利用 GF 的射频 SOI 技术将您的产品带入无线未来 您的客户希望随时随地都能获得闪电般快速的下载和可靠的连接。市场上大多数智能手机都采用了射频 SOI 技术，以满足这些期望。GF 与顶级射频设计公司合作，提供业界领先的射频 SOI 技术，这些技术经过优化，可为各种射频应用提供低功耗、低噪声和低延迟，同时还能提供更长的电池寿命和更高的信号质量。 GF 芯片可在 大多数 智能手机 行业首个 大容量射频 上的 SOI 解决方案 300 毫米晶圆 精确射频 的模型 First-time-right 设计 专注于射频有限元设计 凭借丰富的产品组合和在射频 SOI 开发领域的悠久历史，GF 致力于应对射频前端模块设计的挑战并支持客户所需的性能。 经过生产验证的建模和 PDK 可实现出色的模型与硬件相关性 (MHC) Low power and high flexibility with leading switch performance of Ron*Coff<60fs, and featuring LNA-optimized devices with a transmission frequency up to 112 GHz 全铜互连以及双氧化物和富阱基底选项提高了功率处理能力 噪声系数低、线性度高、功率处理能力强，可实现较高的射频接收器灵敏度，并在较大范围内改善信号质量 Low voltage (<3.5V) standard cell libraries for minimized power consumption and extended battery life 与射频 SOI 的连接 GF 业界领先的射频 SOI 为高增长、高容量的蜂窝和 WiFi 市场提供了高能效、高灵活性的解决方案。GF 针对低功耗、低噪声和低延迟应用进行了优化，可为用户提供更长的电池寿命和更远的距离，以及更高的蜂窝信号质量。 是高增长、大容量蜂窝电话和 WiFi 市场的理想之选 领先的交换机和 LNA 性能，适用于 4G、LTE、5G sub-6GHz 和 WiFi 应用 业界领先的噪音隔离和谐波抑制功能，可实现高质量、无干扰的连接 毫米波 FEM 中集成了多个射频元件，可实现卓越的传输功率 首个采用 300mm 晶圆的大批量射频 SOI 代工解决方案，已向行业领先的 FEM IC 公司交付了数十亿颗芯片 用于首次正确设计的 PDK 和 IP 利用 GF 射频 PDK 快速高效地创建优化的集成电路。GF 通过多种参考设计流程提供卓越的 MHC 结果，帮助客户设计复杂的集成电路产品。 利用久经考验、业界领先的射频 PDK 设计出第一时间正确的产品 通过内部和第三方设计 IP 获取经过验证和硅验证的 IP 精通射频 SW/LNA 设计，可提高可靠性并缩短产品上市时间 进一步了解我们的专用技术平台 用户连接 移动用户体验的基础 阅读更多 家庭物联网 安全、互联、节能的物联网解决方案。 阅读更多 硅锗 大功率功能的可靠技术 阅读更多 联系我们
