一个提供最佳性能的标志性平台。 GF专有的FDX™工艺技术平台，基于全耗尽的绝缘体上的硅技术，非常适用于数字和模拟信号的高效单芯片集成，为互联和低功耗的嵌入式应用提供高性价比。此外，超低功耗、超低漏电、射频和毫米波、嵌入式非易失性存储器和汽车资质等全方位的特性使FDX工艺技术平台特别适合于物联网/无线、5G（包括毫米波）、汽车雷达和卫星通信应用。 在一个芯片中集成多达5个芯片（射频FE、电源管理、音频、边缘AI计算、传感器中心和WiFi/蓝牙组合--用于TWS应用（真无线立体声）。 性能/功率比。 多达50%的性能 功率最多可降低70% (注：所有数据都是与22纳米CMOS工艺相比的。) Body bias/back-gate leveraging ultra-low power SRAM (1pA/cell), <0.6V for operation and <0.5V for retention, to further reduce power consumption for power-sensitive edge applications 获得广泛的高质量GF合作伙伴解决方案和服务，如设计工具、设计咨询、参考架构、产品封装和测试服务，以及EDA和IP解决方案，以获得更多的差异化优势。
