你所想象的所有功率和性能，通过GF的SiGe实现。 GF的高性能硅锗(SiGe)双极CMOS(BiCMOS)技术为功率放大器应用和非常高的频率应用进行了独特的优化，用于光学和无线网络、卫星通信和通信基础设施。经过硅验证的硅锗解决方案使客户能够在行业领先的硅技术基础上最大限度地提高性能，并集成广泛的数字和射频功能。 最高fmax的SiGe BiCMOS晶圆代工工艺在400GHz下量产，并制定了1THz的路线图 SiGe PA在WiFi PA中成功应用了10年以上，出货量达数十亿件 SiGE惠普技术旨在提供下一代硬件的芯片所需的速度、性能和带宽
