Schreibleistung benötigen, die eingebetteter Flash (eFlash) nicht bieten kann. Mit dem Wachstum in Bereichen wie Drohnen, IoT und autonomen Fahrzeugen wird der Wert der direkten Einbettung von MRAM in Designs steigen. Die heutigen nvNITRO-Lösungen basieren auf der Everspin 40nm STT-MRAM-Technologie, die von unserem Partner GF hergestellt wird. Zusätzlich bietet GF jetzt Prozessdesign-Kits für 22FDX eMRAM an. GF erwartet, dass Kunden im ersten Quartal 2018 mit dem Prototyping von MRAM auf Multiprojekt-Wafern (MPWs) beginnen werden. Wir sehen heute die unmittelbare Chance in der Beschleunigung der Speicherung massiver Datenströme. Diese großen Mengen an Telemetriedaten müssen effizient verarbeitet werden, und zwar auf eine Weise, die sowohl eine schnelle Erfassung als auch eine langfristige Speicherung gewährleistet. Aber wenn MRAM und eMRAM weiter an Marktdynamik gewinnen (und herkömmliche Speicherprodukte verdrängen) und die Formfaktoren schrumpfen, werden sich uns noch größere Möglichkeiten bieten. Heute beschleunigen wir den Teil der Gleichung, der sich auf die Back-End-Speicherung und -Verarbeitung bezieht, aber es ist nicht weit hergeholt, dass MRAM und eMRAM möglicherweise in die Front-End- und Edge-Geräte integriert werden, die diese Daten erzeugen - und genau hier werden die Dinge noch interessanter. Wenn die Supercomputing 17 ein Hinweis darauf war, dass die Zukunft für MRAM vielversprechend ist. Über den Autor Pat Patla Pat Patla ist der Senior Vice President für Marketing bei Everspin. Er ist verantwortlich für die strategische Ausrichtung von Everspin und leitet die Marketingbemühungen, um das Wachstum in unserem gesamten Unternehmen voranzutreiben. Dazu gehören Produktpläne und die Entwicklung und Umsetzung globaler Marketingstrategien, die die Führungsposition des Unternehmens festigen. Bevor er zu Everspin kam, war Pat Senior VP und General Manager bei KNUPATH, einem privaten Halbleiterunternehmen, wo er für die Entwicklung von Produktstrategien im Bereich des maschinellen Lernens verantwortlich war. Darüber hinaus hatte er mehrere leitende Positionen inne, darunter VP of Server Business Marketing bei Samsung und VP und GM der Server and Embedded Division von Advanced Micro Devices. Pat leitete auch die Einführung von PowerEdge-Servern bei Dell, Inc. und erreichte den größten Marktanteil bei Multi-Socket-Servern. Pat hat einen Bachelor of Science in Marketingmanagement von der DePaul University, Chicago, Illinois.
Jetzt ist die Zeit für eFPGA-Technologie November 30, 2017von: Timothy Saxe Die Einbettung von FPGA-Technologie in SoC-Designs ist nicht wirklich eine neue Idee. Bei QuickLogic machen wir das schon seit fast zwei Jahrzehnten, angefangen mit unserem FPGA/Hard-PCI-Controller-SoC aus dem Jahr 1999. Das Wertversprechen war damals dasselbe wie heute. Ein höherer Integrationsgrad, der ein höheres Maß an Funktionalität, Leistung und Designflexibilität bei geringeren Kosten, geringerem Stromverbrauch und geringerem Platzbedarf auf der Leiterplatte bietet. Warum also hat sich die eFPGA-Technologie nicht schon viel früher durchgesetzt? Die Antwort liegt im Wesentlichen in der Beziehung zwischen Werkzeugkosten und Entwicklungskosten. Beginnen wir mit den Chipgrößen und Kosten. Bei unserem PCI-Baustein aus dem Jahr 1999 wurde ein 0,35-Mikron-Prozess verwendet, der 24.650 Quadratmikrometer pro Logikzelle beanspruchte. Im Jahr 2002 ergab der 180-nm-Prozess, den wir für unseren QuickMIPs-Baustein verwendeten, 9.306 Quadratmikrometer pro Logikzelle - weniger als die Hälfte der Fläche für mehr FPGA-Fähigkeit. Heute bietet unser neuestes Gerät, die EOS™ S3 Sensor Processing Platform, durch den Einsatz einer 40-nm-Prozesstechnologie ein noch höheres Maß an FPGA-Fähigkeit bei einer Chipfläche von nur 961 Quadratmikrometern pro Logikzelle. Das entspricht einer Verringerung der Chipfläche des eFPGA-Teils dieser Geräte um etwa den Faktor 25 im Vergleich zu den letzten 18 Jahren. Geringere Anforderungen an die Die-Fläche für die eFPGA-Technologie bedeuten, dass sie in ein SoC integriert werden kann, wobei die Gesamtkosten des Geräts nur sehr geringfügig steigen. Wir schätzen zum Beispiel, dass in einem Gerät, das mit der 40-nm-Prozesstechnologie hergestellt wird, das Hinzufügen von 1.000 Logikzellen mit eFPGA-Fähigkeit zu einem 3 mm x 3 mm großen Chip die Gesamtgröße des Chips nur um etwa 10 % erhöht. Der entsprechende Kostenanstieg wird prozentual etwas höher oder niedriger ausfallen, abhängig von der Chipausbeute und den Gehäusekosten, aber der Kostenanstieg für ein solches Gerät ist marginal. In Anbetracht all der zuvor beschriebenen Vorteile sieht das Wertversprechen aus Sicht der Bauelemente nun wirklich überzeugend aus. Lassen Sie uns nun einen Blick auf die Entwicklungskosten werfen. Fortschrittlichere Prozesstechnologien sind teurer in der Entwicklung und erfordern anspruchsvollere Design- und Verifizierungstools, die mehr Geld kosten und den SoC-Designer dazu zwingen, mehr Zeit in den Designzyklus zu investieren. Wenn ein Designfehler unterläuft oder eine Funktion falsch ist, wenn versucht wird, eine Produkterweiterung zu liefern, wenn eine Gruppe fragmentierter, aber verwandter Marktchancen adressiert werden soll oder wenn mit den sich schnell entwickelnden Marktanforderungen Schritt gehalten werden soll, dann sind zusätzliche Maskenspins erforderlich, und das kostet heute erheblich mehr Geld als noch vor zehn oder zwanzig Jahren. In der heutigen Welt der hochkomplexen SoCs ist die Realität, dass das Silizium billig, die Entwicklung aber teuer ist. Was soll ein sparsamer Entwickler also tun? Die Antwort ist, einen angemessenen Anteil an FPGA-Technologie einzubetten. Die zusätzlichen Siliziumkosten sind zwar relativ gering, aber dafür können sie ihre hohen Investitionen in die Entwicklung durch ein hohes Maß an Designflexibilität nach der Fertigung optimal nutzen. Anstatt teure Design- und Verifikationsmasken zu benötigen, um Fehler zu beheben, Funktionen zu ändern oder neue Marktchancen oder sich schnell entwickelnde Standards anzusprechen, werden sie den "fest verdrahteten" Teil ihres Geräts intakt lassen und einfach den programmierbaren FPGA-Teil aktualisieren. Wir schätzen, dass ein Unternehmen durch den Einsatz von Embedded-FPGA-Technologie sehr leicht 40 Prozent der Entwicklungskosten für zwei Varianten desselben Designs einsparen kann. Ganz zu schweigen von den höheren Spitzenumsätzen, Bruttomargen und längeren Markteinführungszeiten, die sich ergeben, wenn das richtige Produkt zur richtigen Zeit auf dem Markt ist. Die eFPGA-Technologie eignet sich besonders gut für SoC-Designer, die mit GLOBALFOUNDRIES zusammenarbeiten. Der neue 22FDX®-Prozess bietet starke wirtschaftliche Vorteile für neue Bauelemente, da weniger Masken im Vergleich zu den vorherigen Knotengenerationen erforderlich sind. Seine dynamische Back-Bias-Funktion reduziert den Stromverbrauch um schätzungsweise 78 Prozent (bei 0,6 V) im Vergleich zu 40-nm-Prozessen. Damit eignet er sich gut für die stromsparenden und extrem stromsparenden Wearable-, Hearable- und IoT-Anwendungen, die unsere eFPGA-Anwender anstreben. Wenn Sie also ein SoC-Entwickler oder -Manager sind, können Sie durch die Kombination der eFPGA-Technologie von QuickLogic mit dem 22FDX-Prozess von GLOBALFOUNDRIES unterm Strich niedrigere Entwicklungskosten und höhere Gewinne erzielen. Die Zeit ist jetzt reif. Über den Autor Timothy Saxe Senior VP für Technik und CTO Timothy Saxe (Ph.D.) ist seit November 2008 unser Senior Vice President und Chief Technology Officer. Im August 2016 erweiterte er diese Rolle um die des Senior Vice President of Engineering. Dr. Saxe ist seit Mai 2001 bei QuickLogic tätig und hatte in den letzten 15 Jahren eine Reihe von Führungspositionen inne, darunter Vice President of Engineering und Vice President of Software Engineering. Dr. Saxe war Vice President of FLASH Engineering bei der Actel Corporation, einem Unternehmen der Halbleiterindustrie. Dr. Saxe trat im Juni 1983 in die GateField Corporation ein, ein Unternehmen für Designverifikationswerkzeuge und -dienstleistungen, das früher unter dem Namen Zycad bekannt war, und war 1993 einer der Gründer der Halbleiterproduktionsabteilung. Dr. Saxe wurde im Februar 1999 Chief Executive Officer von GateField und war in dieser Funktion bis zur Übernahme von GateField durch Actel im November 2000 tätig. Dr. Saxe besitzt einen B.S.E.E.-Abschluss der North Carolina State University und einen M.S.E.E.-Abschluss sowie einen Doktortitel in Elektrotechnik der Stanford University.
AutoPro™: Hilfe, um vernetzte, autonome Autos zur Realität zu machen November 16, 2017von: Mark Granger Der Automobilmarkt für Halbleiter legt einen hohen Gang ein. Gegenwärtig sind in einem durchschnittlichen Auto Halbleiter im Wert von etwa 350 Dollar verbaut, aber dieser Wert wird bis 2023 voraussichtlich um weitere 50 Prozent steigen, da der gesamte Automobilmarkt für Halbleiter von 35 auf 54 Milliarden Dollar anwächst. Dieses starke Wachstum wird durch die Notwendigkeit angetrieben, das zu entwickeln, was wir das "vernetzte Auto" nennen. Der Begriff bezieht sich auf die zahlreichen elektronischen Systeme in einem Fahrzeug, die gemeinsam Daten von kabelgebundenen und drahtlosen Sensoren erfassen und mit Hochleistungsprozessoren und Analog-/Leistungshalbleitern kombinieren, um dem Fahrzeug teilautonome und schließlich vollständig autonome Fähigkeiten zu verleihen. Dazu gehören unter anderem fortschrittliche Fahrerassistenzsysteme (Advanced Driver Assistance Systems, ADAS) wie Kollisions- und Toter-Winkel-Warnungen, ausgefeilte Infotainment- und Telekommunikationsoptionen sowie die präzise elektrische Steuerung wichtiger Fahrzeugteilsysteme wie des Antriebsstrangs. Die Entwicklung hin zum vernetzten Auto führt zu einem grundlegenden Wandel in der Lieferkette der Automobilindustrie, was für GF eine einzigartige Chance darstellt. Traditionell gab es getrennte und unterschiedliche Ebenen von Automobilzulieferern. An der Spitze der Lieferkette stehen die Automobilhersteller selbst, die so genannten OEMs (Original Equipment Manufacturers). Tier-1-Zulieferer wie Bosch, Continental, Delphi usw. liefern Teile und Systeme in Automobilqualität direkt an die OEMs. Tier 2 ist der Bereich, in den wir uns schon immer eingefügt haben. Tier 2-Zulieferer wie Halbleiterunternehmen haben traditionell die Tier Ones mit Teilen für Automobilsysteme beliefert und haben in der Regel nicht direkt mit den OEMs zusammengearbeitet. Dies ändert sich jedoch gerade. Da immer mehr elektronische Systeme in Kraftfahrzeugen eingesetzt werden und diese immer komplexer werden, besteht ein größerer Bedarf, Systemarchitekturen und Netzwerke zu verstehen und komplexe IP- und Qualitätsstandards in die Entwicklung und Herstellung der SoCs und anderer Chips einzubringen, die diese Anforderungen erfüllen. Das ist genau das, was wir hier bei GF tun. Deshalb haben wir vor kurzem eine Plattform namens AutoPro™ angekündigt, die OEMs und anderen Kunden aus der Automobilindustrie eine breite Palette von Technologielösungen, Design- und Fertigungsdienstleistungen bietet, die ihnen helfen, vernetzte Intelligenz zu implementieren und gleichzeitig den Zertifizierungsaufwand zu minimieren und die Markteinführung zu beschleunigen. AutoPro basiert auf unserer 10-jährigen Erfahrung in der Automobilbranche und nutzt die vielfältigen Technologien von GF für Automobilkunden. Es umfasst unsere Silizium-Germanium-(SiGe), FD-SOI-(FDX™), RF- undfortschrittlichen CMOS-FinFETs, Packaging- und Intellectual Property (IP)-Technologien. Wichtig ist, dass es auch Systemarchitekten gibt, die direkt mit OEMs zusammenarbeiten. In den letzten Jahren hat GF viele Mitarbeiter mit umfassender SoC-Erfahrung im Automobilbereich eingestellt, wie z. B. mich selbst, und die Netzwerksystemdesigner in unserem branchenführenden ASIC-Geschäft aus der Übernahme von IBM Microelectronics sind beispiellos. Die AutoPro-Lösungen unterstützen alle AEC-Q100-Qualitätsstufen von Grad 2 bis Grad 0. Darüber hinaus sorgen wir mit unserem AutoPro-Servicepaket für technologische Bereitschaft, operative Exzellenz und ein robustes, automobilgerechtes Qualitätssystem. Dadurch erhalten die Kunden Zugang zu den neuesten Technologien, die die strengen Qualitätsanforderungen der ISO, der International Automotive Task Force (IATF), des Automotive Electronics Council (AEC) und des VDA (Deutschland) erfüllen. Obwohl AutoPro erst kürzlich eingeführt wurde, arbeiten wir bereits mit Automobilherstellern zusammen. Eines der Unternehmen, das wir nennen können, ist Audi, das unsere Angebote für die Automobilindustrie als wesentlich für die schnellere und zuverlässigere Bereitstellung von Automobilelektronik der nächsten Generation bezeichnet hat. Es ist noch viel zu tun, aber der Weg ist noch offen. Über den Autor Mark Granger Mark Granger, Vice President of Automotive bei GLOBALFOUNDRIES, ist seit rund 20 Jahren für das Design und das Produktmanagement von Hochleistungs-SoCs verantwortlich. Zuletzt war er bei NVIDIA tätig, wo er die Bemühungen des Unternehmens leitete, hochmoderne Anwendungsprozessoren für autonome Fahrzeuge anzubieten.
Perspektive für Führungskräfte: Eine Strategie für Wachstum in China Oktober 23, 2017von: Wallace Pai Anfang dieses Jahres kündigte GLOBALFOUNDRIES Pläne an, in Chengdu, der Hauptstadt der Provinz Sichuan im Südwesten Chinas, in einem Joint Venture mit der Stadtverwaltung von Chengdu eine 300-mm-Fabrik zu bauen. Wir haben dies getan, um uns die Tatsache zunutze zu machen, dass sich die chinesische Halbleiterindustrie im Umbruch befindet. Die nationale Notwendigkeit besteht darin, die Selbstversorgung mit Halbleitern in den nächsten Jahren drastisch zu erhöhen, denn obwohl China der am schnellsten wachsende Halbleitermarkt der Welt ist, muss das Land derzeit etwa 80 Prozent der Chips importieren, die in den von chinesischen OEMs hergestellten Geräten verwendet werden. Chengdu sieht diesen Schritt in Richtung Autarkie als Chance, sich zum Silicon Valley der aufstrebenden chinesischen Halbleiterindustrie zu entwickeln. Während Touristen die alte Stadt wegen ihrer riesigen Pandas, ihres scharfen Essens, ihres kulturellen Erbes und ihrer natürlichen Attraktivität kennen, ist sie aus geschäftlicher Sicht eine durch und durch moderne, kosmopolitische Stadt mit einer Infrastruktur von Weltklasse, einer geschäftsfreundlichen Einstellung und einer großen, technologisch versierten Arbeitnehmerschaft. Viele ausländische multinationale Unternehmen wie Intel, Texas Instruments und Siemens sind dort angesiedelt, ebenso wie große asiatische Unternehmen wie Foxconn, das dort etwa zwei Drittel der weltweiten iPads herstellt. Dementsprechend bietet Chengdu attraktive Finanz-, Bildungs- und andere Anreize für potenzielle Industriepartner mit dem Ziel, ein komplettes Ökosystem für Chipdesign und -herstellung für den chinesischen Markt zu entwickeln. Das eröffnete GF eine unglaubliche Chance, nicht nur die von den Elektronikherstellern des Landes benötigten Chips herzustellen, sondern auch eine Schlüsselrolle bei der Unterstützung der sich entwickelnden chinesischen Halbleiterindustrie als vertrauenswürdiger Partner mit einzigartig vorteilhaften, erstklassigen technischen Ressourcen zu spielen. Daher haben wir uns trotz des starken Interesses aus anderen Städten für den Bau unserer Fabrik in Chengdu entschieden. Fab 11 wird nach Fertigstellung im nächsten Jahr die größte und eine der modernsten 300-mm-Fabriken in China sein und das Zentrum unserer 22FDX®-Produktion für diesen Markt bilden. Zunächst werden wir dort Mainstream-Technologien von 130nm-180nm mit einer Kapazität von 20.000 Waferstarts pro Monat (wspm) produzieren. In der zweiten Hälfte des Jahres 2019 werden wir dann mit der Volumenproduktion unserer hochdifferenzierten 22FDX (FD-SOI)-Technologie beginnen, mit einer voraussichtlichen Kapazität von 65.000 wspm. Letztendlich werden rund 3 500 Mitarbeiter in Fab 11 tätig sein. Fab 11 ergänzt die Ressourcen, die wir bereits in China haben. Wir haben vor einigen Jahren mit einem Vertriebsbüro in Shanghai begonnen, in dem heute 50 Mitarbeiter in verschiedenen Funktionen tätig sind, darunter Anwendungsingenieure vor Ort, Vertrieb, Marketing und andere technische Supportfunktionen. Durch die Übernahme von IBM Microelectronics können wir nun aber auch ein hochdifferenziertes Portfolio von RF-Technologien und ein sehr großes ASIC-Design-/Entwicklungsteam mit etwa 150 Mitarbeitern in Shanghai und weiteren 40-50 in Peking anbieten. Da unser ASIC-Geschäft weiter wächst, werden auch diese Zahlen steigen. Dieses ASIC-Angebot ist sehr leistungsfähig und umfasst eines der branchenweit breitesten Angebote an ASIC-Designdienstleistungen, differenziertem geistigem Eigentum (IP), kundenspezifischem Silizium und fortschrittlichem Packaging für echte End-to-End-Lösungen. Aufbau eines 22FDX-Ökosystems, Nutzung der ASIC-Fähigkeiten Die Regierung von Chengdu sieht unsere 22FDX-Technologie zu Recht als einen entscheidenden Vorteil in ihren Bemühungen, ein Schwerpunkt der wachsenden chinesischen Chipindustrie zu werden, und unsere Präsenz als Magnet, der noch mehr Technologieunternehmen anziehen und die Stadt zu einem internationalen Kompetenzzentrum für Halbleiter machen wird. Das liegt daran, dass der 22FDX mit seiner einzigartigen Kombination aus Leistung, HF-Fähigkeiten, Stromverbrauch, Größe und Kosten perfekt zu den Endmärkten passt, auf die sich China konzentriert - batteriebetriebene, drahtlose Computergeräte für mobile Anwendungen, Internet of Things (IoT), Fahrerassistenz/autonomes Fahren und 5G-Anwendungen. Über die Fertigung hinaus helfen wir zusammen mit unserem Joint-Venture-Partner bei der Entwicklung eines ganzen 22FDX-basierten Ökosystems, das IP-, EDA- und Designdienstleistungsunternehmen umfasst, die in Zukunft unsere Kunden und Partner sein werden. Dieses Ökosystem wird bei der späteren Einführung der 22FDX-Technologie in China eine entscheidende Rolle spielen, da diese Unternehmen bereits wissen, wie sie damit arbeiten können und mit den Vorteilen vertraut sind, die sie bei der Entwicklung innovativer elektronischer Produkte haben. So gibt es in China beispielsweise mehr als 700 fabriklose Halbleiterunternehmen, und diese Zahl wächst schnell. Einige sind zwar technisch fortgeschrittener als andere, aber insgesamt besteht ein großer Bedarf an fachkundiger Hilfe und technischer Unterstützung. Unsere ASIC-Ingenieure vor Ort arbeiten bereits mit einigen dieser Unternehmen an 22FDX-Projekten, was bedeutet, dass wir für diese Technologie bereits einsatzbereit sind, obwohl Fab 11 selbst noch im Bau ist. Im gesamten Großraum China reichen unsere bestehenden Kunden von Tier-One-Unternehmen bis hin zu vielen dieser kleineren Unternehmen, aber da wir weitere Fähigkeiten und Technologien wie 22FDX einführen, eröffnen sich Möglichkeiten bei Kunden, die wir vorher nicht bedienen konnten. Das ist erst der Anfang Die chinesische Halbleiterindustrie steckt wirklich erst in den Kinderschuhen. Im ganzen Land werden derzeit mehr als 10 Fabriken gebaut, darunter auch unsere, und es wird eine ganze industrielle Infrastruktur aufgebaut. So gesehen ist unsere neue Fabrik nicht einfach nur eine Produktionsstätte, sondern ein greifbares Symbol für eine glänzende Zukunft für uns in China. Über den Autor Wallace Pai Wallace Pai wurde im Juli 2016 zum Vice President und General Manager von GF in China ernannt. Er hat seinen Sitz in Shanghai und ist für die strategische Ausrichtung und das Wachstum des Unternehmens im Grossraum China verantwortlich, während GF seine Präsenz und Kundenbasis in der Region ausbaut. Durch seine jahrzehntelange Erfahrung in China und sein umfangreiches Netzwerk an Geschäftspartnern und Kontakten vor Ort verfügt er über ein tiefes Verständnis für die Funktionsweise chinesischer Unternehmen sowie über äußerst relevante Erfahrungen im Bereich des Mobilfunkmarktes, der für GF ein wichtiges Ziel darstellt. Im Laufe seiner Karriere als leitender Angestellter bei Motorola, Qualcomm, Samsung und Synaptics hat Pai die Strategie geprägt und zahlreiche strategische Initiativen und Investitionen in China geleitet. Er spricht fließend Mandarin und Kantonesisch und hat umfassenden Zugang zu Geschäftsnetzwerken in der gesamten Region Greater China. Pai besitzt einen MBA der Harvard Business School und einen MSEE der University of Michigan, Ann Arbor. Zu Beginn seiner Laufbahn war Wallace Berater bei McKinsey & Company und Entwicklungsingenieur für Mikroprozessoren bei Intel.
高层视角:格芯FDX™技术良性循环的开端 October 23, 2017 作者: Alain Mutricy 在我们竞争激烈的行业内, 公司持续挑战自我并不断前进是十分重要的,否则公司将面临逐渐落后的困境。在格芯, 不断前进意味着我们敢于想象并在过往不曾开拓的道路上勇敢尝试,为客户提供独特价值。 在格芯,被我们称为 FDX™的全耗尽式SOI技术就是勇于尝试的例子之一。您已在最近频繁得到我们关于FDX技术的消息。我们的22纳米和12纳米 FDX制程是低功耗、移动类及高度集成SoC应用的理想选择,是我们许多用户在市场中的甜区。 我们为物联网系统独立开发了22FDX®技术,(根据McKinsey & Company基于Gartner, iSuppli, Strategy Analytics的量化预测分析)我们预测物联网市场将在2020年前为半导体提供500亿美金的市场机会。利用软件控制的背栅偏置功能,22FDX®技术提供14/16纳米FinFET技术的性能,同时,它还支持利用电池功能的物联网应用所需的超低功耗系统及超低漏电设计库。此技术是为提供高性能数字库与高性能模拟及射频电路的集成而设计。 第一例IP和硅技术的实现证明,22FDX平台在满足物联网需求之余,同时也是低端到中端智能手机单芯片集成的理想选择。此外,拥有22FDX平台的我们打破了半导体技术开发的固有模式。在固有模式中,最先进的节点总是为高性能的数字逻辑应用而开发,自此两年后,模拟及射频将作为辅助技术被加入到制程工具包,此时,追求先进性能的用户已移至下一数字化节点。最终,再一个两年过后,你将有可能拥有非易失性内存(NVM)的集成能力。这意味着,所有得益于NVM的系统都必须使用已存在4年之久的技术来集成逻辑IP。 22FDX平台使我们的客户得以打破这一局面,帮助客户设计智能的、全集成(例如最低的功耗及系统成本)并连接的(例如芯片上射频系统)系统。我们观察到,不只是正在使用28纳米技术的客户,还有使用55纳米及40纳米(射频或NVM)的客户都已在考虑直接转移至22FDX,以利用这一充满竞争力的技术优势。 我们现已与大量客户展开了FDX技术上的合作,而其中一大部分客户已进入产品原型制造阶段。FDX技术是我们产品的基石,我们也在挑战自我,为客户在尽可能短的时间内带来属于用户的基于FDX的产品。细致来说,我们努力提供可用的设计工具及IP,让客户得以使用FDX技术的软件控制背栅偏置能力。 FDXcelerator合作项目就是为此目的被发展出来的。此项目为合作开发模式,为客户提供尽快将基于FDX的SoC推入市场所需的全面支持与资源。请将此项目看作一个完整的生态系统,此生态系统包含了通过资格验证的专家级合作伙伴,以及包括了格芯在内的供应商,我们已做好准备,随时为客户提供任何的帮助,将创新的SoC方案快速而低成本低带入市场。 不管是对于大或小的业务,强大而具有战略性的合作关系都是至关重要的。请让我以我的个人经历作为例子。在15年前,我在德州仪器内部开启了新的业务,致力于为移动电话开发微控制器设计方案。我在早期预测到手提电话将智能化、拥有高级的操作系统、下载应用的能力、分享媒体的能力以及更大的手机屏幕。我们称这款微处理器为OMAP处理器。(这个世界在过去的15年里发生了多大的变化啊!!!) 为了OMAP,我们成立了类似于FDXcelerator的生态网络,并称之为OMAP技术中心项目,以打破设计的局限,为客户带来最为优秀的技术合作伙伴以及优化的软件方案和OMAP技术所需的设计工具。 很快,我们的合作伙伴适应了新的资源、技巧、工具和多媒体软件或基础软件方案,为OMAP平台提供了支持并在新兴的智能手机市场占领先机,成为了市场内的领导者。OMAP的客户在各自的市场内都获得了成功,这都得益于他们以加快的步调进行了开发。OMAP技术中心—我们的合作伙伴—一同快速发展并分享了胜利的果实。 再回到原来的话题:我们预测22FDX SoC的设计复杂程度与所需的投入强度远低于FinFET技术,而充分利用软件控制的背栅偏置是SoC设计的新方式。这种不同并不会更加复杂。(根据Gartner的研究显示,FinFET的设计复杂程度是28纳米技术的两倍。) 若是没有专家的帮助,我们断无可能如此快速出色地完成目标。而提供专家的帮助,正是FDXcelerator项目的宗旨。 目前,我们已官方宣布了与7家世界级伙伴的合作关系,仍有许多其他的企业正在寻求加入的机会。每一位被我们评估并选中的合作伙伴,都承诺向客户提供专注的服务、具体的资源,此项目现已包括: 设计工具(EDA) – 已植入业内领先设计流程的模块,利用独特的FD-SOI 体偏置功能 设计单元(IP) – 完整单元库,包括基础IP,接口及复杂IP,使晶圆厂用户使用经验证的IP单元,更快开始设计 平台 (ASIC) 参考方案– 新兴应用领域的系统级专精,加速投入市场 封装与测试方案(OSAT)– 开启最先进的SoC送达服务 其他资源– 专注于FDX的设计咨询及其他服务 以上所有服务提供了来自格芯FDX技术的独特的收益与额外价值。 我认为FDXcelerator合作项目是客户加快投入市场速度的关键因素。它是FDX技术良性循环的催化剂,我们鼓励更多的客户将技术重心转移至FDX技术,而客户的设计理念与参与将进一步刺激生态系统的增长,而这将吸引更多的客户并就此不断循环。 我们正在为合作伙伴们创造业务成功的机会,同时,通过提供现有的方案与资源以增加设计创造力,我们也为客户提供加速进入市场的优势。 能在这个转变的开始参与到其中来令人兴奋。我很自豪成为我们客户的合作伙伴,并已迫不及待见证他们使用我们的技术获得成功! 不包括“传统互联网设备”如笔记本电脑及智能手机。不包括汽车类应用。粗略先期预估基于设备种类划分。在通讯类、数字化嵌入式内存类里,假定SoC具备简单设备的通讯功能与内存集成。