Aquantia kündigt bahnbrechende 100G-Technologie für Hyperscale-Rechenzentren und Cloud Computing-Umgebungen an Oktober 24, 2016Zusammenarbeit mit GLOBALFOUNDRIES zur Erweiterung von Kupferverbindungen auf 100G-Bandbreite und damit zur Senkung der Kosten für Hochleistungskonnektivität in Rechenzentren NACHRICHTEN-HIGHLIGHTS Die neue QuantumStream™-Technologie von Aquantia bietet die weltweit erste Single-Lane 100Gbit/s Direct-Attach-Lösung, die die branchenweit leistungsfähigsten 56Gbit/s SerDes von GF nutzt. QuantumStream™ wird durch Aquantias bewährte und patentierte architektonische Innovationen in der Interconnect-Technologie ermöglicht und liefert eine extrem niedrige Latenzleistung, die für Hyperscale-Architekturen der nächsten Generation entscheidend ist. Die Zusammenarbeit von Aquantia und GF ermöglicht Ethernet Direct-Attach Cable-Verbindungen mit bis zu 800 Gbit/s. Die Zusammenarbeit umfasst die Lizenzierung von Aquantias QuantumStream™ IP an GF, wodurch das Ökosystem der Produkte erweitert und die Revolution des Cloud Computing fortgesetzt wird. San Jose, Kalifornien, 24. Oktober 2016 - Aquantia Corp., Pionier und Marktführer bei Hochgeschwindigkeits-Ethernet-Konnektivitätslösungen für Rechenzentren und Unternehmensinfrastrukturen, stellte heute die QuantumStream™-Technologie vor, eine neue Klasse von Hochleistungs-Konnektivitätsarchitekturen, die das Potenzial haben, die nächste Generation von Hyperscale-Rechenzentren zu revolutionieren. Die QuantumStream™-Technologie, die von Aquantia im Rahmen einer strategischen Zusammenarbeit mit GF entwickelt wird, schafft eine vollelektrische Technologie mit einer Bandbreite von 100 Gbit/s, die Netzwerkanwendungen eine niedrige Latenzzeit bietet. Die Technologie von Aquantia bietet einen Quantensprung in der Bandbreitenleistung im Vergleich zu einer einzelnen Kupferspur, von der man bisher annahm, dass sie nur für optische Techniken geeignet sei. Die Verfügbarkeit dieser Technologie wird es Systemanbietern und Betreibern von Rechenzentren ermöglichen, in Hyperscale-Architekturen auf höhere Leistung und neuere Topologien zu setzen und gleichzeitig die Zuverlässigkeit, die niedrigen Kosten und die Benutzerfreundlichkeit von elektrisch basierten Verbindungen beizubehalten. Die QuantumStream™-Technologie ist für Verbindungen zwischen und innerhalb von Racks mit einer Länge von bis zu 3 Metern gedacht und ergänzt die in Hyperscale-Rechenzentren verwendeten optischen Verbindungslösungen mit größerer Reichweite. "Als leitender Ingenieur für globale Infrastrukturarchitektur und -strategie bei LinkedIn konzentriere ich mich auf die Entwicklung von Rechenzentren der nächsten Generation. Ich bin seit langem davon überzeugt, dass 100G-Konnektivität weit verbreitet sein wird, wenn ein Preis von einem Dollar pro Gigabit pro Sekunde für optische Verbindungen erreicht wird", sagte Yuval Bachar. "Aquantia hat eine sehr innovative 100G-Technologie entwickelt, die niedrigere Kosten pro Gigabit bei der Nutzung von Kupferverbindungen ermöglicht. Niedrigere Preise werden die Wirtschaftlichkeit der In-Rack-Konnektivität in hochskalierten Rechenzentren verändern, was natürlich für alle von großem Interesse ist, die auf einem beschleunigten Pfad innerhalb des Racks weniger als einen Dollar pro 1Gbit/s erreichen wollen." "Als leitender Ingenieur für globale Infrastrukturarchitektur und -strategie bei LinkedIn konzentriere ich mich auf die Entwicklung von Rechenzentren der nächsten Generation. Ich bin seit langem davon überzeugt, dass 100G-Konnektivität weit verbreitet sein wird, wenn ein Preis von einem Dollar pro Gigabit pro Sekunde für optische Verbindungen erreicht wird", sagte Yuval Bachar. "Aquantia hat eine sehr innovative 100G-Technologie entwickelt, die niedrigere Kosten pro Gigabit bei der Nutzung von Kupferverbindungen ermöglicht. Niedrigere Preise werden die Wirtschaftlichkeit der In-Rack-Konnektivität in hochskalierten Rechenzentren verändern, was natürlich für alle von großem Interesse ist, die auf einem beschleunigten Pfad innerhalb des Racks weniger als einen Dollar pro 1Gbit/s erreichen wollen." "Bislang sind Branchenbeobachter davon ausgegangen, dass nur optische Verbindungen die Anforderungen von 100 Gbit/s und mehr erfüllen werden. Dies stellt ein großes Hindernis dar, da optische Technologien von Natur aus teurer sind", sagte Faraj Aalaei, CEO von Aquantia. "Unsere Expertise bei komplexen Hochgeschwindigkeits-Kupfertransceivern, gepaart mit dem Erbe der robusten SerDes-Führerschaft und der 14-nm-FinFET-Technologie von GF, wird eine kontinuierliche Roadmap für die erforderliche 100G-Konnektivität ermöglichen und unseren Kunden die beste Kombination bieten, um sich zu differenzieren und den sich entwickelnden Marktanforderungen voraus zu sein." Strategische Zusammenarbeit, Ergebnis ist eine bahnbrechende 100Gbit/s Verbindungstechnologie GF verfügt über mehr als 20 Jahre Erfahrung in der Entwicklung von Hochgeschwindigkeits-Serializer-Deserializer (SerDes). Ein integrierter SerDes-Schaltkreis ist ein grundlegender Baustein, der für den Datentransport zwischen Switches, Servern, Routern und Speichergeräten in Rechenzentren und IT-Umgebungen über eine Vielzahl von Kanälen wie optische Fasern, elektrische Kupferkabel und Backplanes verantwortlich ist. Die FX-14™ Application-Specific Integrated Circuit (ASIC)-Plattform von GF, die auf der fortschrittlichsten 14nm Low Power Plus (LPP)-Prozesstechnologie des Unternehmens entwickelt wurde, bietet ein optimiertes IP-Portfolio, einschließlich der neuesten Generation von SerDes, die Daten mit einer Geschwindigkeit von 56Gbit/s transportieren kann. Im Rahmen der Zusammenarbeit bietet GF dem Expertenteam von Aquantia Zugang zu seinem 56Gbit/s IP-Kern. Aquantia kombiniert den 56Gbit/s IP-Kern mit seinen patentierten Mixed-Mode Signal Processing (MMSP)- und Multi-Core Signal Processing (MCSP)-Architekturinnovationen für Hochgeschwindigkeitsverbindungen über Kupfer, die es in den letzten zehn Jahren entwickelt hat, um eine einzigartige 100G Interconnect-Hochleistungs-SerDes-Lösung anzubieten. Darüber hinaus wird Aquantia GF Zugang zu seinem QuantumStream™ IP gewähren, um es in die ASICs seiner Kunden einzubauen und so das Ökosystem von Lösungen, die diese revolutionäre Schnittstelle unterstützen, zu erweitern. Die Zusammenarbeit zielt darauf ab, die wahrgenommenen technischen Barrieren zu durchbrechen, um die derzeitige Roadmap für elektrische Verbindungen mit einer Bandbreite von 100 Gbit/s fortzusetzen. Darüber hinaus kann die QuantumStream™-Technologie von Aquantia leicht genutzt werden, um ein Vielfaches der 100-Gbit/s-Bandbreite auf herkömmlichen DAC-Kabeln zu liefern und damit eine der größten Herausforderungen zu lösen, denen sich die Netzwerk- und Rechenzentrumsbranche heute gegenübersieht. QuantumStream ist ideal für kurze Strecken 100G über 3m Direct Attach Kabel SFP 400G über 3m Direct Attach Kabel QSFP 800G über 3m Direct Attach Kabel OSFP Eine Analyse des Einsatzes von Switch- und Server-Konnektivität in Hyperscale-Rechenzentren zeigt, dass eine große Konzentration von ihnen innerhalb weniger Meter liegt. Laut Crehan Research liegt die Mehrheit der direkten Server- und Speicher-Ethernet-Netzwerkverbindungen in Hyperscale-Rechenzentren derzeit innerhalb von 3 Metern. Da Interconnect-Lösungen, die für Hunderte von Metern oder sogar einige Kilometer optimiert sind, für wenige Meter nicht ausreichen, führt dies zu einem Bedarf an ergänzenden Lösungen für die Konnektivität über Short-Range-Anwendungen und Long-Range-Verbindungen. Traditionell sind elektrische Verbindungen die kostengünstigste und leistungsstärkste Option für Anwendungen mit kurzer Reichweite, während optische Lösungen dank der geringen Verluste von Glasfasern bei Anwendungen mit großer Reichweite eingesetzt werden. Als Reaktion auf den umfassenden Branchentrend hin zu Switch- und Serverkonfigurationen mit höherer Dichte wurden bereits eine Reihe optischer Lösungen für 100G vorgeschlagen. Die QuantumStream™-Technologie von Aquantia, eine ergänzende 100G-Lösung für Massen-Server- und Switch-Konnektivität mit kürzeren Reichweiten als bei Kupferleitungen, ist nun erstmals möglich. "Um dem enormen Wachstum der Bandbreiten- und Datennachfrage gerecht zu werden, setzt GF sein Engagement für Investitionen in Netzwerk- und Technologieverbesserungen fort. Dazu gehört auch eine erstklassige Hochgeschwindigkeits-SerDes-Lösung, die unseren Kunden enorme Vorteile bringen wird", so Mike Cadigan, Senior Vice President of Global Sales and Business Development bei GF. "Aquantias innovative Design-Expertise im Bereich der Hochgeschwindigkeits-Kupfer-Interconnect-Technologien in Kombination mit unserer erstklassigen FX-14 ASIC-Plattform und dem SerDes-IP-Portfolio wird die Fortführung der elektrischen Interconnect-Paradigmen für Hyperscale-Rechenzentren ermöglichen." Über Aquantia Aquantia ist ein führender Entwickler und weltweiter Anbieter von Hochgeschwindigkeits-Halbleiter-Konnektivitätslösungen. Gestützt auf mehr als ein Jahrzehnt Technologieführerschaft und -umsetzung ermöglicht Aquantias marktführendes Produktportfolio die innovativsten Computer-, Rechenzentrums- und Unternehmensinfrastrukturanwendungen der Welt. Aquantia geht auf die sich ständig ändernden Marktanforderungen ein, indem es ein umfangreiches Portfolio anbietet, das auf architektonischen Innovationen basiert, die seinen Kunden hohe Leistung, geringen Stromverbrauch, hohe Dichte und hochwertige Siliziumlösungen bieten. Aquantia hat seinen Hauptsitz im Silicon Valley, Kalifornien, und verfügt über starke Risikokapitalgeber und strategische Investoren. Weitere Informationen finden Sie unter www.aquantia.com. QuantumStream™ ist eine Marke der Aquantia Corp. Über GF GF ist der weltweit erste Full-Service-Halbleiterhersteller foundry mit einer wirklich globalen Präsenz. Seit seiner Gründung im März 2009 hat sich das Unternehmen schnell zu einer der größten Foundries der Welt entwickelt und bietet mehr als 250 Kunden eine einzigartige Kombination aus fortschrittlicher Technologie und Fertigung. Mit Niederlassungen in Singapur, Deutschland und den Vereinigten Staaten ist GF die einzige foundry , die die Flexibilität und Sicherheit von Fertigungszentren auf drei Kontinenten bietet. Die 300-mm-Fabriken und 200-mm-Fabriken des Unternehmens bieten das gesamte Spektrum an Prozesstechnologien, vom Mainstream bis zur Spitzenklasse. Diese globale Produktionspräsenz wird durch wichtige Einrichtungen für Forschung, Entwicklung und Design Enablement unterstützt, die sich in der Nähe von Zentren für Halbleiteraktivitäten in den USA, Europa und Asien befinden. GF ist im Besitz der Mubadala Development Company. Weitere Informationen finden Sie unter https://www.globalfoundries.com. Aquantia:Sabrina Joseph408-726-1493[email protected] GF:Erica McGill518-305-5978[email protected] Sicherheitshinweis Diese Pressemitteilung enthält zukunftsgerichtete Aussagen über Aquantia, unter anderem darüber, inwieweit seine Produkte technologische Vorteile bieten und vom Markt angenommen werden. Die hierin enthaltenen zukunftsgerichteten Aussagen beruhen auf aktuellen Einschätzungen, Annahmen und Erwartungen, gelten nur zum Zeitpunkt der Veröffentlichung und beinhalten Risiken und Unsicherheiten, die dazu führen können, dass die tatsächlichen Ergebnisse erheblich von den aktuellen Erwartungen abweichen. Zu den Faktoren, die dazu führen könnten, dass die tatsächlichen Ergebnisse wesentlich von den derzeitigen Erwartungen abweichen, gehören unter anderem technologische und geschäftliche Entwicklungen in den Märkten für Rechenzentren und Ethernet-Unternehmensanwendungen.
INVECAS将在GLOBALFOUNDRIES FDX™技术上为明天的智能系统启用ASIC设计 September 29, 20162016年9月29日 INVECAS与GLOBALFOUNDRIES合作，在22FDX®和12FDX™技术上提供IP和端到端ASIC设计服务 加利福尼亚州圣克拉拉市 2006年9月29日 INVECAS Inc.和格芯今天宣布，INVECAS将提供IP和端到端ASIC设计服务。此服务将作为晶圆厂的FDXcelerator™ 合作伙伴计划的一部分，该计划旨在促进22FDX SoC设计来实现未来的智能系统。该合作加速了FDX技术在物联网（IoT），移动，射频连接和网络市场的应用中的应用。 INVECAS将与格芯的技术团队密切合作，针对公司的22FDX制程来开发和验证一系列IP。此外，INVECAS将提供全面的ASIC设计服务，帮助客户在SoC设计上拥有强烈的信心和超低的风险。 “我们的目标是提供经硅片验证的IP解决方案和系统级专业知识，以解决当今ASIC设计师面临的难题，”INVECAS公司董事长兼首席执行官Dasaradha Gude表示。 “我们很高兴成为格芯FDXcelerator计划的初始合作伙伴，这是一项突破性的举措，旨在使广泛的客户能够加快22FDX量产时间。 “我们很高兴扩大与INVECAS的战略关系，并欢迎他们作为FDXcelerator合作伙伴计划的初始成员，”格芯的产品管理高级副总裁Alain Mutricy说。“除了全面的FDX优化IP产品组合，我们的客户现在可以接触INVECAS全套服务，以及时和高质量地实现他们的SoC设计。“ 随着下一代12FDX™技术在最近被公布，FDXcelerator合作伙伴计划建立了格芯在业界首创的FD-SOI产品规划图，这是一个设计人员在高级节点上的的低成本的路径。通过参与FDXcelerator并继续扩展其IP产品以支持更广泛的FDX客户，INVECAS在FDX平台的采纳和增长方面处于领先地位。此外，FDXcelerator合作伙伴计划扩大了公司之间的技术合作，包括围绕质量，资格认证和研发方法的紧密联系。 更多信息将在未来几个月与FDX设计社区共享。如果您有兴趣进一步了解FDXcelerator的客户和合作伙伴，可以访问www.globalfoundries.com/FDXcelerator。 关于INVECAS INVECAS从在美国和印度的开发中心为格芯客户提供半导体IP和硅实现服务。该公司在提供高性能和高能效IP方面拥有良好的业绩记录，并在领先的流程中始终如一地实现了多项设计的成功。欲了解更多信息，请访问https://www.invecas.com。 关于格芯 GF是世界上第一个具有真正意义上足迹遍布全球的全方位服务晶圆制造商。该公司于2009年3月成名，并迅速实现了规模化，成为世界最大的晶圆生产商之一，为250多个客户提供先进技术和独特制造的组合。格芯在新加坡，德国和美国经营，是唯一提供跨越全球三大洲的制造中心，并提供足够灵活和高度安全的代工厂。该公司的300mm晶圆厂和200mm晶圆厂提供从主流到前沿的全系列制程技术。格芯的制造业务遍及全球，而格芯位于美国，欧洲和亚洲的半导体业务中心的大量的研发和设计实现人员为格芯的全球制造业务提供全面的支持。格芯由Mubadala Development Company拥有。欲了解更多信息，请访问https://www.globalfoundries.com。 联系人： Jason Gorss 电话：（518）698-7765 [email protected]
INVECAS ermöglicht ASIC-Designs für die intelligenten Systeme von morgen auf GlobalFoundries FDX™-Technologie September 29, 2016 INVECAS arbeitet mit GlobalFoundries zusammen, um IP und End-to-End ASIC Design Services für 22FDX® und 12FDX™ Technologien anzubieten Santa Clara, Kalifornien, 29. September 2016-INVECAS Inc. und GF gaben heute bekannt, dass INVECAS IP und End-to-End-ASIC-Design-Services als Teil des FDXcelerator™-Partnerprogramms von foundrybereitstellen wird, ein Ökosystem, das 22FDX-SoC-Designs für die intelligenten Systeme von morgen erleichtern soll. Die Zusammenarbeit beschleunigt die Einführung der FDX-Technologie in Anwendungen aus den Bereichen Internet-of-Things (IoT), Mobilfunk, RF-Konnektivität und Netzwerke. INVECAS wird eng mit den Technologie-Teams von GF zusammenarbeiten, um eine Reihe von geistigem Eigentum (IP) für den 22FDX-Prozess des Unternehmens zu entwickeln und zu verifizieren. Darüber hinaus wird INVECAS umfassende ASIC-Designdienstleistungen anbieten, um Kunden bei der Realisierung von SoC-Designs mit hohem Vertrauen und geringem Risiko zu unterstützen. "Unser Ziel ist es, Silizium-erprobte IP-Lösungen und Fachwissen auf Systemebene anzubieten, um die schwierigen Probleme der Design-Komplexität zu lösen, mit denen ASIC-Designer heute konfrontiert sind", sagte Dasaradha Gude, Chairman und CEO von INVECAS. "Wir freuen uns, einer der ersten Partner des FDXcelerator-Programms von GF zu sein, einer bahnbrechenden Initiative, die es einem breiten Kundenspektrum ermöglichen soll, 22FDX schneller in Serie zu bringen." "Wir freuen uns, unsere strategische Beziehung zu INVECAS auszubauen und das Unternehmen als erstes Mitglied des FDXcelerator-Partnerprogramms zu begrüßen", sagte Alain Mutricy, Senior Vice President of Product Management bei GF. "Neben dem umfassenden Portfolio an FDX-optimierter IP können unsere Kunden nun auch auf das komplette Dienstleistungsangebot von INVECAS zugreifen, um ihre SoC-Designs rechtzeitig und mit höchster Qualität zu realisieren." Mit der kürzlichen Ankündigung der 12FDX™-Technologie der nächsten Generation baut das FDXcelerator-Partnerprogramm auf der branchenweit ersten FD-SOI-Roadmap von GF auf, die einen kostengünstigeren Migrationspfad für Entwickler auf fortgeschrittenen Nodes darstellt. Durch die Teilnahme am FDXcelerator und die kontinuierliche Erweiterung seines IP-Angebots zur Unterstützung eines breiteren Spektrums von FDX-Kunden ist INVECAS gut positioniert, um bei der Einführung und dem Wachstum der FDX-Plattform eine führende Rolle zu spielen. Darüber hinaus erweitert das FDXcelerator-Partnerprogramm die technologische Zusammenarbeit zwischen den Unternehmen, einschließlich einer engeren Verzahnung in den Bereichen Qualität, Qualifikation und Entwicklungsmethodik. Weitere Informationen werden in den kommenden Monaten an die FDX-Design-Community weitergegeben. Kunden und Partner, die mehr über FDXcelerator erfahren möchten, können dies hier tun. ÜBER INVECAS INVECAS bietet Halbleiter-IP und Silizium-Realisierungsdienste für GF-Kunden aus seinen Entwicklungszentren in den USA und Indien an. Das Unternehmen kann auf eine lange Erfolgsbilanz bei der Bereitstellung von hochleistungsfähigem und energieeffizientem IP zurückblicken und hat mit zahlreichen Designs auf modernsten Prozessen immer wieder erste Erfolge erzielt. Weitere Informationen finden Sie unter https://www.invecas.com. Über GF GF ist der weltweit erste Full-Service-Halbleiterhersteller foundry mit einer wirklich globalen Präsenz. Seit seiner Gründung im März 2009 hat sich das Unternehmen schnell zu einer der größten Foundries der Welt entwickelt und bietet mehr als 250 Kunden eine einzigartige Kombination aus fortschrittlicher Technologie und Fertigung. Mit Niederlassungen in Singapur, Deutschland und den Vereinigten Staaten ist GF die einzige foundry , die die Flexibilität und Sicherheit von Fertigungszentren auf drei Kontinenten bietet. Die 300-mm-Fabriken und 200-mm-Fabriken des Unternehmens bieten das gesamte Spektrum an Prozesstechnologien, vom Mainstream bis zur Spitzenklasse. Diese globale Produktionspräsenz wird durch wichtige Einrichtungen für Forschung, Entwicklung und Design Enablement unterstützt, die sich in der Nähe von Zentren für Halbleiteraktivitäten in den USA, Europa und Asien befinden. GF ist im Besitz der Mubadala Development Company. Weitere Informationen finden Sie unter https://www.gf.com. Kontakt:Erica McGillGF(518) 305-5978[email protected]
INVECAS和格芯宣布推出用于高性能计算，网络和高端移动应用的高级14nm FinFET设计IP库 September 28, 20162016年9月28日 来自INVECAS的硅经验证和优化的IP现在可用于格芯 14LPP工艺的代工客户 加利福尼亚州圣克拉拉市 2016年9月28日 — 领先的IP，ASIC和嵌入式软件解决方案供应商INVECAS Inc和格在芯今天一起宣布为格芯14nm FinFET技术提供基础IP。来自INVECAS的经硅芯片验证的IP针对高性能“全时”应用（如高端智能手机，网络，服务器和图形处理器）的性能，功耗和面积要求进行了优化。该应用定制库使客户能够快速开发高性能和高能效的系统。 INVECAS IP可以利用FinFET的优势，为更苛刻的应用提供更小的面积的更多处理能力。综合IP组合包括基础IP，如通用I / O（GPIO），存储器，标准单元库以及一整套接口和模拟IP解决方案。 格芯的产品管理高级副总裁Alain Mutricy说：“格芯的14LPP为寻求差异化产品和加快复杂技术设计时间的客户提供了经硅芯片验证的解决方案。通过类似INVECAS这样的生态系统合作伙伴的早期参与，我们进一步增强了我们的技术，以确保拥有低风险，硅验证和高效设计策略的强大的基础设施。我们与INVECAS的战略关系为我们的客户提供了14LPP性能和功耗优化的IP平台，将其SoC设计推向了新的台阶，为广泛的应用提供了最高性能的芯片。” INVECAS公司董事会主席兼首席执行官Dasaradha Gude表示：“INVECAS致力于通过优化的IP和格芯的芯片实现服务来克服SoC设计挑战。”通过将经过验证的系统级专业知识与格芯的先进的14nm FinFET技术相结合，我们将能为计算，通信，移动和汽车市场提供完整的解决方案。 INVECAS将于9月29日参与在慕尼黑的索菲特展览会。期间，INVECAS将会在格芯技术会议（GTC）上展示硅芯片验证的IP解决方案。 关于INVECAS INVECAS从其在美国和印度的开发中心为格芯客户提供半导体IP和硅实现服务。该公司在提供高性能和高能效IP方面拥有良好的业绩记录，并在领先的流程中始终如一地实现了多项设计的成功。欲了解更多信息，请访问https://www.invecas.com。 关于格芯 GF是世界上第一个具有真正意义上足迹遍布全球的全方位服务晶圆制造商。该公司于2009年3月成名，并迅速实现了规模化，成为世界最大的晶圆生产商之一，为250多个客户提供先进技术和独特制造的组合。格芯在新加坡，德国和美国经营，是唯一提供跨越全球三大洲的制造中心，并提供的足够灵活性和高度安全性的代工厂。该公司的300mm晶圆厂和200mm晶圆厂提供从主流到前沿的全系列制程技术。格芯的制造业务遍及全球，而格芯位于美国，欧洲和亚洲的半导体业务中心的大量的研发和设计实现人员为格芯的全球制造业务提供全面的支持。格芯由Mubadala Development Company拥有。欲了解更多信息，请访问https://www.globalfoundries.com。 联系人： Jason Gorss 电话：（518）698-7765 [email protected]
INVECAS und GLOBALFOUNDRIES kündigen Verfügbarkeit einer fortschrittlichen 14-nm-FinFET-Design-IP-Bibliothek für High-Performance-Computing, Netzwerke und mobile High-End-Anwendungen an September 28, 2016Silizium-erprobte und optimierte IP von INVECAS ist jetzt für foundry Kunden auf GLOBALFOUNDRIES 14LPP Prozess verfügbar Santa Clara, Kalifornien, 28. September 2016 - INVECAS Inc., ein führender Anbieter von IP-, ASIC- und Embedded-Software-Lösungen, und GF gaben heute die Verfügbarkeit von Foundation IP für die 14-nm-FinFET-Technologie von GF bekannt. Die siliziumerprobte IP von INVECAS ist für die Leistungs-, Energie- und Flächenanforderungen von Hochleistungsanwendungen wie High-End-Smartphones, Netzwerk-, Server- und Grafikprozessoren optimiert. Diese anwendungsspezifische Bibliothek ermöglicht es Kunden, schnell leistungsstarke und energieeffiziente Systeme zu entwickeln. INVECAS IP nutzt die Vorteile von FinFET, um mehr Verarbeitungsleistung auf kleinerem Raum für die anspruchsvollsten Anwendungen zu liefern. Das umfassende IP-Portfolio umfasst Basis-IP wie Allzweck-I/O (GPIO), Speicher, Standardzellenbibliotheken und eine vollständige Reihe von Schnittstellen- und Analog-IP-Lösungen. "GFs 14LPP bietet eine Silizium-erprobte Lösung für Kunden, die ihre Produkte differenzieren und die Time-to-Volume von Designs mit komplexen Technologien beschleunigen wollen", sagte Alain Mutricy, Senior Vice President of Product Management bei GF. "Wir verbessern unsere Technologie durch frühzeitige Zusammenarbeit mit Ökosystempartnern wie INVECAS, um eine robuste Infrastruktur mit einer risikoarmen, siliziumerprobten und effizienten Designstrategie zu gewährleisten. Unsere strategische Beziehung zu INVECAS bietet unseren Kunden die für Leistung und Stromverbrauch optimierten IP-Plattformen von 14LPP, um ihre SoC-Designs auf ein neues Niveau zu heben und das leistungsstärkste Silizium für eine breite Palette von Anwendungen zu liefern." "INVECAS hat es sich zur Aufgabe gemacht, SoC-Design-Herausforderungen mit optimierter IP und Silizium-Realisierungsservices auf den Prozessen von GF zu meistern", so Dasaradha Gude, Chairman und CEO von INVECAS Inc. "Durch die Kombination unserer bewährten Expertise auf Systemebene mit der fortschrittlichen 14-nm-FinFET-Technologie von GF sind wir einzigartig positioniert, um Komplettlösungen für die Märkte Compute, Communication, Mobile und Automotive anzubieten. INVECAS wird seine Silizium-erprobten IP-Lösungen während der GF Technology Conference (GTC) am 29. September im Sofitel Munich Bayerpost in München präsentieren. ÜBER INVECAS INVECAS bietet Halbleiter-IP und Silizium-Realisierungsdienste für GF-Kunden aus seinen Entwicklungszentren in den USA und Indien an. Das Unternehmen kann auf eine lange Erfolgsbilanz bei der Bereitstellung von hochleistungsfähigem und energieeffizientem IP zurückblicken und hat mit zahlreichen Designs in führenden Prozessen immer wieder erste Erfolge erzielt. Weitere Informationen finden Sie unter https://www.invecas.com. Über GF GF ist der weltweit erste Full-Service-Halbleiterhersteller foundry mit einer wirklich globalen Präsenz. Seit seiner Gründung im März 2009 hat sich das Unternehmen schnell zu einer der größten Foundries der Welt entwickelt und bietet mehr als 250 Kunden eine einzigartige Kombination aus fortschrittlicher Technologie und Fertigung. Mit Niederlassungen in Singapur, Deutschland und den Vereinigten Staaten ist GF die einzige foundry , die die Flexibilität und Sicherheit von Fertigungszentren auf drei Kontinenten bietet. Die 300-mm-Fabriken und 200-mm-Fabriken des Unternehmens bieten das gesamte Spektrum an Prozesstechnologien, vom Mainstream bis zur Spitzenklasse. Diese globale Produktionspräsenz wird durch wichtige Einrichtungen für Forschung, Entwicklung und Design Enablement unterstützt, die sich in der Nähe von Zentren für Halbleiteraktivitäten in den USA, Europa und Asien befinden. GF ist im Besitz der Mubadala Development Company. Weitere Informationen finden Sie unter https://www.globalfoundries.com. Kontakt:Erica McGillGF(518) 305-5978[email protected]
Mit Snap Circuits Kits in Aktion treten September 26, 2016 Von Fernando Guarin Ein bisschen (oder ein Byte) Geschichte Als ich 2006 bei IBM begann, Schüler mit Snap Circuits zu betreuen, suchten wir nach kreativen Aktivitäten, die den Schülern vermitteln konnten, was ein Elektroingenieur tagtäglich tut. Wir begannen damit, die Bausätze in lokalen Schulen im Rahmen der "Engineer Week" einzusetzen, und weiteten dies dann auf die einwöchigen Camps aus, die wir im Sommer für Mädchen veranstalteten. Seit 2008 habe ich mein Engagement im Bereich Mentoring auf die Electron Devices Society (EDS) des IEEE ausgeweitet und mit Unterstützung der Organisation mit einer Reihe von Ingenieuren zusammengearbeitet, um junge Menschen durch ein weltweites Mentoring-Programm namens EDS-ETC (Engineers Demonstrating Science: an Engineer Teacher Connection) zu inspirieren. Das 2010 formell eingeführte Programm wurde mit Hilfe von Freiwilligen aus den Ortsverbänden Rochester, Boise und Mid-Hudson Valley in New York entwickelt. Diese engagierten Freiwilligen führten erste Evaluierungen durch und arbeiteten dabei mit ihren lokalen Wissenschaftslehrern aus der vierten bis zwölften Klasse zusammen. In der ersten Phase des Projekts wurden den Ortsverbänden in den Vereinigten Staaten Snap-Circuits-Bausätze zur Verfügung gestellt. Kurz darauf wurde das Programm auf EDS-Sektionen in der ganzen Welt ausgeweitet, wobei alle IEEE-Regionen beteiligt waren, in denen sich die Studenten der lokalen EDS-Sektionen aktiv engagierten. Die einzige Voraussetzung für die kostenlose Bereitstellung von Kits ist die Vorlage eines Plans, in dem angegeben wird, wie die Kits verwendet werden sollen. Im Jahr 2015 nahmen mehr als 9.000 junge Studenten an über 130 Veranstaltungen auf der ganzen Welt teil Die Technik macht den Unterschied Das Hauptziel des Programms besteht darin, den Mitgliedern der Ortsverbände die Möglichkeit zu geben, Schulen vor Ort zu besuchen und Veranstaltungen zu organisieren, um junge Schüler für die Elektrotechnik zu begeistern. Mithilfe der einfach zu verwendenden Snap Circuit Kits lernen die Schüler elektronische Schaltungen auf praktische Weise kennen und erleben so das spannende und kreative Feld der Elektronik. Wir hoffen, sie zu ermutigen, Elektrotechnik und Elektronik als Beruf in Betracht zu ziehen. Dieses vielseitige Werkzeug wurde zusammen mit dem Enthusiasmus und dem Fachwissen der EDS-Freiwilligen eingesetzt, um die vielen Anwendungen zu demonstrieren und junge Schüler für das spannende Gebiet der elektronischen Geräte zu motivieren. Um in der Welt etwas zu bewegen, müssen wir in unseren eigenen Gemeinden und Schulen vor Ort ansetzen. Wir müssen mit den lokalen Behörden und der Industrie zusammenarbeiten, um die nächste Generation von Ingenieuren und Wissenschaftlern zu inspirieren, die an der Lösung der dringendsten Herausforderungen in der Welt arbeiten werden - sauberes Wasser, Wind-/Wellen-/Wasserkraft, Photovoltaik/Solarzellen, Abfallwirtschaft, Erdwärme, Energiepflanzen, Energiegewinnung, Gesundheitsfürsorge und vieles mehr. Es wird viel Arbeit für die nächste Generation von Ingenieuren geben. Die Technologien, die fortschrittliche Hersteller entwickeln und an ihre Kunden liefern, werden die Zukunft prägen. Wir alle müssen unseren Beitrag leisten, um den Ingenieurnachwuchs zu fördern, indem wir unser Wissen mit den jungen Köpfen teilen, die unserem Planeten eine glänzende Zukunft sichern werden. Engagieren Sie sich noch heute! Erkundigen Sie sich bei Ihrem Arbeitgeber nach verfügbaren Bildungsprogrammen. Organisieren Sie eine Maker Faire oder schließen Sie sich mit Lehrern und Kollegen vor Ort zusammen, um ein Mentorenprogramm ins Leben zu rufen. Snap Circuits-Bausätze sind eine großartige Möglichkeit, um Schüler aller Altersgruppen zu motivieren. Weitere Optionen sind Raspberry Pi™, Arduino™ und mehr! Klicken Sie hier, um weitere Informationen über das IEEE EDS-ETC Programm zu erhalten und um ein entsprechendes Video anzusehen.
FDX "Keine Nischentechnologie" September 22, 2016Von Dave Lammers Von allen Zahlen, die für die vollständig verarmte SOI-Technologie von GLOBALFOUNDRIES angegeben werden, sticht für mich die Zahl 39 heraus. Das ist die Anzahl der Maskenschichten, die erforderlich sind, um einen vollständig verarmten 22-nm-SOI-Chip mit acht Metallschichten herzustellen. Zum Vergleich: Für einen vergleichbaren Chip mit FinFET-Transistoren werden 60 Masken benötigt, so Jamie Schaeffer, der Leiter des FDX™-Programms. Natürlich sind Vergleiche zwischen FinFET- und FD-SOI-Technologien ungenau. Beide haben ihre Vorzüge. Bei FD-SOI kostet der erste SOI-Wafer ein Mehrfaches eines Bulk-Wafers. Es gibt Unterschiede beim Antriebsstrom. Aber bedenken Sie, wie viele heikle Ätzschritte zur Herstellung der Rippen und wie viele Mehrfachdurchläufe durch teure Scanner diese zusätzlichen 21 Maskenschichten erfordern. Dann wird klar, dass FD-SOI Kostenvorteile bieten kann, die nicht wirklich vorhanden waren, als der Wettbewerb zwischen Bulk-Planar- und SOI-Planar-Technologien stattfand. Bedenken hinsichtlich der Kontinuität 22FDX®-Designs befinden sich derzeit in der Prototypenphase, die Risikoproduktion soll im ersten Quartal 2017 beginnen. Die kürzlich angekündigte 12FDX™-Technologie geht 2019 in die kommerzielle Produktion. Dan Hutcheson, CEO von VLSI Research Inc. befragte 75 Entscheidungsträger in sechs Chip-Unternehmen, sechs EDA- und IP-Anbietern und zwei Universitäten und stellte fest, dass eine ihrer Sorgen die Kontinuität war. Eine der Fragen, die in der Umfrage geäußert wurden, lautete: "Gibt es eine Zukunft? Sie wollten sicherstellen, dass es einen nächsten Knotenpunkt für die FD-SOI-Technologie gibt". Schaeffer wies auch auf die Bedeutung des Faktors Nachfolge hin. "Die gesamte FDX-Roadmap, die 22 und 12FDX integriert, bietet einen komplementären Weg zu FinFETs", sagte er. Schaeffer war jedoch leicht beleidigt, als ich eine Frage stellte, die andeutete, dass die wirklichen Volumina in der FinFET-Arena bleiben werden, mit Prozessoren und Grafikchips, während FDX gut für die kleineren Kartoffeln geeignet wäre, für die Design-Teams, die nicht ganz die Ressourcen haben, um ein FinFET-Projekt in Angriff zu nehmen. "Wir machen das nicht als Nischentechnologie", antwortete er. "Wir zielen auf großvolumige Gelegenheiten ab - Transceiver, WiFi, Bildverarbeitung und Automotive. Wir beabsichtigen, einen großen Teil unserer Fab 1 in Dresden zu füllen, und haben Pläne für eine Kapazitätsausweitung", so Schaeffer. GLOBALFOUNDRIES 22FDX wird in Europas größter 300mm-Fabrik hergestellt Dieses Wort, Transceiver, ist der Schlüssel zum FDX-Programm. Die 22FDX-Transistoren weisen eine Fmax im 325-GHz-Bereich auf, die die aufkommende 5G-Mobilfunkspezifikation erfüllen kann. Schaeffer sagte, dass die 22FDX- und 12FDX-Technologien "eine einzigartige Gelegenheit bieten, mmWave-Transceiver mit ADCs, DACs und digitalem Basisband zu integrieren. FinFETs bieten die digitale Skalierung, aber nicht die HF-Leistung, die bei mmWave-Frequenzen erforderlich ist. Auf dem IoT-Markt könnte die FDX-Technologie mikrocontrollerbasierte SoCs mit integrierter Low-Power-Wireless-Technologie unterstützen. Sie könnte auch für Produkte ins Spiel kommen, die auf den neuen WiFi-Standards der Gigabit-Klasse basieren. Und je nachdem, wie schnell sich der 5G-Mobilfunkstandard durchsetzt und wie er sich in die selbstfahrenden Autos der Zukunft einfügt, könnte FDX in der Automobilbranche große Verbreitung finden. Analog Freundlich Hutcheson sagte, dass er SOI skeptisch gegenüberstand, bis er die Umfrage von VLSI Research durchführte und mit Gerätephysikern über die relativen Vorzüge von FinFETs und SOI-Transistoren sprach. "Als wir die Entwicklungsingenieure befragten, sagten sie, dass SOI für analoge Anwendungen viel besser sei als FinFETs." Dick James, Senior Fellow bei ChipWorks (Ottawa), sagte, dass Analogdesigner auf die Möglichkeit angewiesen sind, die Breite ihrer Transistoren anzupassen. Bei FinFET-basierten Schaltungen müssen die Entwickler mit einer quantisierten Transistorbreite" arbeiten und die Transistorbreiten durch die Verwendung mehrerer Lamellen anpassen. "Mit planaren Transistoren können Analogentwickler ihre Schaltungen abstimmen, indem sie breitere Transistoren an beliebigen Stellen einsetzen", so James. Auch die Debatte über den Stromverbrauch kippt zugunsten von SOI, so James. Mit der vergrabenen Oxidschicht (Buried Oxide Layer, BOX) kann theoretisch jeder Transistor von einer Isolationsschicht umgeben sein, und das hilft bei der Kontrolle von Leckagen und Parasitären. Back-Biasing spielt auch eine Rolle bei der Kontrolle des Stromverbrauchs, indem es die Schwellenspannung anhebt und Leckagen reduziert, wo es angebracht ist. Die Debatte über die relativen Vorzüge von Bulk-FinFETs gegenüber der SOI-Technologie wird schon seit Jahrzehnten geführt und nahm im Sommer 1998 an Intensität zu, als IBM offiziell ankündigte, für seine Serverprozessoren auf SOI umzustellen. Intel setzte sich vehement für die Beibehaltung der Bulk-Silizium-Technologie ein, was schließlich zu den FinFETs führte, die während des letzten Jahrzehnts im Mittelpunkt standen. Jetzt erreicht die Debatte über FD-SOI oder FinFET - und darüber, wo beide im heutigen Technologiespektrum angesiedelt sind - eine neue Intensität, die sich auch auf dem Markt bemerkbar machen wird. Aber warum 22? Warum nicht FDX20? Und warum 12, anstatt die von anderen favorisierte 10-nm-Grenze zu verwenden? Hier geht es wieder um die Frage der Produktionskosten. Bei den 22-nm-Designregeln, so Schaeffer, ist eine Single-Pass-Strukturierung ausreichend. Eine doppelte Strukturierung ist nicht erforderlich. Bei 12 nm reicht die doppelte Strukturierung für die kritischen Schichten aus, so dass eine drei- oder vierfache Strukturierung nicht erforderlich ist. Das war's. Mit 39 Maskenschichten, überlegenen Trägerfrequenzen bei geringer Leistung könnte FDX eine Alternative zu FinFETs darstellen, insbesondere in Märkten, in denen die Kombination aus Transistordichte und guter HF-Leistung geschätzt wird. Möge der Wettbewerb beginnen.
格芯将提供行业领先高性能产品—7纳米FinFET技术 September 15, 2016公司为追求终极处理能力的产品拓展了它领先的规划路线图 加州 圣克拉拉，2016年9月15日 — 格芯今天宣布了为下一个时代的计算机应用提供具有终极性能的领先的7纳米FinFET半导体技术的计划。此技术可以为数据中心、网络、顶级移动处理器、深度机器学习应用提供更高的运算处理能力。 对比与现今16/14nm代工厂FinFET产品，格芯的全新7纳米FinFET预期将提供两倍的逻辑密度和30%的性能增长。平台基于工业标准FinFET晶体管结构和光学刻印技术，配备在关键层次的EUV匹配能力。此方案将通过大量重复利用公司14纳米FinFET技术的制程和工具来进行加速生产。14纳米FinFET技术现于纽约州萨拉托加的8号晶圆厂以投入大批量生产。格芯计划额外投入数十亿美元在8号晶圆厂以实施7纳米FinFET生产。 “格芯在从14纳米直接跳跃到7纳米，这一技术上的大胆的决定得到了很多领先半导体公司的支持，特别是当他们知道成本高昂的10纳米技术只能带来有限的性能和功率优势”，TIRIAS研究公司的创办人及分析部主任Jim McGregor说道。“如同28纳米与16/14纳米制程节点，7纳米技术至少在下一个10年内将成为主要节点，并将被整个半导体行业大量使用。” “对于加强下一代计算机体验的计算和图像产品规划来说，类似格芯7纳米FinFET这样的领先技术是关键因素，”AMD主席及总裁Lisa Su博士说道。“我们渴望与格芯继续密切合作，并期待见证格芯在近几年将14纳米技术中展现出的可靠执行与技术基础延续到7纳米技术上。” “IBM承诺，将推动半导体科技的极限作为积极长期研究的计划，并提上战略日程。”IBM研究中心高级副总裁 Arvind Krishna说道，“IBM研究中心持续与格芯合作开发新概念、新技巧与新科技，并一起加速我们在7纳米技术和将来的共同研究。” 格芯将展示一个全面的且富有竞争力，并能与制程开发一同优化的IP库。为使客户加快对7纳米技术的采用，格芯拓展了它的战略合作伙伴范围，现与INVECAS建立合作关系，合作范围超越14LPP和FDX™制程，现已涵盖了7纳米制程技术的铸造IP开发。这将为客户建立符合性能、功耗、面积需求的早期设计提供了坚实的基础。 基于在14LPP技术平台的成功，格芯的7纳米FinFET技术定位于推动下一代的计算应用，满足对超高性能的需求，其应用范围包括高端移动SoC 和云服务器处理器及网络基建。公司的高性能产品得到22FDX® 和12FDX™的增强，而这两项技术都已达到下一代智能连接设备对超低功耗的要求， 此类设备用于移动计算，5G连接，人工智能以及无人驾驶技术。 格芯的7纳米FinFET将得到完整的基础平台和复杂的IP，包括ASIC产品。实验芯片与来自高端客户的IP已经在8号晶圆厂投入运行。本技术预计将于2017年下半年可用于客户产品设计，将于2018年早期投入风险生产。 关于格芯 格芯是世界上第一个具有真正意义上足迹遍布全球的全方位服务晶圆制造商。该公司于2009年3月成名，并迅速实现了规模化，成为世界最大的晶圆生产商之一，为250多个客户提供先进技术和独特制造的组合。格芯在新加坡，德国和美国经营，是唯一提供跨越全球三大洲的制造中心，并提供的足够灵活性和高度安全性的代工厂。该公司的300mm晶圆厂和200mm晶圆厂提供从主流到前沿的全系列制程技术。格芯的制造业务遍及全球，而格芯位于美国，欧洲和亚洲的半导体业务中心的大量的研发和设计实现人员为格芯的全球制造业务提供全面的支持。格芯由Mubadala Development Company拥有。欲了解更多信息，请访问https://www.globalfoundries.com。
格芯在22FDX®平台启动嵌入式MRAM September 15, 2016高性能嵌入式非易失性内存方案，是物联网汽车自动化领域新兴应用的完美选择 加州圣克拉拉，2016年9月15日—格芯今天介绍了可进化的嵌入式磁阻性非易失性内存技术（eMRAM），基于22FDX®平台，提供比现在的NVM产品快1000倍的写入速度和高1000倍的耐用性。在维持企业领先的eMRAM存储单元大小的同时，22FDX®具备了可以在260°C（在工业级别的可操作温度）回流焊接下维持数据的能力。 格芯的eMRAM将在22FDX®平台发布，应用了业内第一个22纳米耗尽时绝缘体上硅（FD-SOI）技术。具备多样性的eMRAM技术是为了代码储存（闪存）和工作内存（SRAM）设计，启用了超高效内存子系统，该子系统可在没有能量和性能损失的情况下多次重复启动。FDX™ 和 eMRAM的低功耗和有效的射频连接性IP，使22 FDX™成为电池供电的物联网产品与汽车自动化MCU的理想平台。 “客户正在寻求高效非易失性内存方案，以增加自己产品的能力，”格芯CMOS平台业务部高级副总裁Gregg Barltlett说道，“22FDX™ eMRAM的出现使系统设计者具备新的能力，将更好的功能实现在他们的MCU和SoC上，还能增进性能和功耗的表现。” 无人汽车的出现极大推动了一系列的需求，包括对芯片对内存性能的需求，这些更好的内存性能主要用于实时图像处理，高精度和连续性3D拓录数据和下一代无线更新的汽车自动化MCU。格芯的eMRAM利用独特的方法解决了此些高级驾驶辅助系统(ADAS)的要求，合并比SRAM更高密度的内存、快速写入、超高耐用性和非易失性功能，这些都只有磁阻型内存才能做到。 “新型非易失性内存正从研究阶段走向生产，”Coughlin联合公司主席Thomas Coughlin说道，“格芯的22FDX™ eMRAM将提供SoC能力上的极大的进步，利用了嵌入式MRAM的关键性能属性。电池供电的IoT设备、汽车MCU和SoC及SSD储存控制器的设计者必然会渴望利用此多样化嵌入式NVM技术的优势。” 格芯22FDX™ eMRAM的出现，是公司与MRAM界的先驱Everspin技术公司多年合作的成果。双方的合作已在2016年8月为世界提供了最高密度的ST-MRAM—Everspin的256兆DDR3处置磁场通道结型（pMJT）产品，此产品现已在格芯准备投入大批量生产。 格芯的22FDX™ eMRAM现正处于开发阶段，客户试用原型机预计于2017年问世，并于2018年投入量产。格芯的eMRAM比22纳米有更好的可扩展性，预期将在FinFET和未来的FDX平台推出。
GLOBALFOUNDRIES liefert das branchenweit leistungsstärkste Angebot an 7nm FinFET-Technologie September 15, 2016Das Unternehmen erweitert seine führende Roadmap für Produkte, die ultimative Rechenleistung erfordern Santa Clara, Kalifornien, 15. September 2016 - GLOBALFOUNDRIES kündigte heute Pläne für eine neue, führende 7nm-FinFET-Halbleitertechnologie an, die die ultimative Leistung für die nächste Ära von Computeranwendungen bieten wird. Diese Technologie bietet mehr Rechenleistung für Rechenzentren, Netzwerke, hochwertige mobile Prozessoren und Deep-Learning-Anwendungen. Die neue 7nm-FinFET-Technologie von GF soll eine mehr als doppelt so hohe Logikdichte und eine 30-prozentige Leistungssteigerung im Vergleich zu den heutigen 16/14nm foundry FinFET-Angeboten bieten. Die Plattform basiert auf einer dem Industriestandard entsprechenden FinFET-Transistorarchitektur und optischer Lithografie mit EUV-Kompatibilität auf Schlüsselebenen. Dieser Ansatz wird den Produktionsanstieg durch die Wiederverwendung von Werkzeugen und Prozessen der 14-nm-FinFET-Technologie des Unternehmens beschleunigen, die derzeit auf dem Fab-8-Campus in Saratoga County, N.Y., in Serie produziert wird. GF plant eine zusätzliche Investition in Höhe von mehreren Milliarden Dollar in Fab 8, um die Entwicklung und Produktion von 7-nm-FinFET zu ermöglichen. "Die Industrie konvergiert auf 7nm FinFET als nächsten langlebigen Knotenpunkt, was für GF eine einzigartige Gelegenheit darstellt, an der Spitze zu konkurrieren", sagte GF CEO Sanjay Jha. "Wir sind gut positioniert, um eine differenzierte 7nm-FinFET-Technologie zu liefern, indem wir unsere jahrelange Erfahrung in der Herstellung von Hochleistungschips, das Talent und Know-how unserer ehemaligen Kollegen von IBM Microelectronics und die erstklassige F&E-Pipeline unserer Forschungsallianz nutzen. Kein anderes Unternehmen foundry kann mit diesem Erbe bei der Herstellung von Hochleistungschips mithalten." "GF hat die mutige Entscheidung getroffen, direkt von 14nm auf 7nm zu wechseln - eine Entscheidung, die nun von mehreren führenden Halbleiterunternehmen unterstützt wird, da sie nur marginale Leistungs- und Stromverbrauchsvorteile für die hohen Kosten des 10nm-Prozessknotens sehen", sagte Jim McGregor, Gründer und Hauptanalyst von TIRIAS Research. "Ähnlich wie die 28nm- und 16/14nm-Prozessknoten scheint 7nm der nächste große Prozessknoten zu sein, der von der gesamten Halbleiterindustrie für mindestens das nächste Jahrzehnt in großem Umfang genutzt werden wird." "Spitzentechnologien wie GF 7nm FinFET sind ein wichtiger Bestandteil unserer langfristigen Roadmap für Computer- und Grafikprodukte, die die nächste Generation von Computererlebnissen ermöglichen", sagte Dr. Lisa Su, President und CEO von AMD. "Wir freuen uns darauf, unsere enge Zusammenarbeit mit GF fortzusetzen, während sie die solide Ausführungs- und Technologiebasis, die sie bei 14nm aufbauen, in den kommenden Jahren auf die leistungsstarke und stromsparende 7nm-Technologie ausweiten." "IBM ist bestrebt, die Grenzen der Halbleitertechnologie im Rahmen seiner aggressiven, langfristigen Forschungsagenda zu erweitern", sagte Arvind Krishna, Senior Vice President und Direktor von IBM Research. "IBM Research arbeitet weiterhin mit GF zusammen, um neue Ideen, neue Fähigkeiten und neue Technologien zu entwickeln, die dazu beitragen werden, unsere gemeinsame Forschung in der 7nm-Technologie und darüber hinaus zu beschleunigen". GF wird eine umfassende und wettbewerbsfähige IP-Bibliothek liefern, die gemeinsam mit der Prozessentwicklung optimiert wurde. Damit Kunden die Einführung der 7nm-FinFET-Technologie beschleunigen können, hat GF seine strategische Partnerschaft mit INVECAS über die 14LPP- und FDX™-Prozesse hinaus erweitert und bietet nun auch die foundry IP-Entwicklung für 7nm-Prozesstechnologien an. Dies bietet den Kunden eine solide Grundlage für die Entwicklung früher Designs, die ihre Anforderungen an Leistung, Stromverbrauch und Fläche erfüllen. "INVECAS hat sich darauf spezialisiert, den Kunden von GF konkurrenzlose IP-Lösungen, ASICs und Design-Services anzubieten, die die gesamte Bandbreite der führenden FinFET- und FDX-Prozesse von GF abdecken", sagte Dasaradha Gude, CEO von INVECAS. "Unsere strategische Partnerschaft mit GF in Kombination mit unserem maßgeschneiderten foundry IP-Modell ermöglicht es uns, eine 7nm-FinFET-Prozess-Grundlagen-IP zu entwickeln, die den anspruchsvollen Leistungsanforderungen der 7nm-Spitzenanwendungen unserer Kunden gerecht wird." Aufbauend auf dem Erfolg seiner 14LPP-Technologieplattform ist die 7-nm-FinFET-Technologie von GF so positioniert, dass sie Computeranwendungen der nächsten Generation ermöglicht, die eine extrem hohe Leistung erfordern - von mobilen High-End-SoCs bis hin zu Prozessoren für Cloud-Server und Netzwerkinfrastrukturen. Das Hochleistungsangebot des Unternehmens wird durch seine 22FDX®- und 12FDX™-Technologien ergänzt, die entwickelt wurden, um die Ultra-Low-Power-Anforderungen der nächsten Generation intelligenter, vernetzter Geräte zu erfüllen - von Mobile Computing und 5G-Konnektivität bis hin zu künstlicher Intelligenz und autonomen Fahrzeugen. Die 7-nm-FinFET-Technologie von GF wird durch eine umfassende Plattform mit grundlegendem und komplexem geistigem Eigentum (IP) unterstützt, darunter auch ein Angebot an anwendungsspezifischen integrierten Schaltkreisen (ASIC). Testchips mit IP von führenden Kunden wurden bereits in Fab 8 in Betrieb genommen. Es wird erwartet, dass die Technologie in der zweiten Jahreshälfte 2017 für die Entwicklung von Kundenprodukten zur Verfügung steht und Anfang 2018 in die Risikoproduktion übergeht. Über GF GF ist der weltweit erste Full-Service-Halbleiterhersteller foundry mit einer wirklich globalen Präsenz. Seit seiner Gründung im März 2009 hat sich das Unternehmen schnell zu einer der größten Foundries der Welt entwickelt und bietet mehr als 250 Kunden eine einzigartige Kombination aus fortschrittlicher Technologie und Fertigung. Mit Niederlassungen in Singapur, Deutschland und den Vereinigten Staaten ist GF die einzige foundry , die die Flexibilität und Sicherheit von Fertigungszentren auf drei Kontinenten bietet. Die 300-mm-Fabriken und 200-mm-Fabriken des Unternehmens bieten das gesamte Spektrum an Prozesstechnologien, vom Mainstream bis zur Spitzenklasse. Diese globale Produktionspräsenz wird durch wichtige Einrichtungen für Forschung, Entwicklung und Design Enablement unterstützt, die sich in der Nähe von Zentren für Halbleiteraktivitäten in den USA, Europa und Asien befinden. GF ist im Besitz der Mubadala Development Company. Weitere Informationen finden Sie unter https://www.globalfoundries.com. Kontakt:Jason GorssGF(518) 698-7765[email protected]
