FDX™ FD-SOI

集高性能和超低功耗于一身

专为边缘互联智能而设计

您已经为自己的产品设想了高性能、低功耗的设计。现在是将其变为现实的时候了。GF 的 FDX 平台提供全面的 SoC 集成,包括数字、模拟和高性能射频信号范围。当您无法在超低功耗和性能之间做出妥协时,22FDX® 平台可提供多功能 SoC。

全系统芯片

整合

适应性

体偏压

超低功耗

响应性和

可靠的无线

连通性

通过集成实现系统功率最大化和材料成本最小化

利用 GF 的 FDX 平台创建集成的低功耗、高性能设计。FDX 平台具有广泛、灵活的设计功能,可实现 SoC 集成和最佳 PPA。

  • 通过在一个芯片上集成多达五个芯片(数字、模拟、射频、电源和非易失性存储器),在更小的面积上实现性能最大化
  • 与其他平面 CMOS 技术相比,性能最多可提高 50%,功耗最多可降低 70
  • 用于功率放大器和电源管理的集成 LDMOS
  • 稳健的嵌入式 eNVM
  • 获得汽车一级和二级资质

采用自适应体偏压的超低功耗,实现动态功耗-性能权衡

通过自适应体偏压,GF 的 FDX 技术可动态调整以尽可能低的电压工作,从而实现当今苛刻应用所需的超低功耗和高性能。

  • 超低功耗能力,VDD 低至 0.4V
  • Ultra-low leakage architecture with ~1 pA/μ leakage thin-oxide transistors and <1 pA/cell retention current memories
  • 在频率相同的情况下,功率最多可降低 60%,或在功率相同的情况下,性能最多可提高 30%。

反应灵敏、可靠的无线连接

使用 22FDX RF,可获得反应灵敏、可靠的无线连接,从而减少掉线、加快下载速度并减少缓冲。

  • fT >350GHz、fmax >400GHz 的射频晶体管
  • 噪声系数 (NFmin) 低至 0.20dB
  • 超厚金属层可将射频损耗降至最低
  • 经代工厂认证的全套器件,实现射频和毫米波应用的快速上市