FDX™ FD-SOI

一个提供最佳性能的标志性平台

GF专有的FDX™工艺技术平台基于全耗尽的绝缘体上的硅技术非常适用于数字和模拟信号的高效单芯片集成为互联和低功耗的嵌入式应用提供高性价比。此外,超低功耗、超低漏电、射频和毫米波、嵌入式非易失性存储器和汽车资质等全方位的特性使FDX工艺技术平台特别适合于物联网/无线、5G(包括毫米波)、汽车雷达和卫星通信应用。

  • 在一个芯片中集成多达5个芯片(射频FE、电源管理、音频、边缘AI计算、传感器中心和WiFi/蓝牙组合--用于TWS应用(真无线立体声)。
  • 性能/功率比。
    • 多达50%的性能
    • 功率最多可降低70%
    • (注:所有数据都是与22纳米CMOS工艺相比的。)
  • Body bias/back-gate leveraging ultra-low power SRAM (1pA/cell), <0.6V for operation and <0.5V for retention, to further reduce power consumption for power-sensitive edge applications
  • 获得广泛的高质量GF合作伙伴解决方案和服务,如设计工具、设计咨询、参考架构、产品封装和测试服务,以及EDA和IP解决方案,以获得更多的差异化优势。