GF业界领先的RF SOI技术被用于高增长、大批量的无线和WiFi市场。它们针对低功耗、低噪音和低延迟/高频率的应用进行了优化,使移动应用的电池寿命更长,蜂窝信号质量更高。硅绝缘体(SOI)技术被广泛用于蜂窝/WiFi射频前端模块(FEM),因为它具有低寄生电容和与基材的良好隔离。这些射频SOI技术在主要制造商的大多数蜂窝手机和蜂窝地面站收发器中都可以找到。

  • 在RF FE、音频和NFC领域,GF在顶级智能手机中拥有75%的硅片面积。
  • 已经向业界领先的FEM IC公司运送了数十亿的芯片
  • 首个完全合格的300毫米晶圆上的大批量射频SOI代工解决方案
  • Excellent switch performance (Ron*Coff<110 fs) featuring LNA-optimized device with a transmission frequency up to 112 GHz, and dual oxide and trap rich substrate options
  • 低噪声系数(LNA>200),具有高线性度和功率处理能力,可在广泛的范围内实现高射频接收器灵敏度和改善信号质量