通过 GF SiGe 实现您所想象的所有信号功率和性能 您的设计所需的可靠、大功率信号功能，全部集中在一个芯片上。基于 SiGe 的芯片出货量已超过 40 亿颗，GF 拥有丰富的经验，可帮助您构建设计，实现设备所需的速度、带宽和数字功能。当您希望将创新付诸实践时--可靠而强大--请相信 GF。 SiGe on 200 毫米晶圆 几十年来 作为 原始 SiGe 开发者 GF 最 经过生产验证的 技术 大功率功能的可靠技术 作为在 200 毫米晶圆上制造 SiGe 技术的唯一代工厂之一，GF 提供的集成平台可满足现代技术对功率、性能和可靠性的要求。 针对功率放大器应用、甚高频光学和无线网络应用、卫星通信和通信基础设施进行了独特优化 PDK 利用了 GF 专家数十年来作为原始开发人员和将 SiGe 带入大批量生产的人员所积累的经验 未来优势包括高能效、低寄生、高速度和高带宽、低噪声和高频率性能 在高效硅平台上实现业界领先的功率和性能、集成射频和数字功能 创新、灵活、全面的设计功能，提供全套数字库和集成，适用于复杂的混合信号解决方案 用于移动基础设施和射频性能的锗硅功率放大器 SiGe PA 是一系列硅功率放大器平台，针对移动和固定射频应用的集成和性能进行了优化。 SiGe 功率放大器在 WiFi 功率放大器中的成功应用已超过 10 年，设备出货量达数十亿台 5PAe 和 5PAx 平台采用高线性设计，便于协同设计，可为独立 WiFi 和蜂窝功率放大器应用提供综合价值和性能 1KW5PAe 和 1KPAx 对性能和集成度进行了优化，可在单个芯片上实现功率放大器、射频开关和低噪声放大器 高电阻率基底产品可在单个芯片上集成多种射频功能 SiGe HP 技术实现最佳高性能设计 凭借数十年的丰富经验，GF 的 SiGe HP 技术具有广泛的数字和射频功能，可满足数字和射频应用的新要求。 毫米波功能、卓越的低噪声和高频性能以及先进的异质结双极晶体管满足了射频和数字应用的新要求 辅以端到端设计支持、原型开发服务、射频网络支持和先进制造技术 9HP 技术平台具有最高的 fT/fMAX 性能，与 130 纳米 SiGe HP 选项相比，集成密度最高可提高 50 130 纳米 SiGe 平台实现了 HBT 性能、栅极密度和成本之间的平衡 用户连接 移动用户体验的基础 通信基础设施和数据中心 面向未来的数据处理和移动 射频 SOI 提升射频性能、信号功率和可靠性 联系我们
