使用 GF 存储器为您的所有嵌入式应用提供出色的可靠性和久经考验的可制造性 您的客户对存储器的需求从未如此之高，而 GF 将帮助您满足这些期望。在合格的 IP 设计合作伙伴和经验丰富的内部宏设计和测试优化人员的支持下，GF 可提供各种节点的闪存和 MRAM 存储器技术，以满足您的应用需求。 生产就绪 嵌入式存储器 久经考验的十年 可靠性 灵活 综合 闪光灯 自 2008 年投产以来，GF 的高性能嵌入式闪存具有耐用性和可扩展性，是汽车、工业、物联网和智能卡市场各种应用的可靠存储器选择。 高度可靠、久经考验的技术，可用于 28、40、55 和 130 纳米工艺节点，具有业内最低的 28 纳米掩模数 在 40、55 和 130 纳米上达到 1 级自动认证标准，还可与 130 BCD 和 55 BCDLite® 电源管理技术结合使用 与射频和 ULL/ULP 模块集成在一起 设计、测试和包装交钥匙服务 MRAM 利用 MRAM 为要求最苛刻的应用提供多功能数据和代码存储。 可靠性最高的存储器和极具竞争力的低误码率 完全集成到 22FDX® 技术与 MRAM 的批量生产中 提供宏观设计服务，重点关注物联网属性，包括待机功耗和深度睡眠唤醒时间 支持耐极端温度和辐射的设计，是物联网、存储和代码应用的理想之选 汽车 推动软件定义未来的创新 家庭物联网 安全、互联、节能的物联网解决方案 工业物联网 当前和未来工业应用的安全性和可靠性 联系我们
