Aquantia宣布为超大规模数据中心和云计算环境提供突破性的100G技术 2016年10月24日与GLOBALFOUNDRIES合作，将铜缆互连扩展到100G带宽，降低高性能数据中心连接的成本 新闻要点 Aquantia的新QuantumStream™技术通过利用GF提供的业界最高性能的56Gbit/s SerDes，提供了世界上第一个单线100Gbit/s直接连接解决方案。 QuantumStream™由Aquantia在互连技术方面经过验证并获得专利的架构创新实现，在下一代超大规模架构中提供关键的超低延迟性能。 Aquantia和GF的合作实现了高达800Gbit/s的以太网直连电缆连接。 这项合作包括将Aquantia的QuantumStream™ IP授权给GF，扩大产品的生态系统，从而继续开展云计算革命。 2016年10月24日，加州圣何塞-- 为数据中心和企业基础设施提供高速以太网连接解决方案的先驱和市场领导者Aquantia公司今天发布了QuantumStream™技术，这是一类新的高性能连接架构，有可能为下一代超大规模数据中心带来变革。QuantumStream™技术由Aquantia通过与GF的战略合作开发，正在创造一种100Gbit/s带宽的全电技术，为网络应用提供低延时。Aquantia的技术在带宽性能上比以前认为只有光学技术才能实现的单车道铜缆有了质的飞跃。这项技术的出现将使系统供应商和数据中心运营商能够在超大规模架构中推动更高的性能和更新的拓扑结构，同时保持基于电气的互连的可靠性、低成本和易用性。QuantumStream™技术旨在实现3米以内的机架间和机架内连接，补充超大规模数据中心中使用的更远距离的光连接解决方案。 "作为LinkedIn全球基础设施架构和战略的首席工程师，我的工作重点是设计下一代的数据中心。Yuval Bachar说："我一直认为，当100G连接达到每秒每千兆一美元的光互连价格点时，它将被广泛部署。"Aquantia已经提出了一项非常创新的100G技术，利用铜缆连接实现了更低的每千兆成本。更低的价格将改变超大规模数据中心的机架内连接的经济性，这显然是每个希望在机架内加速路径上实现每千兆比特低于一美元的人非常感兴趣的。" "作为LinkedIn全球基础设施架构和战略的首席工程师，我的工作重点是设计下一代的数据中心。Yuval Bachar说："我一直认为，当100G连接达到每秒每千兆一美元的光互连价格点时，它将被广泛部署。"Aquantia已经提出了一项非常创新的100G技术，利用铜缆连接实现了更低的每千兆成本。更低的价格将改变超大规模数据中心的机架内连接的经济性，这显然是每个希望在机架内加速路径上实现每千兆比特低于一美元的人非常感兴趣的。" "迄今为止，行业观察家们预测，只有光连接才能满足100Gbit/s及以上的需求。Aquantia公司首席执行官Faraj Aalaei说："这构成了一个巨大的障碍，因为光技术本身的成本就比较高。"我们在复杂的高速铜缆收发器方面的专长，加上GF的14纳米FinFET技术的强大SerDes领导地位的传统，将使我们能够持续地实现所需的100G连接的路线图，并为我们的客户提供最佳的组合，使其在不断变化的市场需求中脱颖而出，保持领先地位。" 战略合作，带来突破性的100Gbit/s互连技术 GF在高速串行器-解串器（SerDes）设计方面拥有超过20年的深厚技术专长。SerDes集成电路是一个基本构件，负责在数据中心和IT环境中的交换机、服务器、路由器和存储设备之间，通过各种渠道（如光纤、电铜线和背板）传输数据。GF的FX-14™特定应用集成电路（ASIC）平台采用公司最先进的14纳米低功耗（LPP）工艺技术设计，提供优化的IP组合，包括最新一代的SerDes，能够以56Gbit/s的速度传输数据。 根据这项合作，GF向Aquantia的专家团队提供其56Gbit/s IP核心的使用权。Aquantia将56Gbit/s IP核与它在过去十年中开发的铜缆高速互连的专利混合模式信号处理（MMSP）和多核信号处理（MCSP）架构创新相结合，提供独特的100G互连高性能SerDes解决方案。此外，Aquantia将向GF提供其QuantumStream™ IP的使用权，以便将其纳入客户的ASIC，从而扩大支持这一革命性接口的解决方案的生态系统。 这项合作旨在突破当前电气连接路线图继续向100Gbit/s带宽发展过程中所存在的技术障碍。此外，Aquantia的QuantumStream™技术很容易利用，可以在传统的DAC电缆上提供100Gbit/s的倍数带宽，解决了网络和数据中心行业目前面临的最重大挑战之一。 QuantumStream是短距离的理想选择 100G超过3米的直接连接电缆SFP 400G超过3米的直接连接电缆QSFP 800G超过3米的直接连接电缆OSFP 对超大规模数据中心的交换机和服务器连接部署的分析表明，大量集中在几米之内。根据Crehan Research的数据，目前超大规模数据中心的大部分直接服务器和存储以太网网络连接都在3米以内。由于为几百米甚至几公里而优化的互连解决方案将无法满足几米的需要，这就导致需要为短距离应用和长距离连接提供互补的解决方案。传统上，电气互连为短距离空间提供了最低成本和功率的选择，而光学解决方案则由于光纤的低损耗而被部署在长距离应用中。 为了应对更高密度的交换机和服务器配置的全面行业趋势，已经提出了一些100G的光学解决方案。Aquantia的QuantumStream™技术是一种补充性的100G解决方案，用于在较短的距离内通过铜线实现大规模的服务器和交换机连接，现在首次实现了。 "为了满足带宽和数据需求的巨大增长，GF将继续致力于投资于网络和技术的提升，包括一流的高速SerDes解决方案，这将为我们的客户带来巨大的利益，"GF全球销售和业务发展高级副总裁Mike Cadigan表示。"Aquantia在高速铜缆互连技术方面的创新设计专长，结合我们世界级的FX-14 ASIC平台和SerDes IP组合，将使超大规模数据中心的电气互连模式得以延续。" 关于Aquantia Aquantia是高速半导体连接解决方案的领先开发商和全球供应商。在十多年的技术领导力和执行力的支持下，Aquantia市场领先的产品组合使全球最具创新性的计算、数据中心和企业基础设施应用成为可能。Aquantia通过提供广泛的产品组合来满足不断变化的市场需求，这些产品组合基于架构创新，为客户提供高性能、低功耗、高密度和高质量的硅解决方案。Aquantia的总部设在加州硅谷，拥有强大的风险投资和战略投资者。欲了解更多信息，请访问：www.aquantia.com QuantumStream™是Aquantia公司的商标。 关于GF GF是世界上第一家提供全面服务的半导体代工企业，其业务范围真正覆盖全球。该公司于2009年3月启动，迅速形成规模，成为世界上最大的代工厂之一，为250多个客户提供先进技术和制造的独特组合。通过在新加坡、德国和美国的运营，GF是唯一一家能够提供跨越三大洲的制造中心的灵活性和安全性的代工厂。公司的300毫米晶圆厂和200毫米晶圆厂提供从主流到前沿的全部工艺技术。这一全球制造足迹得到了位于美国、欧洲和亚洲的半导体活动中心附近的主要研究、开发和设计设施的支持。GF为穆巴达拉发展公司所有。欲了解更多信息，请访问https://www.globalfoundries.com。 Aquantia:Sabrina Joseph408-726-1493[email protected] GF:Erica McGill518-305-5978[email protected] 警示性声明 本新闻稿包含有关Aquantia的前瞻性声明，其中包括其产品提供技术优势的程度和将被市场接受。本新闻稿中的前瞻性声明是基于当前的信念、假设和预期，仅针对截至本新闻稿发布之日的情况，并涉及可能导致实际结果与当前预期大不相同的风险和不确定性。可能导致实际结果与当前预期大相径庭的因素包括但不限于数据中心和以太网企业市场的集成电路的技术和业务发展。
INVECAS将在GLOBALFOUNDRIES FDX™技术上为明天的智能系统启用ASIC设计 September 29, 20162016年9月29日 INVECAS与GLOBALFOUNDRIES合作，在22FDX®和12FDX™技术上提供IP和端到端ASIC设计服务 加利福尼亚州圣克拉拉市 2006年9月29日 INVECAS Inc.和格芯今天宣布，INVECAS将提供IP和端到端ASIC设计服务。此服务将作为晶圆厂的FDXcelerator™ 合作伙伴计划的一部分，该计划旨在促进22FDX SoC设计来实现未来的智能系统。该合作加速了FDX技术在物联网（IoT），移动，射频连接和网络市场的应用中的应用。 INVECAS将与格芯的技术团队密切合作，针对公司的22FDX制程来开发和验证一系列IP。此外，INVECAS将提供全面的ASIC设计服务，帮助客户在SoC设计上拥有强烈的信心和超低的风险。 “我们的目标是提供经硅片验证的IP解决方案和系统级专业知识，以解决当今ASIC设计师面临的难题，”INVECAS公司董事长兼首席执行官Dasaradha Gude表示。 “我们很高兴成为格芯FDXcelerator计划的初始合作伙伴，这是一项突破性的举措，旨在使广泛的客户能够加快22FDX量产时间。 “我们很高兴扩大与INVECAS的战略关系，并欢迎他们作为FDXcelerator合作伙伴计划的初始成员，”格芯的产品管理高级副总裁Alain Mutricy说。“除了全面的FDX优化IP产品组合，我们的客户现在可以接触INVECAS全套服务，以及时和高质量地实现他们的SoC设计。“ 随着下一代12FDX™技术在最近被公布，FDXcelerator合作伙伴计划建立了格芯在业界首创的FD-SOI产品规划图，这是一个设计人员在高级节点上的的低成本的路径。通过参与FDXcelerator并继续扩展其IP产品以支持更广泛的FDX客户，INVECAS在FDX平台的采纳和增长方面处于领先地位。此外，FDXcelerator合作伙伴计划扩大了公司之间的技术合作，包括围绕质量，资格认证和研发方法的紧密联系。 更多信息将在未来几个月与FDX设计社区共享。如果您有兴趣进一步了解FDXcelerator的客户和合作伙伴，可以访问www.globalfoundries.com/FDXcelerator。 关于INVECAS INVECAS从在美国和印度的开发中心为格芯客户提供半导体IP和硅实现服务。该公司在提供高性能和高能效IP方面拥有良好的业绩记录，并在领先的流程中始终如一地实现了多项设计的成功。欲了解更多信息，请访问https://www.invecas.com。 关于格芯 GF是世界上第一个具有真正意义上足迹遍布全球的全方位服务晶圆制造商。该公司于2009年3月成名，并迅速实现了规模化，成为世界最大的晶圆生产商之一，为250多个客户提供先进技术和独特制造的组合。格芯在新加坡，德国和美国经营，是唯一提供跨越全球三大洲的制造中心，并提供足够灵活和高度安全的代工厂。该公司的300mm晶圆厂和200mm晶圆厂提供从主流到前沿的全系列制程技术。格芯的制造业务遍及全球，而格芯位于美国，欧洲和亚洲的半导体业务中心的大量的研发和设计实现人员为格芯的全球制造业务提供全面的支持。格芯由Mubadala Development Company拥有。欲了解更多信息，请访问https://www.globalfoundries.com。 联系人： Jason Gorss 电话：（518）698-7765 [email protected]
英威达在GlobalFoundries FDX™技术上为未来的智能系统提供ASIC设计方案 2016年9月29日 英威达与GlobalFoundries合作，在22FDX®和12FDX™技术上提供IP和端到端的ASIC设计服务 加州圣克拉拉，2016年9月29日--英威达公司和GF今天宣布，作为晶圆厂FDXcelerator™合作伙伴计划的一部分，英威达将提供IP和端到端的ASIC设计服务，该生态系统旨在促进未来智能系统的22FDX SoC设计。这项合作加速了FDX技术在物联网（IoT）、移动、射频连接和网络市场等应用中的应用。 英威达将与GF的技术团队紧密合作，为该公司的22FDX工艺开发和验证一系列知识产权（IP）。此外，英威达将提供全面的ASIC设计服务，帮助客户以高信心和低风险实现SoC设计。 "英威达董事长兼首席执行官Dasaradha Gude表示："我们的目标是提供经过硅验证的IP解决方案和系统级专业知识，以解决当今ASIC设计者面临的设计复杂性难题。"我们很高兴成为GF的FDXcelerator计划的初始合作伙伴，该计划是一项开创性的举措，旨在为广大客户提供服务并加快22FDX的量产时间。" "GF产品管理高级副总裁Alain Mutricy表示："我们很高兴扩大与英威达的战略合作关系，欢迎他们成为FDXcelerator合作伙伴计划的初始成员。"除了全面的FDX优化IP组合外，我们的客户现在还可以获得英威达的全套服务，按时并以最高质量实现其SoC设计。" 随着该公司最近宣布推出下一代12FDX™技术，FDXcelerator合作伙伴计划建立在GF的行业首创FD-SOI路线图之上，为先进节点的设计人员提供了低成本的迁移途径。通过参与FDXcelerator并继续扩大其IP供应以支持更广泛的FDX客户，英威达在FDX平台的采用和发展方面处于领先地位。此外，FDXcelerator合作伙伴计划扩大了公司之间的技术合作，包括围绕质量、鉴定和开发方法进行更紧密的联系。 更多信息将在未来几个月与FDX设计界分享。有兴趣了解更多关于FDXcelerator的客户和合作伙伴可以访问这里。 关于英威达 英威达通过其在美国和印度的开发中心为GF客户提供半导体IP和硅实现服务。该公司在提供高性能和高功率的IP方面有着良好的记录，并在前沿工艺的多种设计中不断取得首次成功。欲了解更多信息，请访问：https://www.invecas.com。 关于GF GF是世界上第一家提供全面服务的半导体代工企业，其业务范围真正覆盖全球。该公司于2009年3月启动，迅速形成规模，成为世界上最大的代工厂之一，为250多个客户提供先进技术和制造的独特组合。通过在新加坡、德国和美国的运营，GF是唯一一家能够提供跨越三大洲的制造中心的灵活性和安全性的代工厂。公司的300毫米晶圆厂和200毫米晶圆厂提供从主流到前沿的全部工艺技术。这一全球制造足迹得到了位于美国、欧洲和亚洲的半导体活动中心附近的主要研究、开发和设计设施的支持。GF为穆巴达拉发展公司所有。欲了解更多信息，请访问https://www.gf.com。 联系方式：Erica McGillGF(518) 305-5978[email protected]
INVECAS和格芯宣布推出用于高性能计算，网络和高端移动应用的高级14nm FinFET设计IP库 September 28, 20162016年9月28日 来自INVECAS的硅经验证和优化的IP现在可用于格芯 14LPP工艺的代工客户 加利福尼亚州圣克拉拉市 2016年9月28日 — 领先的IP，ASIC和嵌入式软件解决方案供应商INVECAS Inc和格在芯今天一起宣布为格芯14nm FinFET技术提供基础IP。来自INVECAS的经硅芯片验证的IP针对高性能“全时”应用（如高端智能手机，网络，服务器和图形处理器）的性能，功耗和面积要求进行了优化。该应用定制库使客户能够快速开发高性能和高能效的系统。 INVECAS IP可以利用FinFET的优势，为更苛刻的应用提供更小的面积的更多处理能力。综合IP组合包括基础IP，如通用I / O（GPIO），存储器，标准单元库以及一整套接口和模拟IP解决方案。 格芯的产品管理高级副总裁Alain Mutricy说：“格芯的14LPP为寻求差异化产品和加快复杂技术设计时间的客户提供了经硅芯片验证的解决方案。通过类似INVECAS这样的生态系统合作伙伴的早期参与，我们进一步增强了我们的技术，以确保拥有低风险，硅验证和高效设计策略的强大的基础设施。我们与INVECAS的战略关系为我们的客户提供了14LPP性能和功耗优化的IP平台，将其SoC设计推向了新的台阶，为广泛的应用提供了最高性能的芯片。” INVECAS公司董事会主席兼首席执行官Dasaradha Gude表示：“INVECAS致力于通过优化的IP和格芯的芯片实现服务来克服SoC设计挑战。”通过将经过验证的系统级专业知识与格芯的先进的14nm FinFET技术相结合，我们将能为计算，通信，移动和汽车市场提供完整的解决方案。 INVECAS将于9月29日参与在慕尼黑的索菲特展览会。期间，INVECAS将会在格芯技术会议（GTC）上展示硅芯片验证的IP解决方案。 关于INVECAS INVECAS从其在美国和印度的开发中心为格芯客户提供半导体IP和硅实现服务。该公司在提供高性能和高能效IP方面拥有良好的业绩记录，并在领先的流程中始终如一地实现了多项设计的成功。欲了解更多信息，请访问https://www.invecas.com。 关于格芯 GF是世界上第一个具有真正意义上足迹遍布全球的全方位服务晶圆制造商。该公司于2009年3月成名，并迅速实现了规模化，成为世界最大的晶圆生产商之一，为250多个客户提供先进技术和独特制造的组合。格芯在新加坡，德国和美国经营，是唯一提供跨越全球三大洲的制造中心，并提供的足够灵活性和高度安全性的代工厂。该公司的300mm晶圆厂和200mm晶圆厂提供从主流到前沿的全系列制程技术。格芯的制造业务遍及全球，而格芯位于美国，欧洲和亚洲的半导体业务中心的大量的研发和设计实现人员为格芯的全球制造业务提供全面的支持。格芯由Mubadala Development Company拥有。欲了解更多信息，请访问https://www.globalfoundries.com。 联系人： Jason Gorss 电话：（518）698-7765 [email protected]
英威达和GLOBALFOUNDRIES宣布为高性能计算、网络和高端移动应用提供先进的14nm FinFET设计IP库 2016年9月28日来自英威达的经过硅验证和优化的IP现在可供代工客户在GLOBALFOUNDRIES 14LPP工艺上使用。 2016年9月28日，加州圣克拉拉--领先的IP、ASIC和嵌入式软件解决方案供应商英威达公司与GF今天宣布推出适用于GF 14nm FinFET技术的基础IP。英威达提供的经过硅验证的IP针对高性能 "全时 "应用的性能、功耗和面积要求进行了优化，如高端智能手机、网络、服务器和图形处理器。这种应用定制库使客户能够快速开发出高性能和高功率的系统。 英威达IP利用FinFET的优势，在更小的空间内为最苛刻的应用提供更多的处理能力。全面的IP组合包括基础IP，如通用I/O（GPIO）、存储器、标准单元库，以及全套接口和模拟IP解决方案。 "GF产品管理高级副总裁Alain Mutricy表示："GF的14LPP为寻求产品差异化和加快复杂技术设计量产的客户提供了经过硅验证的解决方案。"我们通过与英威达这样的生态系统合作伙伴的早期合作，进一步加强我们的技术，以确保拥有低风险、经过硅验证和高效设计战略的强大基础设施。我们与英威达的战略合作关系为我们的客户提供了14LPP性能和功率优化的IP平台，将他们的SoC设计推向新的高度，并为广泛的应用提供最高性能的芯片。" "英威达公司董事长兼首席执行官Dasaradha Gude表示："英威达致力于通过在GF工艺上提供优化的IP和硅实现服务来克服SoC设计挑战。"通过将我们成熟的系统级专业技术与GF先进的14纳米FinFET技术相结合，我们在为计算、通信、移动和汽车市场提供完整解决方案方面具有独特的优势。" 英威达将于9月29日在德国慕尼黑的Sofitel Munich Bayerpost举行的GF技术大会（GTC）上展示其经过硅验证的IP解决方案。 关于英威达 英威达通过其在美国和印度的开发中心为GF客户提供半导体IP和硅实现服务。该公司在提供高性能和高功率的IP方面有着良好的记录，并一直在前沿工艺上的多项设计中取得首次成功。欲了解更多信息，请访问：https://www.invecas.com。 关于GF GF是世界上第一家提供全面服务的半导体代工企业，其业务范围真正覆盖全球。该公司于2009年3月启动，迅速形成规模，成为世界上最大的代工厂之一，为250多家客户提供先进技术和制造的独特组合。通过在新加坡、德国和美国的运营，GF是唯一一家能够提供跨越三大洲的制造中心的灵活性和安全性的代工厂。公司的300毫米晶圆厂和200毫米晶圆厂提供从主流到前沿的全部工艺技术。这一全球制造足迹得到了位于美国、欧洲和亚洲的半导体活动中心附近的主要研究、开发和设计设施的支持。GF为穆巴达拉发展公司所有。欲了解更多信息，请访问https://www.globalfoundries.com。 联系方式：Erica McGillGF(518) 305-5978[email protected]
使用 Snap Circuits 套装开展活动 2016 年 9 月 26 日 作者：费尔南多-瓜林 一点（或一个字节）历史 2006 年，我在 IBM 开始指导学生使用 Snap Circuits 时，我们正在寻找能够向学生传达电气工程师日常工作的创意活动。我们开始在 "工程师周 "访问当地学校时使用这些工具包，后来又扩展到暑期为女生举办的为期一周的夏令营。自 2008 年起，我将参与指导的范围扩大到了电气和电子工程师协会的电子器件学会 (EDS)，并在该组织的支持下，与许多工程师合作，通过一项名为 EDS-ETC（工程师展示科学：工程师与教师的联系）的全球指导计划来启发年轻人的思维。该计划于 2010 年正式推出，是在纽约州罗切斯特、博伊西和中哈德逊河谷分会志愿者的帮助下设计的。这些热心的志愿者与当地四年级至十二年级的科学教师合作进行了初步评估。在项目的第一阶段，向美国各分会提供了 Snap Circuits 套件。 此后不久，该计划扩展到全球各地的 EDS 分会，IEEE 所有地区都参与其中，当地 EDS 分会的学生成员也积极参与其中。现在，各分会获得免费工具包的唯一要求是提交一份计划，说明他们打算如何使用这些工具包。2015 年，9000 多名青年学生参加了世界各地的 130 多场活动 与众不同的工程 该计划的主要目标是使分会成员能够访问当地学校并举办活动，让青少年学生参与到电气工程领域中来。通过使用简单易用的 Snap Circuit Kits，学生们可以通过 "动手 "的方式学习电子电路知识，体验电子领域令人兴奋的创造性。我们希望鼓励他们将电气和电子工程作为自己的职业。这一多功能工具以及 EDS 志愿者的热情和专业知识已被用于展示多种应用，并激励青少年学生进入激动人心的电子设备领域。为了改变世界，我们需要从自己的社区和当地学校做起。我们需要与当地政府和工业界合作，激励下一代工程师和科学家努力解决我们在世界上面临的最紧迫的挑战--清洁水、风力/波浪/水力发电、光伏/太阳能电池、废物管理、地热、能源作物、能源采集、医疗保健等等。下一代工程师将有大量的工作要做。先进制造商开发并提供给客户的技术将塑造未来。我们每个人都需要贡献自己的力量，通过与年轻人分享我们的知识，让工程师的队伍不断壮大，从而确保我们的地球拥有光明的未来。今天就参与进来吧！向你的雇主了解现有的教育推广计划。组织一次创客嘉年华，或与当地教师和同事合作，启动一项指导计划。Snap Circuits 套件是让各年龄段学生参与其中的好方法。其他选择包括Raspberry Pi™、Arduino™等！单击此处了解有关 IEEE EDS-ETC 计划的更多信息并观看相关视频。
FDX "非利基 "技术 2016 年 9 月 22 日作者：戴夫-拉默斯 在 GLOBALFOUNDRIES 全耗尽型 SOI 技术宣称的所有数字中，我印象最深的是 39。这是制造 22 纳米全耗尽型 SOI 芯片所需的掩膜层数，该芯片有 8 层金属层。FDX™ 项目总监杰米-谢弗（Jamie Schaeffer）说，与之相比，采用 FinFET 晶体管的同类芯片需要 60 层掩膜。当然，FinFET 和 FD-SOI 技术之间的比较是不精确的。两种技术各有千秋。对于 FD-SOI，起始 SOI 晶圆的成本是块状晶圆的数倍。驱动电流也有差异。但考虑到多出的 21 层掩膜代表了多少个精细的鳍片创建蚀刻步骤，多少次通过昂贵的扫描仪。这样一来，FD-SOI 的成本优势就开始变得明显了，而这些优势在块状平面技术和 SOI 平面技术竞争时并不存在。 对连续性的关注 22FDX® 设计目前正在制作原型，2017 年第一季度将进行风险生产。最近宣布的 12FDX™ 技术将于 2019 年投入商业生产。VLSI Research Inc. 首席执行官 Dan Hutcheson对六家芯片公司、六家 EDA 和 IP 供应商以及两所大学的75 位决策者进行了调查，发现他们关注的问题之一是连续性。"调查中表达的问题之一是'有未来吗？他们希望确保 FD-SOI 技术有下一个节点"。Schaeffer 还强调了继承因素的重要性。"他说："整合了 22FDX 和 12FDX 的整个 FDX 路线图为 FinFET 提供了一条互补之路。不过，当我问到一个问题，暗示处理器和图形芯片仍将是 FinFET 领域的主要产品时，Schaeffer 略有不悦，因为 FDX 非常适合那些没有足够资源处理 FinFET 项目的设计团队。"他回答说："我们不是把它作为一项利基技术来做。"我们瞄准的是大批量生产的机会--收发器、WiFi、视觉处理和汽车。Schaeffer 说："我们打算在德累斯顿的 1 号工厂大量生产，并已从产能角度制定了计划。 GLOBALFOUNDRIES 22FDX 由欧洲最大的 300mm 工厂制造 收发器是 FDX 计划的关键。22FDX 晶体管的最大Fmax为 325 GHz，能够满足新兴的 5G 蜂窝规范。Schaeffer 说，22FDX 和 12FDX 技术提供了 "将毫米波收发器与 ADC、DAC 和数字基带集成的独特机会。FinFET 可提供数字扩展，但无法提供毫米波频率所需的射频性能。在物联网市场，FDX 技术可支持集成了低功耗无线功能的微控制器 SoC。它还可用于基于新千兆位级 WiFi 标准的产品。而根据 5G 蜂窝标准的确定速度，以及它与未来辅助驾驶汽车的匹配程度，FDX 可能会在汽车领域大显身手。 模拟友好型 Hutcheson 说，在他进行VLSI Research 调查并与器件物理学家讨论 FinFET 和 SOI 晶体管的相对优点之前，他对 SOI 持怀疑态度。"当我们对设计工程师进行调查时，他们说就模拟而言，SOI 比 FinFET 好得多。ChipWorks（渥太华）公司高级研究员迪克-詹姆斯（Dick James）说，模拟设计人员依赖于调整晶体管宽度的能力。对于基于 FinFET 的电路，设计人员需要处理 "量化的晶体管宽度"，通过使用多个鳍片来调整晶体管宽度。"James说："有了平面晶体管，模拟设计人员就可以通过在任何地方放置更宽的晶体管来调整电路。关于功耗的争论也倾向于 SOI，James 说。有了埋入式氧化层（BOX），"理论上每个晶体管都可以被绝缘层包围，这有助于控制漏电和寄生。他说，背偏压还可以通过提高阈值电压和适当降低漏电来控制功率。关于块状 FinFET 与 SOI 技术优劣的争论已经持续了几十年，1998 年夏天，当 IBM 正式宣布将在其服务器处理器中采用 SOI 技术时，争论变得更加激烈。英特尔坚决支持其继续采用体硅技术，最终导致了 FinFET 的出现，在过去十年的大部分时间里，FinFET 一直占据着中心位置。现在，关于 FD-SOI 还是 FinFET 的争论--两者在当今技术领域的定位--达到了一个新的激烈程度，并将在市场上上演。 但为什么是 22？为什么不叫 FDX20？为什么是 12 纳米，而不是别人喜欢的 10 纳米？这又回到了生产成本问题上。Schaeffer 说，采用 22 纳米设计规则，单通道图案化就足够了。不需要双图案化。而在 12 纳米工艺中，双层图案化可以完成关键层的工作，无需三层或四层图案化。就是这样。FDX 有 39 个掩膜层，在低功耗条件下具有出色的载波频率，可作为 FinFET 的替代品，特别是在重视晶体管密度和良好射频性能的市场中。让竞争开始吧。
格芯将提供行业领先高性能产品—7纳米FinFET技术 September 15, 2016公司为追求终极处理能力的产品拓展了它领先的规划路线图 加州 圣克拉拉，2016年9月15日 — 格芯今天宣布了为下一个时代的计算机应用提供具有终极性能的领先的7纳米FinFET半导体技术的计划。此技术可以为数据中心、网络、顶级移动处理器、深度机器学习应用提供更高的运算处理能力。 对比与现今16/14nm代工厂FinFET产品，格芯的全新7纳米FinFET预期将提供两倍的逻辑密度和30%的性能增长。平台基于工业标准FinFET晶体管结构和光学刻印技术，配备在关键层次的EUV匹配能力。此方案将通过大量重复利用公司14纳米FinFET技术的制程和工具来进行加速生产。14纳米FinFET技术现于纽约州萨拉托加的8号晶圆厂以投入大批量生产。格芯计划额外投入数十亿美元在8号晶圆厂以实施7纳米FinFET生产。 “格芯在从14纳米直接跳跃到7纳米，这一技术上的大胆的决定得到了很多领先半导体公司的支持，特别是当他们知道成本高昂的10纳米技术只能带来有限的性能和功率优势”，TIRIAS研究公司的创办人及分析部主任Jim McGregor说道。“如同28纳米与16/14纳米制程节点，7纳米技术至少在下一个10年内将成为主要节点，并将被整个半导体行业大量使用。” “对于加强下一代计算机体验的计算和图像产品规划来说，类似格芯7纳米FinFET这样的领先技术是关键因素，”AMD主席及总裁Lisa Su博士说道。“我们渴望与格芯继续密切合作，并期待见证格芯在近几年将14纳米技术中展现出的可靠执行与技术基础延续到7纳米技术上。” “IBM承诺，将推动半导体科技的极限作为积极长期研究的计划，并提上战略日程。”IBM研究中心高级副总裁 Arvind Krishna说道，“IBM研究中心持续与格芯合作开发新概念、新技巧与新科技，并一起加速我们在7纳米技术和将来的共同研究。” 格芯将展示一个全面的且富有竞争力，并能与制程开发一同优化的IP库。为使客户加快对7纳米技术的采用，格芯拓展了它的战略合作伙伴范围，现与INVECAS建立合作关系，合作范围超越14LPP和FDX™制程，现已涵盖了7纳米制程技术的铸造IP开发。这将为客户建立符合性能、功耗、面积需求的早期设计提供了坚实的基础。 基于在14LPP技术平台的成功，格芯的7纳米FinFET技术定位于推动下一代的计算应用，满足对超高性能的需求，其应用范围包括高端移动SoC 和云服务器处理器及网络基建。公司的高性能产品得到22FDX® 和12FDX™的增强，而这两项技术都已达到下一代智能连接设备对超低功耗的要求， 此类设备用于移动计算，5G连接，人工智能以及无人驾驶技术。 格芯的7纳米FinFET将得到完整的基础平台和复杂的IP，包括ASIC产品。实验芯片与来自高端客户的IP已经在8号晶圆厂投入运行。本技术预计将于2017年下半年可用于客户产品设计，将于2018年早期投入风险生产。 关于格芯 格芯是世界上第一个具有真正意义上足迹遍布全球的全方位服务晶圆制造商。该公司于2009年3月成名，并迅速实现了规模化，成为世界最大的晶圆生产商之一，为250多个客户提供先进技术和独特制造的组合。格芯在新加坡，德国和美国经营，是唯一提供跨越全球三大洲的制造中心，并提供的足够灵活性和高度安全性的代工厂。该公司的300mm晶圆厂和200mm晶圆厂提供从主流到前沿的全系列制程技术。格芯的制造业务遍及全球，而格芯位于美国，欧洲和亚洲的半导体业务中心的大量的研发和设计实现人员为格芯的全球制造业务提供全面的支持。格芯由Mubadala Development Company拥有。欲了解更多信息，请访问https://www.globalfoundries.com。
格芯在22FDX®平台启动嵌入式MRAM September 15, 2016高性能嵌入式非易失性内存方案，是物联网汽车自动化领域新兴应用的完美选择 加州圣克拉拉，2016年9月15日—格芯今天介绍了可进化的嵌入式磁阻性非易失性内存技术（eMRAM），基于22FDX®平台，提供比现在的NVM产品快1000倍的写入速度和高1000倍的耐用性。在维持企业领先的eMRAM存储单元大小的同时，22FDX®具备了可以在260°C（在工业级别的可操作温度）回流焊接下维持数据的能力。 格芯的eMRAM将在22FDX®平台发布，应用了业内第一个22纳米耗尽时绝缘体上硅（FD-SOI）技术。具备多样性的eMRAM技术是为了代码储存（闪存）和工作内存（SRAM）设计，启用了超高效内存子系统，该子系统可在没有能量和性能损失的情况下多次重复启动。FDX™ 和 eMRAM的低功耗和有效的射频连接性IP，使22 FDX™成为电池供电的物联网产品与汽车自动化MCU的理想平台。 “客户正在寻求高效非易失性内存方案，以增加自己产品的能力，”格芯CMOS平台业务部高级副总裁Gregg Barltlett说道，“22FDX™ eMRAM的出现使系统设计者具备新的能力，将更好的功能实现在他们的MCU和SoC上，还能增进性能和功耗的表现。” 无人汽车的出现极大推动了一系列的需求，包括对芯片对内存性能的需求，这些更好的内存性能主要用于实时图像处理，高精度和连续性3D拓录数据和下一代无线更新的汽车自动化MCU。格芯的eMRAM利用独特的方法解决了此些高级驾驶辅助系统(ADAS)的要求，合并比SRAM更高密度的内存、快速写入、超高耐用性和非易失性功能，这些都只有磁阻型内存才能做到。 “新型非易失性内存正从研究阶段走向生产，”Coughlin联合公司主席Thomas Coughlin说道，“格芯的22FDX™ eMRAM将提供SoC能力上的极大的进步，利用了嵌入式MRAM的关键性能属性。电池供电的IoT设备、汽车MCU和SoC及SSD储存控制器的设计者必然会渴望利用此多样化嵌入式NVM技术的优势。” 格芯22FDX™ eMRAM的出现，是公司与MRAM界的先驱Everspin技术公司多年合作的成果。双方的合作已在2016年8月为世界提供了最高密度的ST-MRAM—Everspin的256兆DDR3处置磁场通道结型（pMJT）产品，此产品现已在格芯准备投入大批量生产。 格芯的22FDX™ eMRAM现正处于开发阶段，客户试用原型机预计于2017年问世，并于2018年投入量产。格芯的eMRAM比22纳米有更好的可扩展性，预期将在FinFET和未来的FDX平台推出。
GLOBALFOUNDRIES将提供业界领先的7nm FinFET技术产品 2016年9月15日公司为需要终极处理能力的产品扩展了其领先的路线图 2016年9月15日，加利福尼亚州圣克拉拉市--环球方德公司今天宣布计划提供一种新的领先的7纳米FinFET半导体技术，将为下一个时代的计算应用提供终极性能。这项技术为数据中心、网络、优质移动处理器和深度学习应用提供更多的处理能力。 与目前16/14纳米代工的FinFET产品相比，GF新的7纳米FinFET技术有望实现两倍以上的逻辑密度和30%的性能提升。该平台以行业标准的FinFET晶体管架构和光学光刻技术为基础，在关键层面上兼容EUV。这种方法将通过大量重复使用公司14纳米FinFET技术的工具和工艺来加快生产速度，该技术目前正在位于纽约州萨拉托加县的Fab 8园区进行批量生产。 "GF首席执行官Sanjay Jha表示："业界正趋向于将7纳米FinFET作为下一个长寿命节点，这对GF来说是一个独特的机会，可以在领先的位置上进行竞争。"通过利用我们多年来制造高性能芯片的经验、前IBM微电子公司同事的才能和技术以及我们研究联盟的世界级研发管道，我们完全有能力提供与众不同的7nm FinFET技术。没有其他晶圆厂能与这种制造高性能芯片的传统相提并论。" "TIRIAS Research创始人兼首席分析师Jim McGregor说："GF做出了一个大胆的决定，从14纳米直接跳到7纳米--这个决定现在得到了几家领先的半导体公司的支持，因为他们认为10纳米工艺节点的高成本只能带来微弱的性能和功率优势。"与28纳米和16/14纳米工艺节点一样，7纳米似乎是下一个主要的工艺节点，至少在未来十年将被整个半导体行业广泛利用。" "AMD总裁兼首席执行官Lisa Su博士表示："像GF 7纳米FinFET这样的领先技术是我们提供计算和图形产品长期路线图的一个重要部分，这些产品能够为下一代计算体验提供动力。"我们期待着继续与GF密切合作，因为他们将在14纳米建立的坚实的执行和技术基础扩展到未来几年部署高性能、低功耗的7纳米技术。" "作为其积极的长期研究议程的一部分，IBM致力于推动半导体技术的极限，"IBM研究院高级副总裁兼总监Arvind Krishna说。"IBM研究院继续与GF合作，开发新的想法、新的技能和新的技术，这将有助于加速我们在7纳米技术及以后的联合研究。" GF将提供一个全面的、有竞争力的IP库，与工艺开发共同优化。为使客户加速采用7纳米FinFET技术，GF已将其与英威达的战略合作关系扩大到14LPP和FDX™工艺之外，现在还包括7纳米工艺技术的代工IP开发。这将为客户打下坚实的基础，以建立符合其性能、功率和面积要求的早期设计。 "英威达首席执行官Dasaradha Gude表示："英威达专门为GF的客户提供无与伦比的IP解决方案、ASIC和设计服务，这些服务涵盖了GF领先的FinFET和FDX工艺的广泛范围。"我们与GF的战略伙伴关系与我们量身定制的代工IP模型相结合，使我们能够开发出7纳米FinFET工艺基础IP，满足7纳米客户领先应用的挑战性性能要求。" 在其14LPP技术平台的成功基础上，GF的7纳米FinFET技术定位于实现需要超高性能的下一代计算应用，从高端移动SoC到云服务器和网络基础设施的处理器。公司的高性能产品得到了22FDX®和12FDX™技术的补充，这些技术的开发是为了满足下一代智能互联设备的超低功耗要求，从移动计算和5G连接到人工智能和自主车辆。 GF的7纳米FinFET技术将得到一个完整的基础和复杂的知识产权（IP）平台的支持，包括一个特定应用集成电路（ASIC）产品。带有领先客户的IP的测试芯片已经开始在8号工厂运行。该技术预计将在2017年下半年开始为客户的产品设计做好准备，并在2018年初进入风险生产阶段。 关于GF GF是世界上第一家提供全面服务的半导体代工企业，其业务范围真正覆盖全球。该公司于2009年3月启动，迅速形成规模，成为世界上最大的代工厂之一，为250多家客户提供先进技术和制造的独特组合。通过在新加坡、德国和美国的运营，GF是唯一一家能够提供跨越三大洲的制造中心的灵活性和安全性的代工厂。公司的300毫米晶圆厂和200毫米晶圆厂提供从主流到前沿的全部工艺技术。这一全球制造足迹得到了位于美国、欧洲和亚洲的半导体活动中心附近的主要研究、开发和设计设施的支持。GF为穆巴达拉发展公司所有。欲了解更多信息，请访问https://www.globalfoundries.com。 联系方式：Jason GorssGF(518) 698-7765[email protected]
